TRENCHSTOP™ IGBT7模块。凭借这项全新的芯片技术,EconoDUAL 3模块可提供业界领先的900 A和750 A额定电流,进一步拓展逆变器的功率范围。该模块可广泛应用于风电、电机驱动和静态无功发生器
2022-05-30 15:10:15
4676 
英飞凌科技股份公司近日宣布推出满足汽车行业的动力总成和安全应用的各种要求的全新32位多核单片机系列。
2012-05-22 09:33:13
4714 英飞凌科技股份有限公司扩展其第叁代逆导 (RC) 软切换绝缘闸双极性电晶体 (IGBT) 产品系列,推出 30A和40A电流的1200V 和1350V型产品,以因应市场对高可靠性的持续需求。
2012-10-24 09:14:36
1485 英飞凌推出具备整合诊断功能的智慧型电源开关 英飞凌科技股份有限公司针对24V 工业控制及自动化应用,推出第二代 ISOFACE电气隔离8通道高压侧开关。全新ISO2H823V 整合广泛的诊断功能
2012-11-13 14:25:30
3437 英飞凌科技宣布推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT。该器件专门针对分立式汽车牵引逆变器进行了优化,进一步丰富了英飞凌车规级分立式高压器件的产品阵容。
2022-03-21 14:14:04
2272 
IGBT英飞凌的模块,用着怎么样啊,求指导。
2018-04-17 15:27:54
与可控硅整流焊机相比省电多少IGBT逆变焊机与其他类焊机的区别一、与可控硅整流焊机的区别 1、可控硅整流焊机是将50HZ的交流电整流成直流电输出,通过改变可控硅的导通角来改变输出大小,输出波形..一
2012-07-09 14:14:57
目录 IGBT和MOS管的区别:IGBT和可控硅的区别:IGBT驱动电路设计:1、IGBT驱动电路的设计2、IGBT驱动器的选择3、IGBT驱动电路的设计IGBT和MOS管的区别: IIGBT
2021-09-09 08:05:31
二极管本器件采用了最新的半导体技术[1、2]:IGBT4和EmCon4二极管。英飞凌推出的全新1200V IGBT4系列,结合改进型发射极控制二极管,针对高中低功率应用提供了三款产品,可面向不同应用满足
2018-12-07 10:23:42
如图所示,现在的问题是IGBT的门极给的是15V驱动电压,Vce=27V,为什么导通之后负载对地的电压只有9.7V,在IGBT上的压降很大,怎么才能解决这个问题
2016-10-16 17:07:46
二极管和IGBT在一个开关周期内轮流进行导通。 2、逆变全桥拓扑特性 针对逆变拓扑分析首先需要认定以下几个特性: 特性一:由于50Hz频率内的正负周期对称性,认为上下开关管的热模型一致,电压和电流导致
2023-02-24 16:47:34
`可控硅是指可控什么呢?控制电流还是电压?IGBT是可控硅吗?可控硅和一般桥式整流器有什么区别?`
2011-08-13 17:08:12
我在做软开关,使用的是英飞凌IGBT:BSM150GB60DLC,在大负载时驱动波形会有振荡现象,有个别大神说可能是IGBT问题,有用过这个信号的大神吗?这个管子怎么样?
