【2022年5月30日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码: IFX / OTCQX代码: IFNNY）近日发布了采用EconoDUAL™ 3标准工业封装的全新1700 V
2022-05-30 15:10:15
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级IGBT ，包括AIKQ120N75CP2 和 AIKQ200N75CP2两个型号。这款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封装，可以提升电动汽车主逆变器和直流链路放电开关的性能，并
2022-06-10 16:53:133563 
Littelfuse推出新型1300V A5A沟槽分立式IGBT，专为800V电动汽车（BEV）应用而设计。这些IGBT具有优化的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）、强大的短路能力和更大
2025-04-09 10:15:141820 
Power Integrations今日推出适合额定电压750V IGBT的汽车级SID1181KQSCALE-iDriver门极驱动器。继推出1200V SID1182KQ驱动器IC之后，新器件
2020-01-24 09:42:003701 英飞凌科技宣布推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT。该器件专门针对分立式汽车牵引逆变器进行了优化，进一步丰富了英飞凌车规级分立式高压器件的产品阵容。
2022-03-21 14:14:042272 
™ MOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2专为提升汽车及工业功率转换应用的系统效率和功率密度而设计。它提供一系列精细化的产品组合，在25°C时R DS(on) 值
2025-07-02 15:00:301604 
IGBT英飞凌的模块，用着怎么样啊，求指导。
2018-04-17 15:27:54
8-20kHz之间，请使用英飞凌后缀为DN2、RT4、KT4的IGBT模块.高压1700VFF600R17ME4(600A/1700V) FF450R17ME4(450A/1700V)FF300R17ME4
2022-05-10 10:06:52
全球半导体领先供应商英飞凌联合第三方，推出了性能优越的的750W伺服套件。该套件包括主控板和功率板两部分。主控板采用英飞凌32位微处理器XMC4500（ARM Cortex-M4 core）为主
2018-12-11 10:47:32
我在做软开关，使用的是英飞凌IGBT:BSM150GB60DLC，在大负载时驱动波形会有振荡现象，有个别大神说可能是IGBT问题，有用过这个信号的大神吗？这个管子怎么样？
2019-03-14 16:50:48
英飞凌IGBT参数中文版搞电源变频器电焊机 必备资料
2019-02-09 21:33:19
[tr][td]英飞凌IGBT应用常见问题解答1.IGBT模块适用于哪些产品？2.Easy系列模块电压/电流/功率范围？3.Easy系列有哪几种封装？........总共23个问题，，已经有此资料
2018-12-13 17:16:13
FZ400R17KE3 英飞凌 FZ400R12KS4英飞凌 FZ600R17KE3英飞凌 FZ600R12KS4 英飞凌 FF450R12KT4英飞凌 BSM100GB120DN2K 英飞凌
2012-09-13 20:53:05
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:45 编辑
英飞凌科技推出XMC4000单片机家族2
2012-08-17 13:29:28
TT162N14KOF FP15R12YT3BSM200GA120DN2FS_E3256 BSM200GA120DN2FS_E3256 BSM50GX120DN2 FS200R12PT4 T589N16TOF
2021-12-02 17:55:00
中国上海，2023年3月9日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正（PFC）电路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
供应英飞凌的模块，IGBT，***
2017-06-06 18:09:32
充电电路用于输出电压经整流后在10ms左右给20uF的储能大电容充电到750V。充电电路设计为典型UC2843构成的反激充电，pwm波为50kHZ左右，占空比0.45左右，输入电压为DC12V，对于
2017-09-29 17:35:51
发挥重要作用。”电动交通技术的量产在很大程度上取决于是否能推出经济、可靠的功率电子器件。从IGBT 芯片、分立驱动芯片到功率模块，英飞凌的产品组合旨在帮助开发适用于混合动力汽车和电动汽车的优化系统解决方案。为
2018-12-06 09:57:11
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2021-03-01 15:10:19
英飞凌科技股份公司于近日推出了一款车规级基于EDT2技术及EasyPACK™ 2B半桥封装的功率模块，这款模块具有更高的灵活性及可扩展性。根据逆变器的具体条件，这款750V的模块最大可以支撑50kW
2021-11-29 07:42:30
由分立元件构成的IGBT驱动电路
2019-11-07 01:22:18
R12KT4 FF200R12KT3 FF450R12KT4 英飞凌IGBT模块,芯瑞回收英飞凌IGBT模块 BSM100GB120DN2B BSM150GB120DN2B,回收不限地区,不限数量,不限型号,欢迎
2022-01-01 19:06:43
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2021-01-09 18:20:52
山东省长期上门收购英飞凌IGBT模块富士IGBT模块日 汇沣科技工控自动化公司提供全国高价回收IGBT模块长期大量回收二手IGBT模块,包括三菱IGBT模块,英飞凌IGBT模块,富士IGBT模块
2022-02-14 17:34:35
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2022-01-04 20:52:15
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2021-09-16 14:19:49
