新品
750V 8mΩ CoolSiC MOSFET

采用TO-247-4封装的新型CoolSiC MOSFET 750V G1是高度坚固的SiC MOSFET,具有最佳的系统性能和可靠性。CoolSiC MOSFET 750V充分利用了英飞凌20多年的SiC经验。它在性能、可靠性和坚固性方面都具有优势,并具有栅极驱动灵活性,从而简化了系统设计,提高了成本效益,实现了最高的效率和功率密度。
产品型号:
■AIMZA75R008M1H
■IMZA75R008M1H
产品特点
高度可靠的750V技术
同类最佳RDS(on)xQfr
优秀的RonxQoss和RonxQG
低Crss和Ciss,高VGSth
100%雪崩测试
.XT互联技术可实现同类最佳的散热性能
应用价值
出色的硬开关效率
实现更高的开关频率
更高的可靠性
可承受超过500V的母线电压
抵御寄生导通能力
单电源驱动
竞争优势
更强的坚固性,可承受超过500V的母线电压
同类最佳FoM
独特的扩散焊接技术
超低Ron
应用领域
工业
■ 单相组串逆变器解决方案
■ 用于电信基础设施的交流-直流电源变换
■ 储能系统
■ 电动汽车充电
■ 服务器电源
汽车
■电动汽车车载电池充电器
-
英飞凌
+关注
关注
68文章
2443浏览量
142282 -
MOSFET
+关注
关注
150文章
9410浏览量
229473 -
SiC
+关注
关注
32文章
3500浏览量
68044
发布评论请先 登录
新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 750V - 工业级与车规级碳化硅功率器件
新品 | 采用ThinTOLL 8x8封装的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ,33mΩ产品
新品 | 650V CoolMOS™ 8超结 (SJ) MOSFET
英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiC™ MOSFET 750 V G2,适用于汽车和工业功率电子应用
新品 | 采用D2PAK-7封装的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET
英飞凌新一代750V SiC MOSFET产品亮点
新品 | 英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块
新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模块
新品 | 采用顶部散热 Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET
新品 | 采用顶部散热QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半桥产品
英飞凌第二代 CoolSiC™ MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬电距离
新品 | 采用CoolSiC™ MOSFET的7.5kW电机驱动器评估板
新品 | QDPAK TSC顶部散热封装工业和汽车级CoolSiC™ MOSFET G1 8-140mΩ 750V

新品 | 750V 8mΩ CoolSiC™ MOSFET
评论