瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压
2012-06-26 11:01:02
1252 日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)开发出耐压40V的功率MOSFET ，最适合用于以工业设备和车载领域为中心的、输入电压24V的DC/DC转换器。
2012-08-08 09:18:231141 基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS（on），同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超级结MOSFET出现之前
2017-08-25 14:36:2031083 
采用超级接面结构设计不仅可克服现有功率MOSFET结构的缺点，亦能达到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性
2011-12-08 10:28:101661 
为主的高新技术企业，主要有高压产品线超级结MOSFET、IGBT及功率模块、SiC功率器件，以及中低压产品线SGT MOSFET，产品广泛覆盖车规级、工业级和消费级等应用领域。 在超级结MOSFET细分领域，2022年其超级结MOSFET产品销售收入突破5亿元，根据芯谋
2023-06-07 00:10:002138 
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
MOSFET耐压为650V。可能有人认为“那么，BD9G341AEFJ的80V耐压是不是并不很高？”其实关键之处在于BD9G341AEFJ是作为“非隔离型DC/DC转换器IC”实现80V高耐压的。在DC
2018-12-05 10:07:06
栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 2.功率MOSFET的结构
2019-06-14 00:37:57
系列为例，介绍trr的高速化带来的优势。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具备SJ-MOSFET的高耐压、低导通电阻及低栅极总电荷量特征、且进一步实现了
2018-11-28 14:27:08
MOSFET管的耐压在150左右，电流在80A左右，MOSFET管怎么选择？什么型号的MOSFET管子合适。主要用在逆变器上面的。谢谢？？
2016-12-24 14:26:59
mosfet里的jte结终端拓展是什么意思？
2017-12-05 10:03:10
从本篇开始，介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位首先来看近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率
2018-11-28 14:28:53
结构和沟槽结构的功率MOSFET，可以发现，超结型结构实际是综合了平面型和沟槽型结构两者的特点，是在平面型结构中开一个低阻抗电流通路的沟槽，因此具有平面型结构的高耐压和沟槽型结构低电阻的特性。内建横向
2018-10-17 16:43:26
为backup电源用的超级电容。它具有工作时间长，比电池的ESR低，小型化的特征，实现了在有限空间内安装，高功率高输出电力的功能。 应用于SSD、PLC等存储备份以及通信设备的last gasp。(3
2022-05-24 10:21:08
高耐压降压型电源芯片ZCC2451完全替代MP2451 产品特点：230uA工作静态电流3.3 V至36 V宽工作电压范围500mΩ的内部功率MOSFET2 MHz固定开关频率无采样电阻的精密电流限制> 90%的效率输出从+ 0.8 V到0.8 x Vin可调低关机模式电流:
2019-12-11 13:53:20
4.2/4.3/4.35/4.4 5~200 1 NO 6.8 双灯 DFN2*2-8 高耐压，超薄，超小电流充电，电流精度高 1mA～200mA的超小容量锂电充电XC3071 4.5~6 30
2021-12-24 22:12:23
上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）的概要
2018-12-03 14:27:05
本帖最后由 tmm0717 于 2021-5-21 17:51 编辑
1、产品型号：ETA4054-SOT23-52、应用产品：电子玩具、蓝牙耳机、锂电保护3、产品特点：高耐压16V4、联系：***
2021-05-21 17:47:35
高耐压降压型电源芯片ZCC2459完全替代MP2459产品特点：0.5A输出峰值电流4.5V至60V宽工作电压1Ω的内部功率MOSFET480KHz固定开关频率 陶瓷输出电容稳压逐周期过流保护 热关断保护 > 90%的效率输出从+ 0.81V到0.95Vin可调低关机模式电流:
2019-11-20 09:30:14