，提出了汽车级IGBT概念，并详细说明了英飞凌汽车级IGBT针对汽车应用做出的改进 1.简介混合动力车中IGBT，相对于传统工业应用，工作环境恶劣，对IGBT长期使用的可靠性提出了更高的要求，针对汽车功率
2018-12-06 09:48:38
模块长期高价回收英飞凌IGBT模块FF300R12KT3_E 300A,1200V,共发射极,用于矩阵开关,双向变换器等 62mm ? 无锡不限量收购回收英飞凌IGBT模块电话151-5220-9946QQ2360670759
2021-02-24 17:06:50
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2021-09-25 18:53:15
千瓦。该模块使用了最新一代 IGBT 芯片 EDT2，此芯片采用汽车级微沟槽栅场终止型技术。该芯片组具有业内标杆的电流密度、同时具备短路能力，并提高了电压等级，以保障逆变器在恶劣环境下可靠地运行。此外
2021-03-27 19:25:05
分立元件构成的IGBT驱动电路
2019-09-24 09:13:35
EconoDUAL3 ?无锡求购英飞凌IGBT模块FF600R12IS4F 600A,1200V,PrimePack2 PrimePack2 ?徐州收购回收英飞凌IGBT模块FF1400R12IP4
2021-09-17 19:23:57
欧元（600 V、20 A）到5.10欧元（1,200 V、40 A）。针对应用而优化的IGBT提高能源效率和改进系统成本，仍然是光伏逆变器、不间断电源（UPS）和焊接系统等传统IGBT应用，以及
2018-12-03 13:47:00
英飞凌IGBT模块FF150R17KE4FF150R12KS4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个
2023-02-07 09:50:06
英飞凌IGBT模块FF200R17KE3英飞凌IGBT模块FF200R17KE3是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n
2023-02-07 09:58:53
FF200R17KE4英飞凌IGBT模块FF150R12KS4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个
2023-02-07 10:42:08
英飞凌IGBT模块FF200R33KF2C是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为电场终止
2023-02-24 14:45:08
FZ800R33KF2CIGBT模块英飞凌FZ800R33KF2C是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层
2023-02-24 14:55:47
Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETUnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列产品，提供业界最佳
2024-02-26 19:40:31
IKQ100N120CH7是英飞凌1200V 100A 带反并联二极管的IGBT单管；主要应用方向：太阳能，逆变器、电池充电等场景；状态：批量供货中特征描述英飞凌知名的TRENCHSTOP™技术带来
2024-12-22 23:01:46
英飞凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飞凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统
2010-01-26 09:22:571239 英飞凌推出性能领先业界的200V和250V OptiMOSTM系列器件，壮大功率MOSFET 产品阵
2010年1月21日，德国Neubiberg讯——英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近
2010-01-26 09:25:271386 英飞凌发布200V和250V OptiMOSTM系列器件，壮大MOSFET阵容
英飞凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用
2010-01-29 08:53:011539 英飞凌科技股份公司推出单片集成逆导二极管的20A 1350V器件，再次扩充逆导（RC） 软开关IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产品组合。新的20A RC-H5是对英飞凌性能领先的RC-H系列的扩展，重点关注感应加热应用的系统效率和高可靠性要求。
2014-02-24 14:42:251110 2014年12月2日，慕尼黑讯——英飞凌科技股份有限公司针对大功率应用扩大分立式 IGBT 产品组合，推出新型 TO-247PLUS 封装，可满足额定电流高达 120A 的 IGBT封装，并在相同的体积和引脚内装有满额二极管作为 JEDEC 标准TO-247-3。
2014-12-02 11:12:049179 英飞凌推出全新可控逆导型IGBT芯片，可提高牵引和工业传动等高性能设备的可靠性
2015-06-24 18:33:292863 
基于最新的微沟道沟槽栅芯片技术，英飞凌推出全新1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 ，针对工业电机驱动应用进行芯片优化，实现更高功率密度与更优的开关特性。
2018-06-21 10:10:4413292 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations推出适合额定电压750V IGBT的汽车级SID1181KQ SCALE-iDriver™门极驱动器。继推出1200V SID1182KQ驱动器IC之后，新器件扩展了公司的汽车级驱动器IC的范围。
2020-01-16 09:31:003482 LT1812：3 mA、100 MHz、750V/µs运算放大器，带关断数据表
2021-05-21 08:14:41
1 RH1814M：四路3 mA、100 MHz、750V/µs运算放大器产品手册
2021-05-24 19:56:322 近日，东芝新推出了一款额定值为1350V／30A的分立IGBT——GT30N135SRA，扩充了其IGBT产品阵容。新产品主要适用于采用AC200V输入电压谐振电路的家用电器，例如IH电磁炉、IH
2021-08-16 16:33:164212 
英飞凌推出了一款车规级基于EDT2技术及EasyPACK™ 2B半桥封装的功率模块，这款模块具有更高的灵活性及可扩展性。
