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电子发烧友网>制造/封装>AOS推出 600V 50mohm aMOS7™超结高压 MOSFET

AOS推出 600V 50mohm aMOS7™超结高压 MOSFET

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2012-05-29 08:47:481938

瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET

瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150m(栅源间电压为10V时的标称值)的600V耐压超结(SJ:Super Junction)型功率MOSFETRJL60S5系列,将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情
2012-06-26 11:03:40794

Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET

里首款MOSFET--- SiHx25N50E,该器件具有与该公司600V和650V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。
2014-10-09 12:59:191468

Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667

600V半桥预驱动器BP6903A

高压Gatedriver 600V工艺,替代IR2103,替代FD2503,替代SDC9301
2017-11-23 14:17:3233

bp6904a 600V半桥预驱动器

高压Gatedriver 600V工艺,替代IR2104,替代FD2504
2017-11-23 14:15:2346

600V三相MOSFET/IGBT驱动器MIC4609的详细中文数据手册免费下载

MIC4609 是一款600V 三 相MOSFET/IGBT 驱 动 器。 MIC4609具有300 ns的典型输入滤波时间,旨在避免出现意外的脉冲和获得550 ns的传播延时。MIC4609具有 TTL输入阈值。
2018-07-02 09:24:0011

Vishay推出新型FRED Pt第五代 600V Hyperfast 恢复整流器

Vishay 推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔离封装的新型 FRED Pt 第五代 600V Hyperfast 恢复整流器。
2022-10-14 16:11:241100

Vishay推出封装的新型第四代 600V EF系列快速体二极管MOSFET

Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60EF 导通电阻比前代器件降低 29 %,为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案,同时栅极电荷下降 60 %,从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中 600V MOSFET 的重要优值系数(FOM)创业界新低。
2022-10-14 16:16:12817

ASEMI IXTY02N50D/IXTU02N50D高压功率MOSFET规格书

ASEMI IXTY02N50D/IXTU02N50D高压功率MOSFET规格书免费下载。
2022-11-04 15:23:000

600V SPM® 2 系列热性能(通过安装扭矩)

600V SPM® 2 系列热性能(通过安装扭矩)
2022-11-15 20:04:030

N 沟道 50V,0.90mOhm、410A 逻辑电平 LFPAK88中的特定应用 MOSFET-PSMNR90-50SLH

N 沟道 50 V、0.90 mOhm、410 A 逻辑电平 LFPAK88 中的特定应用 MOSFET-PSMNR90-50SLH
2023-02-09 21:57:060

LFPAK56E中的N沟道 50V,1.7mOhm、200A 连续逻辑电平专用 MOSFET-PSMN1R5-50YLH

LFPAK56E 中的 N 沟道 50 V、1.7 mOhm、200 A 连续逻辑电平专用 MOSFET-PSMN1R5-50YLH
2023-02-14 18:34:100

N 沟道 50V,1.18mOhm、280A 逻辑电平 MOSFET,采用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术,采用 LFPAK88-PSMN1R1-50SLH

N 沟道 50 V、1.18 mOhm、280 A 逻辑电平 MOSFET,采用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术,采用 LFPAK88-PSMN1R1-50SLH
2023-02-17 18:48:010

650V,50mOhm 氮化镓(GaN) FET-GAN063-650WSA

650 V、50 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245

R课堂 | 600V耐压Super Junction MOSFET PrestoMOS™产品阵容又增新品

同时实现业界超快反向恢复时间和业界超低导通电阻,可进一步降低工业设备和白色家电的损耗 ROHM的600V耐压Super Junction MOSFET PrestoMOS 产品阵容中又新增
2023-07-12 12:10:08437

600V三相MOSFET/IGBT驱动器

电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500

ID2304D 高压半桥驱动芯片600V替代L6388

骊微电子是芯朋微一级代理商,提供ID2304D高压半桥驱动芯片600V,可兼容代换L6388,更多驱动产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2021-12-29 14:25:499

SVS14N60FJD2 14A,600V超低内阻高压mos

SVS14N60FJD214A,600V超低内阻高压mos,适用于硬/软开关拓扑,更多产品手册、应用料资请向士兰微MOS管一级代理骊微电子申请。>>
2022-09-05 17:13:067

50a 600v igbt 驱动电路SGTP50V60FD2PF规格书参数

供应50a 600v igbt 驱动电路SGTP50V60FD2PF,提供SGTP50V60FD2PF关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。>>
2023-04-03 17:15:592

电机常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐压600V 50A规格书参数

供应电机常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐压600V 50A,提供SGTP50V60FD2PU关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微 电子申请。>>
2023-04-03 17:24:105

美格纳推出第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管

美格纳半导体宣布推出微纳加工增强型第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET)。 这款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473

AOS推出新款100V MOSFET AONA66916

Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916,采用了创新的双面散热 DFN 5 x 6 封装。这一创新型封装为 AOS 产品赋予了卓越的散热性能,使其在长期恶劣的运行条件下仍能保持稳定的性能。
2024-01-26 18:25:151382

ir2104驱动芯片代换料ID7U603SEC-R1 600V半桥预驱方案

逆变器、全桥驱动逆变器等领域。  ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特点  ■ 浮动工作电压可达600V  ■ 拉灌电流典型值210mA/36
2023-03-29 09:24:35

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