超结硅功率MOS电源管理芯片U8621展现低功耗特性

#超结硅功率MOS电源管理芯片U8621展现低功耗特性#

在全负载范围内，相比传统功率器件，超结硅功率MOS电源管理芯片U8621能为用户节省更多的电能。同时，在空载状态下，U8621的低功耗特性得以体现，满足了六级能效标准，有效避免了能源的无谓消耗，对于电子设备的应用而言，是非常值得推荐的一颗芯片！

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电源管理芯片U8621是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM 电源管理芯片，内置1.9Ω/630V的超结硅功率MOS。U8621具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件等优点。U8621在一定条件下适用于输入电压AC90V-264V的输出功率为18W以内的离线式反激开关变换器，满足VI级能效标准。U8621采用SOP-8并采用单边漏极并联封装增加散热效果。

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电源管理芯片U8621引脚名称：

1 GND 芯片内部电路电位基准引脚

2 VCC 芯片内部电路供电引脚

3 FB 输出反馈输脚，芯片 PWM 输出的频率和占空比由FB 和CS 控制

4 CS 电感峰值电流采样输入引脚

5、6、7、8 PD 内置高压功率 MOS 的漏极

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电源管理芯片U8621根据FB脚电平自动匹配工作模式，当FB电平低于1.1V时，芯片进入打嗝工作模式，此模式下芯片工作频率为25KHz，最小导通时间为1.2uS；当FB电平低于1.7V时，芯片进入变频模式，此模式下芯片工作频率在25K-65K变动，驱动高电平时间由FB和CS电平控制；当FB电平大于3.7V时，芯片进入恒功率模式，此时芯片工作频率为65KHz，PWM占空比由对应的VOCP控制。

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电源管理芯片U8621具备恒功率输出模式，当FB脚电平大于3.7V以后，芯片PWM占空比由CS引脚电平对应的VOCP来控制，为保证在AC90V-264V输入范围内的恒功率性能，对VOCP值根据占空比进行补偿。U8621采用专用的抖频技术，在中心频率的±5%范围内随机选择工作频率，使得电源系统的电磁兼容性能得到最大化的应用！