2021-10-12 09:34:452728 英飞凌科技股份公司于近日推出了一款车规级基于EDT2技术及EasyPACK™ 2B半桥封装的功率模块，这款模块具有更高的灵活性及可扩展性。根据逆变器的具体条件，这款750V的模块最大可以支撑50kW
2021-11-19 12:36:0434 英飞凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列，旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。
2022-03-14 17:39:162199 
APEC 2022 – 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今天宣布推出内部集成750V PowiGaN™氮化镓开关
2022-03-22 12:44:091730 450/750V及以下橡皮绝缘电缆，实验方法和标准
2022-07-31 09:15:122 UnitedSiC（现为Qorvo）扩展了其突破性的第4代 SiC FET产品组合, 通过采用TO-247-4引脚封装的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面贴装封装
2022-08-01 12:14:082356 (ASEMI)英飞凌AIGW40N65H5汽车级IGBT规格书免费下载。
2022-10-17 16:35:186 被Qorvo收购）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封装。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅场效应晶体管（SiC FET），借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗、在更高
2022-10-27 16:33:291632 英飞凌IGBT 英飞凌IGBT模块电气性能绝佳且可靠性最高，在设计灵活性上也丝毫不妥协 我们的产品组合包括不同的先进IGBT功率模块产品系列，它们拥有不同的电路结构、芯片配置和电流电压等级，适用于
2023-02-16 16:30:582132 英飞凌AIGW40N65H5汽车级IGBT参数：
型号：AIGW40N65H5
脉冲集电极电流（ICpuls）：120A
功耗（Ptot）：250W
工作结温度（Tvj）：-40 ~ 175
2023-02-24 09:37:510 来源：Qorvo 近日，全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo® 宣布，将展示一种全新的无引线表面贴装 (TOLL) 封装技术，其高性能具体表现在：750V SiC FET 拥有全球最低
2023-03-22 16:13:201191 布的 750V SiC FETs 产品系列中的首发产品，其导通电阻范围从 5.4 mΩ 到 60 mΩ。这些器件非常适用于受空间限制的应用场景，如从几百瓦到千万瓦的交流 / 直流电源以及高达 100A 的固态
2023-04-11 15:55:091329 上海陆芯电子科技有限公司拥有最新一代TrenchField-Stop技术的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-24 17:11:101475 
上海陆芯电子科技有限公司拥有最新一代TrenchField-Stop技术的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-24 17:07:021868 上海陆芯电子科技有限公司拥有最新一代TrenchField-Stop技术的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-24 17:03:092116 新品120-200A750VEDT2工业级分立IGBT120-200A750VEDT2工业级分立IGBT，采用可回流焊，电阻焊的TO-247PLUSSMD封装产品型号
2023-05-18 09:41:312383 
森国科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。
2023-07-26 17:34:131043 
、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高压IGBT，适用于高效能和高可靠性的应用。它具有1200V的电压额定值和40A的电流额定值，能够提供低导通
2023-08-25 16:58:534679 
电子发烧友网为你提供ADI(ADI)RHH1814M: 3mA、100MHz、750V/μ业务扩增数据表相关产品参数、数据手册，更有RHH1814M: 3mA、100MHz、750V/μ业务扩增
2023-10-08 16:00:48
国内各家（英飞凌、安森美）车载IGBT的产品性能上的对比情况车载IGBT分为几个层级，主要分为A0/A00级以下，A级车，还有一些专用车例如物流和大巴车。在2015年以前是没有IGBT车规级的说法
2023-11-23 16:48:002382 
深圳市至信微电子有限公司（简称：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功举办了2024新品发布暨代理商大会。此次大会上，至信微发布了一系列行业领先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ两款产品。
2024-01-16 15:45:171702 英飞凌近期发布了搭载第五代人机界面（HMI）技术的新型汽车可编程SoC，以及汽车和工业级750V G1离散SiC MOSFET，这两项新产品的发布进一步巩固了英飞凌在半导体领域的领先地位。
2024-03-08 10:52:191341 英飞凌最近发布了全新的750VG1分立式CoolSiC™MOSFET，满足工业和汽车领域对更高能效和功率密度的不断增长需求。这款产品系列包含了专为图腾柱PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥
2024-03-15 16:31:451256 
