0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

新品 | 750V 8mΩ CoolSiC™ MOSFET

英飞凌工业半导体 2024-12-20 17:04 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

新品

750V 8mΩ CoolSiC MOSFET

77a3ef0c-beb1-11ef-9434-92fbcf53809c.png

采用TO-247-4封装的新型CoolSiC MOSFET 750V G1是高度坚固的SiC MOSFET,具有最佳的系统性能和可靠性。CoolSiC MOSFET 750V充分利用了英飞凌20多年的SiC经验。它在性能、可靠性和坚固性方面都具有优势,并具有栅极驱动灵活性,从而简化了系统设计,提高了成本效益,实现了最高的效率和功率密度。

产品型号:

AIMZA75R008M1H

■IMZA75R008M1H

产品特点

高度可靠的750V技术

同类最佳RDS(on)xQfr

优秀的RonxQoss和RonxQG

低Crss和Ciss,高VGSth

100%雪崩测试

.XT互联技术可实现同类最佳的散热性能

应用价值

出色的硬开关效率

实现更高的开关频率

更高的可靠性

可承受超过500V的母线电压

抵御寄生导通能力

单电源驱动

竞争优势

更强的坚固性,可承受超过500V的母线电压

同类最佳FoM

独特的扩散焊接技术

超低Ron

应用领域

工业

单相组串逆变器解决方案

用于电信基础设施的交流-直流电源变换

储能系统

电动汽车充电

服务器电源

汽车

电动汽车车载电池充电器

用于电动汽车的高压直流-直流转换器

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 英飞凌
    +关注

    关注

    68

    文章

    2443

    浏览量

    142282
  • MOSFET
    +关注

    关注

    150

    文章

    9410

    浏览量

    229473
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    32

    文章

    3500

    浏览量

    68044
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    新品 | 第二代CoolSiCMOSFET G2 750V - 工业级与车规级碳化硅功率器件

    新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工业级与车规级碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET凭借成熟的栅极氧化层技术,在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。该器件在图腾柱
    的头像 发表于 07-28 17:06 758次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | 第二代<b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ <b class='flag-5'>MOSFET</b> G2 <b class='flag-5'>750V</b> - 工业级与车规级碳化硅功率器件

    新品 | 采用ThinTOLL 8x8封装的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ,33mΩ产品

    新品采用ThinTOLL8x8封装的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ,33mΩ产品第二代CoolSiCMOSFET6
    的头像 发表于 07-08 17:08 909次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用ThinTOLL <b class='flag-5'>8x8</b>封装的<b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ 650<b class='flag-5'>V</b> G2 SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>新增26<b class='flag-5'>m</b>Ω,33<b class='flag-5'>m</b>Ω产品

    新品 | 650V CoolMOS™ 8超结 (SJ) MOSFET

    新品650VCoolMOS8超结(SJ)MOSFET英飞凌推出全新650VCoolMOS8引领全球高压超结SJMOSFET技术,为行业技术和性价比树立了全球标准。该系列为高功率应用提供
    的头像 发表于 07-04 17:09 905次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | 650<b class='flag-5'>V</b> CoolMOS™ <b class='flag-5'>8</b>超结 (SJ) <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiCMOSFET 750 V G2,适用于汽车和工业功率电子应用

    MOSFET 750 V G2。这款新型CoolSiCMOSFET 750
    发表于 07-02 15:00 1547次阅读
    英飞凌推出具有超低导通电阻的<b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>750</b> <b class='flag-5'>V</b> G2,适用于汽车和工业功率电子应用

    新品 | 采用D2PAK-7封装的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET

    新品采用D2PAK-7封装的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引脚封装(TO-263-7),该系列导通电阻(RDS
    的头像 发表于 07-01 17:03 1242次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用D2PAK-7封装的<b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ 650<b class='flag-5'>V</b> G2 SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    英飞凌新一代750V SiC MOSFET产品亮点

    英飞凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有业界领先的抗寄生导通能力和成熟的栅极氧化层技术,可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬开关拓扑中实现卓越性能。
    的头像 发表于 06-20 14:44 874次阅读

    新品 | 英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块

    新品英飞凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模块英飞凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半桥模块,增强型1代
    的头像 发表于 06-10 17:06 1203次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | 英飞凌EconoDUAL™ 3 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b> 1200<b class='flag-5'>V</b>模块

    新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模块

    新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模块英飞凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半桥和三电平模块采用CoolSiCSiCMOSFET增强型1代
    的头像 发表于 06-03 17:34 834次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用高性能DCB的Easy B系列<b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ 2kV SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>模块

    新品 | 采用顶部散热 Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

    新品采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC1200VSiCMOSFET单管,专为各种工业应用开发,包括工业驱动
    的头像 发表于 05-29 17:04 985次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用顶部散热 Q-DPAK封装的 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ 1200<b class='flag-5'>V</b> G2 SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    新品 | 采用顶部散热QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半桥产品

    新品采用顶部散热QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半桥产品英飞凌采用顶部散热QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半桥产品,专为各种工业应用开发,包括工业
    的头像 发表于 05-27 17:03 1140次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用顶部散热QDPAK的<b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ 1200<b class='flag-5'>V</b> G2 SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>半桥产品

    基本半导体推出新一代碳化硅MOSFET

    近日,基本半导体正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品,产品性能进一步提升,封装形式更加丰富。首发规格包括面向车用主驱等领域的1200V/13.5mΩ、
    的头像 发表于 05-09 11:45 945次阅读
    基本半导体推出新一代碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>

    英飞凌第二代 CoolSiCMOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬电距离

    英飞凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬电距离 采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiC
    的头像 发表于 03-15 18:56 1044次阅读

    新品 | 采用CoolSiCMOSFET的7.5kW电机驱动器评估板

    新品采用CoolSiCMOSFET的7.5千瓦电机驱动器评估板EVAL-FS33MR12W1M1HM5是采用33mΩ1200V碳化硅MOSFET
    的头像 发表于 03-11 17:03 1178次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用<b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ <b class='flag-5'>MOSFET</b>的7.5kW电机驱动器评估板

    新品 | QDPAK TSC顶部散热封装工业和汽车级CoolSiCMOSFET G1 8-140mΩ 750V

    新品QDPAKTSC顶部散热封装工业和汽车级CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一个高度可靠的SiCMOSFET系列,具
    的头像 发表于 01-17 17:03 1143次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | QDPAK TSC顶部散热封装工业和汽车级<b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ <b class='flag-5'>MOSFET</b> G1 <b class='flag-5'>8-140m</b>Ω <b class='flag-5'>750V</b>

    中恒微发布Mini Z3功率模块:750V新技术车规级芯片引领新能源变革

    ,以新一代750V车规级芯片为核心,再次刷新了车用IGBT模块的性能标准。 Mini Z3功率模块不仅继承了中恒微半导体在IGBT技术领域的深厚积累,更在性能上实现了显著的提升。其采用的750V新技术车规级芯片,不仅大幅提高了模块的电压承受能力,更在
    的头像 发表于 12-26 13:56 934次阅读