2019-03-14 16:50:48
英飞凌IGBT参数中文版搞电源变频器电焊机 必备资料
2019-02-09 21:33:19
[tr][td]英飞凌IGBT应用常见问题解答1.IGBT模块适用于哪些产品?2.Easy系列模块电压/电流/功率范围?3.Easy系列有哪几种封装?........总共23个问题,,已经有此资料
2018-12-13 17:16:13
山东等地大量回收IGBT模块电话151-5220-9946微信同步QQ2360670759山东地区回收IGBT模块,公司专业回收西门康模块,求购英飞凌模块,大量回收富士模块,高价回收三菱模块,功率
2021-09-12 18:03:24
并且开关速度快的IGBT,英飞凌公司开发的第四代IGBT—T4能很好地满足这一要求,本文主要介绍T4芯片及其在软开关逆变焊机中的应用。关键词:IGBT, T4, 软开关,逆变焊机 中图分类号
2018-12-03 13:47:57
ASIC芯片SCALE和SCALE-2技术: 脉冲变压器和DC/DC技术: CONCEPT产品概览- 内置SCALE和SCALE-2芯片集的IGBT门极驱动内核即插即用型内置SCALE
2018-12-14 09:45:02
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑
常见的逆变焊机有mos管逆变焊机,igbt逆变焊机,可控硅逆变焊机等等。可控硅焊机是指机器内使用可控硅的电焊机,(因为可控硅逆
2012-07-09 14:12:10
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 编辑
常见的逆变焊机有mos管逆变焊机,igbt逆变焊机,可控硅逆变焊机等等。可控硅焊机是指机器内使用可控硅的电焊机,(因为可控硅逆
2012-07-09 10:21:16
都很高,同时芯片边缘由于晶格损伤和应力会引起较大的漏电流,所以普通IGBT不具备反向阻断能力(一般只有40V左右)。 逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)是一种新型的IGBT器件,它是将
2020-12-11 16:54:35
山东省IGBT模块回收济南市回收可控硅太仓南通江苏黄山回收英飞凌三菱富士安川IGBT模块 电话151-5220-9946 QQ 2360670759南京回收富士IGBT模块/英飞凌可控硅/ 三菱
2021-12-02 17:55:00
供应英飞凌的模块,IGBT,***
2017-06-06 18:09:32
大量回收INFINEON英飞凌IGBT模块 收购INFINEON英飞凌IGBT模块电话151-5220-9946 QQ 23606570759 ,本公司长期回收英飞凌IGBT,回收富士IGBT,回收三菱IGBT,回收功率模块,回收个人剩余IGBT模块,回收项目多余IGBT,回收全新IGBT,收购全部
2021-12-12 17:47:34
请教大家一个问题:最近在做一个200kVA的变频电源项目,输入380V。前级是不可控整流,后级用1000A的IGBT组成三相逆变桥,IGBT的缓冲电路选用RCD放电阻止型缓冲电路,但是不知道缓冲电路中的电容和快恢复二极管的耐压选择多大,求指点。
2015-01-21 10:50:55
空穴阻挡层。目前量产的CSTBT将Trench、空穴阻挡层、LPT、透明集电极等多种技术结合在一起,如图 13所示,性能不亚于英飞凌的IGBT4。图 13 CSTBT的结构5.4 逆倒型
2015-12-24 18:23:36
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2021-03-01 15:10:19
、IPM、PIM、可控硅,整流桥模块,快恢复二极管,场效应及驱动电路.品牌三菱安徽省回收IGBT模块,合肥高价回收IGBT模块,芜湖收购英飞凌IGBT模块,回收IPM模块,滁州收购西门康IGBT模块
2021-03-08 17:19:22
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2022-01-01 19:06:43
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2021-01-09 18:20:52
安森美半导新推出高效低能耗Wi-Fi芯片组
2021-01-07 07:39:27
高价回收三菱IGBT模块,回收变频器模块,回收英飞凌模块IGBT,回收IGBT模块可控硅模块,回收晶闸管模块 回收低压熔断器回收西门康IGBT模块回收富士IGBT模块回收伺服驱动电机
2022-02-16 18:26:16
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2022-02-14 17:37:08
手机配件, 回收英飞凌IGBT模块,回收功率模块,回收IGBT模块、IGBT模块是由IGBT与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。电话151-5220-9946 QQ 2360670759
2021-12-16 16:51:05
山东省长期上门收购英飞凌IGBT模块富士IGBT模块日 汇沣科技工控自动化公司提供全国高价回收IGBT模块长期大量回收二手IGBT模块,包括三菱IGBT模块,英飞凌IGBT模块,富士IGBT模块
2022-02-14 17:34:35
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2021-03-04 13:57:12