电子发烧友网站提供《1200V 15A沟槽和场阻IGBT JJT15N120SE数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 15:23:450 电子发烧友网站提供《1200V 25A沟槽和场阻IGBT JJT25N120SE数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 16:59:080 电子发烧友网站提供《1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120HE数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 17:11:310 电子发烧友网站提供《1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120SE数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 17:14:080 电子发烧友网站提供《1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120UE数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 17:16:100 电子发烧友网站提供《1200V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N120HA数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 18:02:380 电子发烧友网站提供《1200V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N120SA数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 18:05:173 英飞凌科技近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC™ MOSFET，针对图腾柱
2024-04-19 14:45:26788 
贝茵凯本次展出的是第七代750V275A车规级硅基IGBT芯片——B75V28A99ST7，额定电压达750V，额定电流275A，适用于生产550A-950A的车规级IGBT模块。
2024-04-29 16:56:111186 英飞凌科技近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC™ MOSFET，针对图腾柱
2024-05-31 15:29:19580 
的基于英飞凌IGBT7技术的新一代高功率密度2MW储能变流器PCS，使用英飞凌最新的EconoDUAL3封装的750
2024-06-14 08:14:242480 
DC1500V转750V DC/DC直流变换器（DCDC转换器或DCDC隔离模块电源）是一种电力电子设备，用于将1500V的直流电压转换为750V的直流电压。以下是对该设备的详细解析： 一、设备概述
2024-11-19 17:02:591749 
。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飞凌20多年的SiC经验。它在性能、可靠性和坚固性方面都具有优势，并具有栅极驱动灵活性，从而简化了系统设计，提高了成本效益，实现了最高的效率和功率
2024-12-20 17:04:511010 ，以新一代750V车规级芯片为核心，再次刷新了车用IGBT模块的性能标准。 Mini Z3功率模块不仅继承了中恒微半导体在IGBT技术领域的深厚积累，更在性能上实现了显著的提升。其采用的750V新技术车规级芯片，不仅大幅提高了模块的电压承受能力，更在
2024-12-26 13:56:071002 JL3I200V65RE2PN为650V /200A INPC三电平逆变模块，采用沟槽栅场终止技术IGBT7芯片，带热敏电阻（NTC）和可选 PressFIT压接针脚技术。
2025-01-16 14:16:081127 新品QDPAKTSC顶部散热封装工业和汽车级CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一个高度可靠的SiCMOSFET系列，具有最佳的系统性
2025-01-17 17:03:271225 英飞凌车规级IGBT功率模块FF300R08W2P2_B11A，这款750V模块是英飞凌著名的“EasyPACK™”产品家族中的最新成员，它基于EDT2技术，封装形式为EasyPACK™ 2B半桥
2025-02-20 17:52:392921 
陆芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT单管，产品型号为YGK40N120TMA1。
2025-03-11 16:17:25901 
英飞凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬电距离 采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
2025-03-15 18:56:321136 。英飞凌发布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片，特别针对400V和800V电动汽车架构的电驱动系统。其EDT3系列模块适用于750V和1200V的电力系统，相
2025-05-06 14:08:48716 
陆芯科技正式推出1200V40A Gen3的IGBT单管，产品型号为AU40N120T3A5。产品采用LUXIN FS-Trench Gen3平台，PitchSize 1.6um，TO247封装。
2025-05-27 12:04:171070 
英飞凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有业界领先的抗寄生导通能力和成熟的栅极氧化层技术，可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬开关拓扑中实现卓越性能。
2025-06-20 14:44:26971 新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工业级与车规级碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET凭借成熟的栅极氧化层技术，在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。该器件在图腾柱
2025-07-28 17:06:08842 探索英飞凌最新120V沟槽功率MOSFET技术：从原理到应用 在电子工程领域，功率MOSFET技术的不断创新推动着各类电力电子设备向更高效率、更高功率密度和更高系统可靠性迈进。英飞凌作为行业的领军者
2025-12-20 10:35:06518
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