0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

SiC SBD/超结MOS在工业电源上的应用

瑞森半导体 2023-12-11 11:56 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

一、前言

工业电源是指用于工业及相关领域中的电子设备与设施的电源系统,其重要性体现在为各类工业设备提供稳定的电力保障,维护设备正常运行,故需具有稳定可靠、高效节能、安全耐用等特点。

常见的工业电源类型包括:交流电源、直流电源、变频电源、高压电源等。这些不同类型的工业电源分别适用于不同类型的工业设备和应用场景。例如,交流电源主要用于驱动电机、照明等设备,直流电源则适用于电子设备、生产线设备等需要精密电压调节的场合。

0139fe24960f46e48971b9d72294b39a~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&lk3s=953192f4&x-expires=1702868394&x-signature=V%2FdENyPIV8%2Bdu2D3LElAuVfdxZM%3D

二、产品应用及工作原理

工业级电源主要应用在工业自动化、医疗设备、铁路交通、航空航天等领域中。其工作原理是将交流电转换为直流电,然后通过变换电路将直流电转换为所需的电压和电流,最后通过输出电路将变换后的电压和电流输出到负载上来满足工业设备的电能需求,由此可见分为三个部分:输入电路、交换电路、输出电路。

三、典型应用拓扑图

b26ff6c8f6fc4b75995ddacbab1f470c~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&lk3s=953192f4&x-expires=1702868394&x-signature=djOzuB2wYv6wx1C3dZi7t4YdP90%3D

四、典型应用线路及选型

工业电源必须满足功率因数校正(PFC)等法定要求,同时PFC拓扑对MOS管的要求比较高,在保证系统效率和温升的条件下,要尽可能的提升系统稳定性用来改善电子或电力设备装置的功率因素,用于提高配电设备及其配线的利用率,以降低设备的装置容量;推荐使用瑞森半导体的超结MOS系列,选型表如下:

6974ab845d64472b887e2b656e4ef6eb~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&lk3s=953192f4&x-expires=1702868394&x-signature=aEYC5g%2FCKkjAoRKB5PGt60qMaUI%3D

采用碳化硅二极管可以提升工业电源的功率密度和效率,实现更高的工作效率推荐使用瑞森半导体的碳化硅二极管系列,选型表如下:

f54789ad468948a5997e4fc900040803~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&lk3s=953192f4&x-expires=1702868394&x-signature=PE7YSrKN6YHyDWMYULHnF7ixnaA%3D

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电源
    +关注

    关注

    185

    文章

    18712

    浏览量

    261449
  • 超结器件
    +关注

    关注

    0

    文章

    12

    浏览量

    5796
  • PFC电源
    +关注

    关注

    0

    文章

    24

    浏览量

    10331
  • 大功率电源
    +关注

    关注

    0

    文章

    34

    浏览量

    8858
  • 碳化硅二极管

    关注

    2

    文章

    32

    浏览量

    7118
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    三菱电机SiC MOSFET工业电源中的应用

    SiC器件具有低开关损耗,可以使用更小的散热器,同时可以更高开关频率下运行,减小磁性元件体积。采用SiC器件的工业电源,可以实现高效率和高
    的头像 发表于 12-02 11:28 2930次阅读
    三菱电机<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>工业</b><b class='flag-5'>电源</b>中的应用

    合科泰MOS管与碳化硅MOS管的区别

    电力电子领域,高压功率器件的选择直接影响系统的效率、成本与可靠性。对于工程师来说,MOS管与碳化硅MOS管的博弈始终是设计中的核心议题
    的头像 发表于 11-26 09:50 336次阅读

    合科泰TOLL4封装MOS管HKTS13N65的应用场景

    功率电子设备向小型化、高效化发展的当下,合科泰TOLL4封装是MOS管HKTS13N65,凭借
    的头像 发表于 11-26 09:42 389次阅读
    合科泰TOLL4封装<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>结</b><b class='flag-5'>MOS</b>管HKTS13N65的应用场景