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2021-05-17 19:54:53
本文从精简结构,同时兼顾精度的角度出发,提出一种基于时间测量芯片TDC-GP2来精确测量IGBT导通延迟时间系统,用于测量IGBT的导通延迟时间,实现简单且成本低的一种较为理想的测量方案。
2021-05-14 06:07:09
IGBT模块回收德国英飞凌模块回收欧派克模块回收EUPEC模块 回收可控硅回收整流桥回收韩国LS模块回收逆变焊机模块回收大封装IGBT小封装IGBT模块回收西门康(赛米控)IGBT回收SEMIKRON功率
2022-01-04 20:52:15
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2021-01-07 14:59:07
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2021-09-16 14:19:49
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2021-12-08 15:57:05
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2021-02-24 17:06:50
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2021-09-25 18:53:15
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2022-01-05 19:33:45
,能够大大改善功率损耗、EMC性能和成本效益。通常,变频器中使用的IGBT采用双芯封装。英飞凌的新型逆导驱动技术将二极管芯片集成在IGBT中(如图2所示)。 图2:IGBT发展而来的垂直结构 单片集成
2018-12-03 13:44:37
各位老师你们好! 前段时间找某经销商买了一批英飞凌的IGBT模块(3300V/400A,管子型号是FZ400R33KL2C);拿回来做双脉冲测试发现管子的导通压降特别大,在100A的时候导通压降大约
2018-07-24 16:38:03
400A,1200V,共发射极,用于矩阵开关,双向变换器等 62mm ?盐城高价回收收购英飞凌IGBT模块FF225R12ME4 225A,1200V,IGBT4,螺栓型 EconoDUAL3 ?上海收购
2021-09-17 19:23:57
电动汽车/混合动力汽车、电磁感应加热和开关模式电源等新兴应用的追求目标。例如,将续流二极管集成至IGBT的晶元设计(图1d),带来了全新的逆导器件(RC-IGBT)。由于总体系统硅成本降低,这些器件成为
2018-12-03 13:47:00
价收购英飞凌IGBT模块回收各种品牌IGBT模块151-5220-9946江工 大量回收拆机IGBT模块 高价回收原装功率模块QQ 2360670759现金回收拆机IGBT模块 高价回收原装IGBT
2020-08-07 14:07:29
高价大量上门回收英飞凌IGBT模块(FF/FZ/BSM/F4系列IGBT模块),功率可控硅,晶闸管,整流桥模块(TT/TZ/TD/DT/TX系列模块)专业焊机IGBT模块,电机控制IGBT模块,变频器IGBT模块电话151-5220-9946 QQ 2360670759
2021-12-16 16:49:08
本文探讨了一种应用于燃料电池发电系统的DC/DC 变换器,该DC/DC 变换器采用电流型结构和逆阻型IGBT。分析了逆阻型IGBT 电流型DC/DC 变换电路的工作原理和参数设计,介绍在燃料
2009-04-03 10:31:54
27 为了改善电流型PFC的性能,本文采用逆阻型IGBT而不是普通IGBT作为功率器件。在三相9kW的PFC样机中,对逆阻型IGBT的静态和动态性能进行了测试,测试结果显示逆阻型IGBT具有较低的通
2009-10-16 09:01:14
38 FF100R12KS4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块,具有沟槽结构,并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层,这个附加层被称为电场终止(fieldstop
2023-01-10 11:29:08
FZ600R12KE4FZ600R12KE4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块,具有沟槽结构,并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层,这个附加层被称为电场
2023-01-12 11:28:56
英飞凌IGBT模块FF150R17KE4FF150R12KS4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块,具有沟槽结构,并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层,这个
2023-02-07 09:50:06
英飞凌IGBT模块FF200R17KE3英飞凌IGBT模块FF200R17KE3是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块,具有沟槽结构,并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n
2023-02-07 09:58:53
