芯闻速递 | 英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列；Ekkono简化AURIX™系列嵌入式AI过程

英飞凌科技近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC™ MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化。这些MOSFET适用于典型的工业应用（包括电动汽车充电、工业驱动器、太阳能和储能系统、固态断路器、UPS系统、服务器/数据中心、电信等）和汽车领域（包括车载充电器（OBC）、直流-直流转换器等）。

CoolSiC™ MOSFET 750V QDPAK

CoolSiC™ MOSFET 750 V G1技术的特点是出色的RDS(on) x Qfr和卓越的RDS(on) x Qoss优值（FOM），在硬开关和软开关拓扑结构中均具有超高的效率。其独特的高阈值电压（VGS(th)，典型值为4.3 V）与低QGD/QGS比率组合具有对寄生导通的高度稳健性并且实现了单极栅极驱动，不仅提高了功率密度，还降低了系统成本。所有半导体器件均采用英飞凌的自主芯片连接技术，在同等裸片尺寸的情况下赋予芯片出色的热阻。高度可靠的栅极氧化层设计加上英飞凌的认证标准保证了长期稳定的性能。

全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列在25°C时的RDS(on)为8至140 mΩ，可满足广泛的需求。其在设计上具有较低的传导和开关损耗，大幅提升了整体系统效率。创新的封装更大程度地减少了热阻、帮助改善散热并优化电路内功率环路电感，在实现高功率密度的同时降低了系统成本。值得一提的是，该产品系列采用了先进的QDPAK顶部冷却封装。

供货情况

适用于汽车应用的CoolSiC™ MOSFET 750 V G1采用 QDPAK TSC、D2PAK-7L 和 TO-247-4 封装；适用于工业应用的CoolSiC™ MOSFET 750 V G1采用QDPAK TSC和TO-247-4封装。

Ekkono边缘机器学习简化了在英飞凌AURIX™ TC3x和TC4x上为汽车应用部署AI的过程

不同汽车的独特性给汽车零部件供应商和OEM厂商等带来了挑战，因为每辆车的驾驶方式、驾驶地点、驾驶者、设计、用途以及道路和交通状况都是独一无二的。为保证每辆汽车都能正常运行并达到出色运行状态，需要掌握并管理汽车及其状况。英飞凌科技AURIX™ 微控制器（MCU）系列所提供的先进实时计算硬件适用于安全关键型汽车应用中的嵌入式AI等用例。为了充分利用这些强大的功能，英飞凌生态系统合作伙伴Ekkono Solutions推出了一款简单易用且快速有效的软件开发套件（SDK）为基于AURIX™ TC3x和TC4x的嵌入式系统创建AI算法。

英飞凌AURIX™ TC4x

Ekkono首席技术官兼联合创始人 Rikard König 表示：“我们从2019 年开始成为英飞凌生态系统合作伙伴。现在，我们拥有了一个能够满足汽车行业需求的成熟解决方案。英飞凌是汽车高性能MCU领域的领导者之一，我们非常荣幸能与英飞凌在这个市场携手并进。”

英飞凌科技汽车微控制器高级副总裁Thomas Boehm表示：“人工智能正在兴起。这项技术无疑将在未来的交通解决方案中发挥重要作用。英飞凌最新的AURIX™微控制器为客户项目提供各种AI功能。因此，我们十分高兴能和Ekkono携手进一步简化基于AI的汽车应用的开发工作。我们相信这些应用不仅能带来便利，还能加强道路安全保障。”

Ekkono Solutions AB可在边缘（即车辆启动时和运行期间）执行单独的增量学习。这使虚拟传感器能够增强或取代用于气候控制、电池管理和排放的物理传感器；使健康指示器能够检测变速器、齿轮箱和制动系统的偏差，实现视情维护；以及通过模拟确定每辆汽车最佳传动系统的设置。这让每个部件和每辆汽车都变得更佳、更可靠、更节能。

为满足汽车市场的需求，Ekkono 已根据英飞凌的 AURIX™内核和加速器调整其 SDK。开发者无需在硬件层面做出任何进一步调整，即可使用 AURIX™ TC3x 和 TC4x 的先进功能训练和生成AI算法，尤其适用于安全关键型汽车应用。这种嵌入式人工智能使汽车能够感知情境，“理解”其所处环境以及驾驶员的需求，这是实现自动驾驶等未来应用的关键条件。

审核编辑 黄宇