龙腾半导体650V 99mΩ超结MOSFET重磅发布
龙腾半导体最新推出650V/40A/99mΩ超结MOSFET，其内置FRD，适应LLC应用，并适合多管应用，具有更快的开关速度，更低的导通损耗；极低的栅极电荷（Qg），大大提高系统效率和优异的EMI性能。
该产品耐压为650V，导通电阻仅为99mΩ，使得MOS管在导通状态下实现更小的功率损耗和更高的效率，同时成本也随之下降，为客户提供低成本设计方案。该款产品主要适用于电源、逆变器和其它高压开关应用等。
产品特点
业界优势的RDS(on)*A
集成快恢复二极管
出色的高开关速度
增强的dv/dt能力
竞争优势
业界优势的RDS(on)*A
Qrr反向恢复电荷性能显著提升
trr反向恢复时间较同类产品明显缩短
注：数据来源于龙腾实验室实测
LSD65R099HP采用先进的PT工艺，器件高低温条件下IDSS漏电较辐照产品低。同时，其Trr和Qrr性能参数优于市面主流产品，显著提升了产品的可靠性与能效。
应用领域
数据中心
通信电源
电动汽车充电OBC
不间断电源UPS
工业SMPS
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原文标题：新品发布 | Qrr与Trr双优表现，龙腾半导体650V 99mΩ 超结MOSFET发布
文章出处：【微信号：xa_lonten，微信公众号：龙腾半导体】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
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发表于 01-22 10:43
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