FF300R17KE3 IGBT模块FF300R17KE3是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块,具有沟槽结构,并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层,这个附加
2023-02-07 10:50:02
FF450R17ME3英飞凌IGBT模块英飞凌IGBT模块是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块,具有沟槽结构,并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层,这个附加
2023-02-07 13:46:10
FF450R17ME4英飞凌IGBT模块FF450R17ME4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块,具有沟槽结构,并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层,这个
2023-02-07 13:52:10
FZ400R17KE3 英飞凌IGBT模块FZ400R17KE3是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块,具有沟槽结构,并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层
2023-02-07 14:31:30
FZ600R17KE3 IGBT模块FZ600R17KE3是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块,具有沟槽结构,并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层,这个附加
2023-02-07 14:36:09
FZ1200R17KE3FZ1200R17KE3是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块,具有沟槽结构,并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层,这个附加层被称为
2023-02-07 14:38:49
英飞凌IGBT模块FF200R33KF2C是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块,具有沟槽结构,并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层,这个附加层被称为电场终止
2023-02-24 14:45:08
FZ800R33KF2CIGBT模块英飞凌FZ800R33KF2C是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块,具有沟槽结构,并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层
2023-02-24 14:55:47
FF300R06KE3英飞凌igbt模块FF300R06KE3是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块,具有沟槽结构,并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层,这个
2023-02-24 15:28:34
英飞凌发布全新LTE及3G射频芯片SMARTi LU和SMARTi UEmicro
英飞凌(Infineon Technology)宣布推出具备最高传输速率的第二代LTE射频收发器样片──SMARTi
2009-01-27 17:52:51
1888 逆导晶闸管(RCT)
2009-07-16 22:40:54
1647 逆导晶闸管(RCT),逆导晶闸管(RCT)是什么意思
逆导晶闸管(RCT)
2010-03-02 17:14:41
1119 逆导晶闸管(RCT)是什么?
2010-03-03 11:42:19
2301 创新的IGBT内部封装技术
英飞凌推出创新的IGBT内部封装技术。该技术可大幅延长IGBT模块的使用寿命。全新的.XT技术可优化IGBT模
2010-05-11 17:32:47
3227 英飞凌全新.XT技术大幅延长IGBT模块使用寿命
2010年5月6日,德国Neubiberg讯——英飞凌科技股份公司在纽伦堡举行的2010 PCIM欧洲展会(2010年5月4日至6日
2010-05-13 09:16:10
1342 英飞凌RC-D功率开关器件系列在单一芯片上融合了市场领先的英飞凌专有技术TrenchSTOP™ IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和续流二极管,具有很低的开关损耗和传导损耗,并且减小了永磁电机驱
2011-05-31 09:00:42
2070 英飞凌科技推出可信平台模块(TPM)芯片。TPM是谷歌Chromebook的安全架构不可或缺的组成部分。英飞凌成为适合与面向网络应用的全新操作系统结合使用的TPM芯片的首家供应商
2011-08-04 08:45:34
3939 英飞凌科技股份公司推出单片集成逆导二极管的20A 1350V器件,再次扩充逆导(RC) 软开关IGBT(绝缘栅双极型晶体管)产品组合。新的20A RC-H5是对英飞凌性能领先的RC-H系列的扩展,重点关注感应加热应用的系统效率和高可靠性要求。
2014-02-24 14:42:25