高耐压降压型电源芯片ZCC2459完全替代MP2459 产品特点：·0.5A输出峰值电流·4.5V至60V宽工作电压·1Ω的内部功率MOSFET·480KHz固定开关频率 ·陶瓷输出电容稳压·逐周期
2019-11-14 16:39:17
高耐压降压型电源芯片fs2459完全替代MP2459产品特点：·0.5A输出峰值电流·4.5V至60V宽工作电压·1Ω的内部功率MOSFET·480KHz固定开关频率·陶瓷输出电容稳压·逐周期过流
2022-01-03 06:38:42
高耐压降压型电源芯片ZCC2451完全替代MP2451 产品特点：230uA工作静态电流3.3 V至36 V宽工作电压范围500mΩ的内部功率MOSFET2 MHz固定开关频率无采样电阻的精密电流限制> 90%的效率输出从+ 0.8 V到0.8 x Vin可调低关机模式电流:
2019-11-12 13:35:56
高耐压降压型电源芯片ZCC2459完全替代MP2459 产品特点：0.5A输出峰值电流4.5V至60V宽工作电压1Ω的内部功率MOSFET480KHz固定开关频率 陶瓷输出电容稳压逐周期过流保护 热关断保护> 90%的效率输出从+ 0.81V到0.95Vin可调低关机模式电流:
2019-11-13 13:48:37
深圳市尊信电子技术有限公司，钰泰、智融、赛芯等核心代理李先生：***号可免费拿样品测试高耐压BUCK芯片ETA2808，支持4.6-42V宽电压输入，足3A的输出能力，可应用在车充、车载、无线充以及
2022-02-21 10:51:14
FP6291特征：1.高达12V的输出电压可调。2.PWM频率可调：1.0MHz.3.反馈电压及精度：0.6V（±2%）。4.内置0.22A功率MOSFET
2019-10-10 09:11:07
Q2的P-N结增加储存电荷。在t4~t5时段，MOSFET Q1通道导通，流过非常大的直通电流，该电流由MOSFET Q2体二极管的反向恢复电流引起。这不是偶然的直通，因为高、低端MOSFET正常施加
2019-09-17 09:05:04
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
（规定自由电子的流动方向与电压方向相反）。阻止的过程N的空穴流向P，P的自由电子流向N，这样内电场减小，之前的扩散运动又加强了，反反复复最终达到平衡。 PN结的特征是什么？ 1、 概述 PN结
2021-01-15 16:24:54
流向P，P的自由电子流向N，这样内电场减小，之前的扩散运动又加强了，反反复复最终达到平衡。PN结的特征是什么？1、 概述PN结稳定之后，要想实现电流的流动必须外部施加电压，打破内部的平衡，从而达到目的
2021-03-16 13:50:45
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-03-14 06:20:14
MOSFET－开关特性及其温度特性所谓MOSFET－阈值、ID-VGS特性及温度特性所谓MOSFET－超级结MOSFET所谓MOSFET－高耐压超级结MOSFET的种类与特征所谓MOSFET－高速
2018-11-27 16:40:24
说明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常见的结构。Si的功率MOSFET，因其高耐压且可降低导通电阻，近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
1. 器件结构和特征 Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。IGBT通过
2019-04-09 04:58:00
MOSFET所谓MOSFET－高耐压超级结MOSFET的种类与特征所谓MOSFET－高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™同时具备MOSFET和IGBT优势的Hybrid MOS发挥其特征
2018-11-27 16:38:39
介绍。如下图所示，为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，其重要特征也是具备高速特性。而SiC-SBD的特征是其不仅拥有优异的高速性还同时实现了高
2018-11-29 14:35:50
1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。IGBT通过
2019-05-07 06:21:55
分类和特性肖特基势垒二极管快速恢复二极管Si晶体管分类和特性高耐压MOSFET晶体管的选择方法选择流程SOA、额定、温度发挥其特征的应用事例Si二极管和MOSFET的种类非常多，耐压和电流变动幅度也很大
2018-11-28 14:34:33
高耐压降压型电源芯片ZCC2451完全替代MP2451 产品特点：·230uA工作静态电流·3.3 V至36 V宽工作电压范围·500mΩ的内部功率MOSFET·2 MHz固定开关频率·无采样电阻的精密电流限制·> 90%的效率·输出从+ 0.8 V到0.8 x Vin可调·低关机模式电流:
