英飞凌IGBT模块FF150R17KE4
FF150R12KS4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为电场终止（fieldstop），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还可扩展系列产品的功率范围。硅片结温可高达175℃，运行温度可达150℃。低损耗，FF150R12KS4 IGBT模块具有低EMI噪声，高可靠性，高运行结温等优点。主要应用在100KW光伏逆变器，电机驱动，电源等领域。
技术参数：
• Ic(A),Tc=80℃ 150
• Vce(sat),Max(V) 2.3
• Ton(us) 0.31
• Toff(us) 0.95
• Rth(j-c),K/W 0.135
• Pc(W) 1100
• 封装 62mm
• 电路结构 半桥
性能概要：
• 提高工作温度T(vj op)
• 无可比拟的耐用性
• V（CESAT）具有正温度系数
• 低V（CESAT）
• 4KV AC 1分钟绝缘
• CTI>400
• 高爬电距离和电气间隙
• 隔离底板
• 标准封装
优点：
• 灵活性
• 最佳的电气性能
• 最高的可靠性
目标应用：
• 电机控制和驱动
• 风能系统解决方案
高能效组件和子系统的系统的高可靠性
• 太阳能系统解决方案
对于完整的太阳能电力解决方案的主导产品
• 牵引