1110 英飞凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz〜40kHz开关频率的低损耗1200V耐压IGBT(绝缘栅双极型晶体管)“RC-E系列”(英文发布资料)。新产品在IGBT上集成续流用体二极管
2016-11-14 14:51:36
1744 带逆阻型IGBT的三电平NPC-2功率模块的门极驱动器应用
2017-02-28 23:14:22
3 基于最新的微沟道沟槽栅芯片技术,英飞凌推出全新1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 ,针对工业电机驱动应用进行芯片优化,实现更高功率密度与更优的开关特性。
2018-06-21 10:10:44
13292 GCT大都制成逆导型,与非对称型结构不同,它可与优化的续流二极管FWD单片集成在同一芯片上。穿通型GCT的最小基区厚度与二极管相同,可承受相同的阻断电压。
2019-12-22 10:20:24
5570 英飞凌IGBT 英飞凌IGBT模块电气性能绝佳且可靠性最高,在设计灵活性上也丝毫不妥协 我们的产品组合包括不同的先进IGBT功率模块产品系列,它们拥有不同的电路结构、芯片配置和电流电压等级,适用于
2023-02-16 16:30:58
2132 英飞凌推出采用TO-247PLUS SMD封装的EDT2工业级分立IGBT,采用750V EDT2 IGBT技术,具有最低的导通损耗和开关损耗,这可以使电动商用车的电池电压达到450Vdc
2023-05-19 12:42:27
1227 新品EVAL-IHW65R62EDS06J这块感应加热半桥评估板采用新一代650V逆导型R6系列IGBT和SOI技术的EiceDRIVERIGBT驱动器,产品针对100kHz的谐振开关应用感应
2022-03-01 09:32:40
1608 
igbt和可控硅有什么区别? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)与可控硅(SCR,Silicon Controlled Rectifier)都是功率
2023-08-25 14:57:31
13932 Infineon(英飞凌)作为一家全球领先的半导体解决方案提供商,其IGBT管产品在市场上备受瞩目。下面将介绍英飞凌IGBT管前10热门型号:一、英飞凌IGBT管前10热门型号:1
2023-08-25 16:58:53
4679 
igbt逆变电路工作原理 IGBT逆变电路是一种用于变换直流信号转换为交流信号的电路。它们常用于电力电子设备中,例如交流驱动电机,太阳能光伏发电系统以及电机驱动设备。IGBT逆变电
2023-08-29 10:25:51
8671 路原理 IGBT逆变电路是由IGBT管、反并联二极管、电感、电容等组成的电路。在正常工作时,IGBT管的门级隔离驱动,控制IGBT管的导通和截止,使电路中的电感储存电能,当IGBT管截止时,电感产生的反电动势将使反并联二极管导通,将储存在电感中的电能传递到负载中
2023-08-29 10:25:54
8511 igbt怎样导通和关断?igbt的导通和关断条件 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种晶体管,可以用作开关。IGBT由P型注入区、N型衬底、N型漏源
2023-10-19 17:08:02
26499 电子发烧友网站提供《IGBT单相电压型全桥无源逆变电路.pdf》资料免费下载
2023-11-01 10:06:07
44 为什么逆导型IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC电路
2023-12-01 16:42:02
1217 
英飞凌IGBT单管命名规则
2023-11-23 09:09:35
2305 
英飞凌IGBT模块命名规则
2023-11-23 09:09:36
3093 
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01
1647 
英飞凌IGBT模块封装 英飞凌是一家全球领先的半导体公司,专注于电力管理、汽车和电动汽车解决方案、智能家居和建筑自动化、工业自动化、医疗、安全和物联网等领域。在电力管理领域,英飞凌的IGBT模块
2023-12-07 16:45:21
2367 英飞凌科技发布了其全新SSI系列固态隔离器,这是一款集成了隔离型栅极驱动电源的革命性产品。SSI系列固态隔离器旨在驱动MOS电压驱动型功率晶体管,如CoolMOS™、OptiMOS™、TRENCHSTOP™ IGBT或CoolSiC™,无需额外的专用电源来驱动功率晶体管的栅极。
2024-05-11 11:35:17
1228 可以。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种绝缘栅双极型晶体管,它结合了MOSFET和双极型晶体管(BJT)的优点,具有高输入阻抗、低导通压降、快速开关
2024-07-25 10:52:54
3564 上回书(英飞凌芯片简史)说到,IGBT自面世以来,历经数代技术更迭,标志性的技术包括平面栅+NPT结构的IGBT2,沟槽栅+场截止结构的IGBT3和IGBT4,表面覆铜及铜绑定线的IGBT5等。现今
2025-01-15 18:05:21
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本文推荐一款新洁能生产的逆导型IGBT:NCE15ER135LP。这是一款1350V、TO-3P封装、100℃下额定电流15A的产品。
2025-07-17 09:20:29
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