2019-11-18 13:55:51
所决定，因此基本上都是一样的。可以想见，不管在n区和p区之间的半导体状况怎样（是否有本征半导体或者有高阻半导体），只要是电荷耗尽的势垒区，就构成pn结，它的势垒高度就都基本上由两边的n型和p型半导体
2013-05-20 10:00:38
：125A内阻小多个管子并联耐压很难做高高压：310V电流：9.7A 耐压高多个管子串联内阻必然大所以根据上面分析，得出一个结论：高压MOSFET，Rdson大；低压MOSFET，Rdson小。MOSFET
2021-05-07 10:11:03
一个超级的A D库，，包含各种各样的封装库，种类丰富，资料齐全！！！
2017-08-01 20:14:00
范围对应着三种不同驱动电压类型的功率MOSFET，下面就来认识这三种类型的功率MOSFET。1、功率MOSFET驱动电压类型1.1 通用驱动的功率MOSFET功率MOSFET的栅极氧化层厚度和沟道掺杂
2019-08-08 21:40:31
基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on)，同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超级结MOSFET出现之前
2017-08-09 17:45:55
x 6.0 x 1.0mm）－我曾认为既然称作高耐压产品是不是因为有什么特别之处，但其实它的构成非常简单啊。一般高耐压的DC/DC转换器多采用外置高耐压MOSFET的电路结构来实现高耐压，但
2018-12-05 10:00:48
达50~60mΩ。实际上对于高压的管子来说，之所以能抗这么高的耐压，内部是很多个小MOSFET串联在一起的，所以电阻会有点大的。我们看一个管子，第一看耐压，其次看Id电流，第三看内阻Rdson，如果电流
2021-08-11 16:34:04
48V高耐压BUCK芯片ETA2808，支持4.6-42V宽电压输入，足3A的输出能力，可应用在车充、车载、无线充以及多串电池降压等多种场合深圳市尊信电子技术有限公司：周志***欢迎行业客户联系
2022-01-17 15:39:51
/DC转换器用IC等，500V以上的高耐压品有很多。例如，ROHM内置MOSFET的AC/DC转换器用IC的内置MOSFET的耐压是650V。此外，通过将功率MOSFET外置的DC/DC转换器控制器
2019-04-08 08:48:17
转换器用IC的制造商有限，而且种类也并不是很多。 BD9G341AEFJ是作为功率开关内置额定80V/3.5A的N通道MOSFET的DC/DC转换器用IC，仅需增加很少外置元器件，即可构建高性能的高耐压
2018-10-19 16:47:06
用IC的制造商有限，而且种类也并不是很多。BD9G341AEFJ是作为功率开关内置额定80V/3.5A的N通道MOSFET的DC/DC转换器用IC，仅需增加很少外置元器件，即可构建高性能的高耐压DC
2018-12-04 10:10:43
功率三极管（GTR）来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率 MOSFET 的通态电阻较大的缘故。言归正传，下面来看看具体如何选型
2019-11-17 08:00:00
系列Hybrid MOS是同时具备超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”）的高速开关和低电流时的低导通电阻、IGBT的高耐压和大电流时的低导通电阻这些优异特性的新结构MOSFET。下面为
2018-11-28 14:25:36
电机驱动市场特别是家电市场对系统的能效、尺寸和稳健性的要求越来越高。 为满足市场需求，意法半导体针对不同的工况提供多种功率开关技术，例如， IGBT和最新的超结功率MOSFET。 本文在实际
2018-11-20 10:52:44
区宽度，高代表峰值电场Ec，轻掺杂情况下耗尽区宽度很大，峰值电场变小，要达到击穿，外加电压要加大。也就是说在低掺杂情况下击穿电压变大了。从上面的计算可以看出对于非穿通平行平面结，掺杂浓度越低，结的耐压
2019-10-30 13:22:00
高耐压降压型电源芯片ZCC2451完全替代MP2451 产品特点：·230uA工作静态电流·3.3 V至36 V宽工作电压范围·500mΩ的内部功率MOSFET·2 MHz固定开关频率·无采样电阻的精密电流限制·> 90%的效率·输出从+ 0.8 V到0.8 x Vin可调·低关机模式电流:
2020-01-16 13:40:13
测量和校核开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器的功率器件结温，如 MOSFET 或 IGBT 的结温，是一个不可或缺的过程，功率器件的结温与其安全性、可靠性直接相关。测量功率器件的结温常用二种方法：
2021-03-11 07:53:26
功率三极管（GTR）来做比较的：优点—开关速度快、输入阻抗高、驱动方便等；缺点—难以制成高电压、大电流型器件，这是因为耐压高的功率 MOSFET 的通态电阻较大的缘故。言归正传，下面来看看具体如何选型