    阳台光储电源系统架构及SiC器件替代MOSFET的技术优势

    倾佳电子阳台光储电源系统架构及SiC器件替代MOSFET的技术优势 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国
    的头像 发表于 09-23 08:28 894次阅读
    阳台光储<b class='flag-5'>电源</b>系统架构及<b class='flag-5'>SiC</b>器件替代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>结</b>MOSFET的技术优势

    SiC碳化硅MOSFETLLC应用中取代MOSFET的优势和逻辑

    倾佳电子电源LLC深度研究分析与SiC碳化硅MOSFETLLC应用中取代MOSFET的优势和逻辑 倾佳电子(Changer Tech)
    的头像 发表于 09-01 09:50 2418次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅MOSFET<b class='flag-5'>在</b>LLC应用中取代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>结</b>MOSFET的优势和逻辑

    革新电源设计:B3M040065R SiC MOSFET全面取代MOSFET,赋能高效高密度电源系统

    革新电源设计:B3M040065R SiC MOSFET全面取代MOSFET,赋能高效高密度电源系统 ——倾佳电子助力OBC、AI算力
    的头像 发表于 08-15 09:52 546次阅读
    革新<b class='flag-5'>电源</b>设计:B3M040065R <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET全面取代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>结</b>MOSFET,赋能高效高密度<b class='flag-5'>电源</b>系统

    33W全负载高效率电源管理方案

    由于芯片结构的改变,MOS的结电容比传统MOS有很大的降低,
    的头像 发表于 05-13 11:11 598次阅读

    伯恩半导体新品推荐 | MOSTV电视的应用

    推荐MOSTV电视的应用
    的头像 发表于 05-07 14:36 631次阅读
    伯恩半导体新品推荐 | <b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>结</b><b class='flag-5'>MOS</b>管<b class='flag-5'>在</b>TV电视<b class='flag-5'>上</b>的应用

    CAB450M12XM3工业SiC半桥功率模块CREE

    及高效率需求的应用而设计。CAB450M12XM3电动汽车充电站、不间断电源系统(UPS)以及牵引驱动系统等领域展现出了卓越的性能。 主要特性 极致功率密度:得益于SiC技术
    发表于 03-17 09:59

    国产碳化硅MOSFET全面开启对MOSFET的替代浪潮

    碳化硅(SiC)MOSFET全面取代(SJ)MOSFET的趋势分析及2025年对电源行业的影响 一、SiC MOSFET取代SJ MOS
    的头像 发表于 03-02 11:57 800次阅读
    国产碳化硅MOSFET全面开启对<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>结</b>MOSFET的替代浪潮

    MOSFET升级至650V碳化硅MOSFET的根本驱动力分析

    随着BASiC基本半导体等企业的650V碳化硅MOSFET技术升级叠加价格低于进口MOSFET,不少客户已经开始动手用国产SiC碳化硅MOSFET全面取代
    的头像 发表于 03-01 08:53 982次阅读
    <b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>结</b>MOSFET升级至650V碳化硅MOSFET的根本驱动力分析

    SiC SBD的静态特性和动态特性

    SiC SBD具有高耐压、快恢复速度、低损耗和低漏电流等优点,可降低电力电子系统的损耗并显著提高效率。适合高频电源、新能源发电及新能源汽车等多种应用,本文介绍SiC
    的头像 发表于 02-26 15:07 1053次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>SBD</b>的静态特性和动态特性

    硅功率MOS电源管理芯片U8621展现低功耗特性

    #硅功率MOS电源管理芯片U8621展现低功耗特性#全负载范围内,相比传统功率器件,
    的头像 发表于 02-20 16:37 985次阅读
    <b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>结</b>硅功率<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>电源</b>管理芯片U8621展现低功耗特性

    为什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代MOSFET和高压GaN氮化镓器件?

    650V SiC碳化硅MOSFET全面取代MOSFET和高压GaN氮化镓器件
    的头像 发表于 01-23 16:27 1657次阅读
    为什么650V <b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅MOSFET全面取代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>结</b>MOSFET和高压GaN氮化镓器件?

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅M
    发表于 01-22 10:43