ST 600-650V MDmesh DM9 超结快速恢复功率MOSFET提高效率和稳健性
新型硅基快速恢复体二极管超结 MOSFET系列为全桥相移ZVS拓扑提供理想的效率和可靠性
ST超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷(Qrr)和超快快恢复时间(trr)，以及出色的品质因数(RDS(on)x Qg)，能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率和功率水平，适用于工业和汽车应用。该产品系列提供了广泛的封装选项，包括长引线 TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封装。
最新的快速恢复体二极管超结MOSFET技术针对要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器进行了优化。
STPOWER MOSFET MDmesh DM9系列的击穿电压范围600 - 650V，降低了反向恢复效应，提升了最高允许di/dt和dv/dt。具有极低的通态电阻(RDS(on))和栅电荷(Qg)，与同类竞争器件和意法半导体先前的技术相比，帮助设计人员获得了更高的效率水平。
关键特性
行业领先的品质因数(RDS(on) x Qg)
体二极管反向恢复时间(trr)性能提高
提高了dv/dt(120V/ns)和di/dt能力(1300A/μs)
优化了体二极管恢复阶段和平缓性
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
150文章
9411浏览量
229487 -
意法半导体
+关注
关注
31文章
3331浏览量
111073 -
快恢复二极管
+关注
关注
2文章
257浏览量
16096
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
意法半导体推出全新MDmesh MOSFET，提高功率密度和能效
2022 年 5 月 18日，中国 – 意法半导体的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极
在低功率压缩机驱动电路内，意法半导体超结MOSFET与IGBT技术比较
- STGIPNxH60y, STGIPQxH60y · 超结MOSFET: 3/5 A、600V 内置快速
发表于 11-20 10:52
keil5提高效率的技巧
keil5提高效率的技巧：1.编写程序时右键点击即可快速添加头文件。2.固定模板可以在“Templates”中写入，使用时可直接引用。3.模块化编程，即编写头文件，之前的博客有提到，这里不再赘述。...
发表于 01-12 07:53
650V 快速恢复 SuperFET® II MOSFET 在谐振拓扑中实现高系统效率和可靠性
650V 快速恢复 SuperFET® II MOSFET 在谐振拓扑中实现高系统效率和可靠性
发表于 11-14 21:08
•0次下载
650 V SUPERFET III FRFET 新型快速反向恢复超结 MOSFET，适用于高效率和可靠的电动汽车充电应用
650 V SUPERFET III FRFET 新型快速反向恢复超结
发表于 11-15 20:17
•0次下载
600-650 V MDmesh DM9：快速恢复SJ功率MOSFET提高了效率和稳健性
电子发烧友网站提供《600-650 V MDmesh DM9：快速恢复SJ
发表于 08-01 16:09
•1次下载
带有快速体二极管的MOSFET器件通过LLC拓扑和FREDFET来提高效率
带有快速体二极管的MOSFET器件通过LLC拓扑和FREDFET来提高效率
提高效率的DC电源模块设计技巧
BOSHIDA 提高效率的DC电源模块设计技巧 设计高效率的BOSHIDA DC电源模块可以帮助减少能源浪费和提高系统功耗，以下是一些设计技巧： 1. 选择高效率的
STP60N043DM9功率MOSFET技术解析与应用指南
STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET设计用于中/高压
工商网监
评论