2019-11-17 08:00:00
ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”，是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是在现有650V与1200V的产品阵容中新增的更高耐压版本。不仅具备
2018-12-05 10:01:25
大于3MHz，因此高频管和低频管的界线已不那么明显。 3 高、低频小功率管高频小功率三极管一般指特征频率大于3MHz，功率小于1W的晶体三极管。主要使用于工作频率比较高，功率不高于1W的放大电路，高频
2018-01-31 10:14:10
。与MOSFET同样能通过栅极电压控制进行高速工作，还同时具备双极晶体管的高耐压、低导通电阻特征。工作上与MOSFET相同，通过给栅极施加电压形成通道来流过电流。结构上MOSFET（以Nch为例）是相同N型的源极
2018-11-28 14:29:28
的复合结构。是为了利用MOSFET和双极晶体管的优点而开发的晶体管。与MOSFET同样能通过栅极电压控制进行高速工作，还同时具备双极晶体管的高耐压、低导通电阻特征。 工作上与MOSFET相同，通过
2020-06-09 07:34:33
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时，所能施加的最大的额定电压，测试的电路如图1所示。功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层的外延层epi厚度N-决定。功率MOSFET的N+源极和P-体区形成的结
2023-02-20 17:21:32
、化学、机械方面稳定热稳定性 ：常压状态下无液层，2000℃升华机械稳定性：莫氏硬度（9.3），可以媲美钻石（10）化学稳定性 ：对大部分酸和碱具有惰性SiC功率元器件的特征SiC比Si的绝缘击穿场强高约
2018-11-29 14:43:52
＜概要＞全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品，在保持极快反向恢复时间（trr※1））的同时，提高设计灵活度，非常适用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品，在保持极快反向恢复时间（trr※1））的同时，提高设计灵活度，非常适用于
2020-03-12 10:08:47
广，不管是在居民区、商业区或是高速公路服务区，都能使用充电桩为新能源电动汽车便捷充电。安森德凭借在半导体功率器件和封装领域的技术积累，研发出同类别性能优异的超级结MOSFET，具备更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37
的PN结承受高的漏极电压。在高压器件中绝大部分电压由低掺杂的epi层来承受：厚的、低掺杂的epi层可以承受更高的击穿耐压，但是增加了导通电阻。在低压器件中，P-体区掺杂程度和N-的epi层差不多，也可以
2016-09-06 15:41:04
=oxh_wx3、【周启全老师】开关电源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超结功率MOSFET技术白皮书资料来自网络
2019-06-26 20:37:17
ROHM最近推出的“BD9G341AEFJ”，是内置80V高耐压MOSFET的DC/DC转换器IC。80V的耐压是非隔离型DC/DC转换器IC的业界顶级水平，在ROHM的目前产品阵容中，也是耐压最高
2018-12-03 14:44:01
极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR， 但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 功率MOSFET的结构和工作原理 功率
2023-02-27 11:52:38
的方向，充分并迅速地了解供应商提供的仿真模型是否真实反映既定应用空间内的器件仍然是棘手的问题。
与竞争对手的模型不同，Fairchild的超级结MOSFET和IGBTSPICE模型基于一个物理可扩展模型
2019-07-19 07:40:05
功率MOSFET的种类
按导电沟道可分为P沟道和N沟道 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道 增强型—
2009-04-14 22:08:473906 
试验方法很简单：把电容串联一个电阻，再直接接到耐压仪输出端，开启耐压仪，慢慢升电压，耐压仪报警（电容击穿）时的电压，就是电容的耐压值。
2017-10-31 11:09:364543 为驱动快速开关超级结MOSFET，必须了解封装和PCB布局寄生效应对开关性能的影响，以及为使用超级结所做的PCB布局调整。主要使用击穿电压为500-600V的超级结MOSFET。在这些电压额定值
2019-05-13 15:20:231240 
