0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

陆芯:IGBT模块 LGM200HF120S4F1A 1200V 200A 半桥 用于ups 储能 焊机等

深圳市致知行科技有限公司 2022-05-24 17:07 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

上海陆芯电子科技有限公司拥有最新一代Trench Field-Stop技术的400V 200A~400A系列IGBT、650V 5A~200A系列IGBT、1200V&1350V 10A~100A系列IGBT,1700V系列IGBT,Hybrid系列IGBT,中压SGT MOS等多个系列产品;性能优异,可靠性和稳定性高,广泛应用于新能源电动汽车、电机驱动领域、高频电源领域、感应加热等领域。

上海陆芯的产品(IGBT、Hybrid、SGT MOS、FRD)包括芯片、单管和模块,具有以下技术优势:

1.优化耐压终端环,实现IGBT高阻断电压,达到工业级和汽车级可靠性标准;

2.控制少子寿命,优化饱和压降和开关速度,实现安全工作区(SOA)和短路电流安全工作区SCSOA性能最优;

3.改善IGBT有源区元胞设计可靠性,抑制IGBT的闩锁效应;

4.调节背面减薄、注入、退火、背金等工艺;实现60um~180um晶圆厚度的大规模量产。

63803d8a-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.jpg

63a7dc50-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.jpg

IGBT模块Module


LGM200HF120S4F1A 1200V 200A 半桥

用于:UPS 工业变频储能 焊机

64191d34-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.png

64716de0-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.png

64c94736-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.png

65122636-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.png

6563cd7e-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.png

65ebb5cc-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.png

665c1ec0-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.jpg

66d13d2c-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.jpg

670724b4-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.jpg

67347c8e-dac7-11ec-b80f-dac502259ad0.jpg

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • UPS
    UPS
    +关注

    关注

    23

    文章

    1393

    浏览量

    96353
  • IGBT
    +关注

    关注

    1293

    文章

    4466

    浏览量

    265267
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    新品 | 1200V 62mm IGBT 7模块产品线扩充

    新品1200V62mmIGBT7模块产品线扩充英飞凌推出1200V62mm
    的头像 发表于 05-07 17:04 2637次阅读
    新品 | <b class='flag-5'>1200V</b> 62mm <b class='flag-5'>IGBT</b> 7<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>桥</b><b class='flag-5'>模块</b>产品线扩充

    安森美IGBT模块NXH800H120L7QDSG的技术剖析

    NXH800H120L7QDSG是一款额定电压为1200V、电流为800AIGBT功率
    的头像 发表于 04-23 16:20 334次阅读

    Onsemi SNXH800H120L7QDSGIGBT模块:高效可靠之选

    SNXH800H120L7QDSG是一款额定电压为1200V、电流为800AIGBT功率
    的头像 发表于 04-23 16:05 220次阅读

    安森美1200V、40A IGBT:FGH4L40T120LQD的技术剖析

    安森美1200V、40A IGBT:FGH4L40T120LQD的技术剖析 在电力电子领域,IGBT(绝缘栅双极晶体管)一直扮演着至关重要的
    的头像 发表于 04-22 17:15 544次阅读

    FGY40T120SMD:1200 V、40 A场截止沟槽IGBT技术解析

    FGY40T120SMD:1200 V、40 A场截止沟槽IGBT技术解析 在电子工程领域,IGBT
    的头像 发表于 04-22 14:50 215次阅读

    Onsemi FGY75T120SQDN 1200V 75A超场截止IGBT深度解析

    Onsemi FGY75T120SQDN 1200V 75A超场截止IGBT深度解析 在电子工程师的日常设计工作中,绝缘栅双极晶体管(IGBT
    的头像 发表于 04-22 14:25 314次阅读

    深入解析PCGA200T65NF8 650V200A场截止沟槽IGBT

    深入解析PCGA200T65NF8 650V200A场截止沟槽IGBT 在电子工程领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为一种关键的功率半
    的头像 发表于 04-21 17:40 1146次阅读

    新品 | 系统EconoPACK™ 3 TRENCHSTOP™ IGBT 1200V H7模块

    新品系统EconoPACK3TRENCHSTOPIGBT1200VH7模块两款新型EconoPACK3B模块采用
    的头像 发表于 03-30 17:06 2400次阅读
    新品 | <b class='flag-5'>储</b><b class='flag-5'>能</b>系统EconoPACK™ 3 TRENCHSTOP™ <b class='flag-5'>IGBT</b> <b class='flag-5'>1200V</b> H7<b class='flag-5'>模块</b>

    基于SiC模块的工商业能变流器(PCS)设计验证工程

    设计难点在于系统必须具备处理 100% 不平衡负载和中性线(N线)大电流的能力。 结合基本半导体 1200V/240A SiC 模块 (
    的头像 发表于 02-27 21:16 358次阅读
    基于SiC<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>桥</b><b class='flag-5'>模块</b>的工商业<b class='flag-5'>储</b>能变流器(PCS)设计验证工程

    2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V栅极驱动器的卓越之选

    2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V栅极驱动器的卓越之选 在电力电子领域,对于
    的头像 发表于 12-20 11:30 1993次阅读

    2ED1324S12P/2ED1323S12P:1200V栅极驱动器的卓越之选

    2ED1324S12P/2ED1323S12P:1200V栅极驱动器的卓越之选 在电子工程师的日常工作中,选择合适的栅极驱动器至关重要。
    的头像 发表于 12-20 11:15 2083次阅读

    SLM2015CA-DG 160V/200V高速驱动芯片的卓越解决方案

    160V/200V以下的功率应用提供了优秀的解决方案。芯片在开关速度、驱动能力和系统可靠性方面的精心优化,使其成为工业控制、电源转换和新能源领域的理想选择。 #SLM2015 #
    发表于 11-26 08:20

    基于onsemi EVBUM2880G-EVB评估板的1200V SiC MOSFET模块设计与应用

    onsemi EVBUM2880G-EVB评估板设计用于评估1200V M3S2包F1封装
    的头像 发表于 11-24 14:43 750次阅读
    基于onsemi EVBUM2880G-EVB评估板的<b class='flag-5'>1200V</b> SiC MOSFET<b class='flag-5'>模块</b>设计与应用

    ‌TE Connectivity HPC 200A连接器技术解析与应用指南

    通过单极200A/1500V大电流连接器,TE Connectivity (TE) 的 HPC 200A连接器提供一种高安全性和可靠性的电池
    的头像 发表于 11-09 11:44 1198次阅读

    XM3电源模块系列CREE

    CAB320M17XM3XM1700 V320 A3.5 mΩGen 3175 °C80 x 53 x 19 mm工业 CAB400M12XM3XM
    发表于 09-11 09:48