电容的参数包括电容的容值、耐压、工作温度、公差、尺寸等等。我们选择电容不单止考虑电容的种类，还需要关注电容的各种参数，如果仅仅是耐压不一样，高耐压替代低耐压是没有问题的。
2020-02-12 19:26:5910724 日本知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）面向服务器、笔记本电脑以及平板电脑等所使用的低耐压DC/DC转换器，开发出了功率MOSFET。
2020-11-04 11:22:00678 交流耐压是在比运行条件更加严格的试验。是一种破坏性试验，是鉴定电力绝缘强度最有效和最直接的方法。因此，在进行耐压之前，必须先 进行绝缘电阻、泄漏电流、介损试验、绝缘油等非破坏性试验。合格后才可进
2021-09-26 10:05:312797 超级结又称超结，是制造功率场效应晶体管的一种技术，其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型外延层和p型体区形成的pn结耗尽区的耐压决定，又因p型体区掺杂浓度较高，耗尽区承压主要在外延n-层。
2022-09-13 14:38:575464 NGTB20N60L2TF1G 应用笔记 [与超级结 MOSFET 的比较]
2022-11-15 19:25:27
0 放眼国内外，现阶段1000V及以上超高耐压大电流MOSFET几乎被进口品牌垄断，且存在价格高，交付周期长等弊端。对此维安(WAYON)面向全球市场，对800V及以上超高压MOS产品进行了大量
2023-01-06 12:43:45853 
近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
从本篇开始，介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位：首先来看近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率范围。
2023-02-10 09:41:00538 
ROHM推出内置耐压高达80V的MOSFET的DC/DC转换器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐压是内置功率晶体管的非隔离型DC/DC转换器IC的业界最高水平，在ROHM的DC/DC转换器产品阵容中也是最高耐压的机型。
2023-02-13 09:30:05387 
－ 您已经介绍过BM2Pxxx系列对高效率、低功耗、低待机功耗、小型这4个课题的贡献，多次提到“因为内置超级结MOSFET，......”。接下来请您介绍一下超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”）。
2023-02-17 11:37:15878 
使用的工艺技术不同结构也不同，因而电气特征也不同。补充说明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常见的结构。Si的功率MOSFET，因其高耐压且可降低导通电阻，近年来超级结（Super
2023-02-23 11:26:58464 
功率 MOSFET 上电气过载的故障特征-AN11243
2023-02-23 19:03:170 MOSFET的种类有哪些 1. Enhancement MOSFET（增强型MOSFET） 2. Depletion MOSFET（耗尽型MOSFET） 3. MOSFET
2023-06-02 14:15:36940 功率器件业务为主的高新技术企业，主要有高压产品线超级结MOSFET、IGBT及功率模块、SiC功率器件，以及中低压产品线SGT MOSFET，产品广泛覆盖车规级、工业级和消费级等应用领域。 在超级结MOSFET细分领域，2022年其超级结MOSFET产品销售收入突破5亿元，根据芯
2023-06-08 07:45:021434 
。超结MOSFET兼具高耐压特性和低电阻特性，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。封装特性美浦森S
2023-08-18 08:32:56513 
电感有耐压值吗？不同大小的电感的耐压值会不会不同？ 电感器是一种能够储存电能的组件，根据材料的不同，电感器可以分为铁芯电感器、空心电感器等多种类型。在电路中的使用，由于电源输出的涉及到高压、高电流
2023-10-24 10:04:481472 型晶体管，它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同，可以分为N沟道-增强型MOSFET、N沟道-耗尽型MOSFET、P沟道-增强型MOSFET、P沟道-耗尽型MOSFET四种类型。
2023-11-07 14:51:15644 
【科普小贴士】MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16:16411 
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