维安1000V超高耐压，大电流超结MOSFET填补国内空白

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维安1000V超高耐压，大电流超结MOSFET填补国内空白

放眼国内外，现阶段1000V及以上超高耐压大电流MOSFET几乎被进口品牌垄断，且存在价格高，交付周期长等弊端。对此维安(WAYON)面向全球市场，对800V及以上超高压MOS产品进行了大量的技术革新，通过多年的产品技术积累，开发出国内领先的工艺平台，使得WAYON出产的超高压SJ-MOSFET产品封装更小、耐压更高、导通电阻更低，给市场贡献的高功率密度的800V及900V以上的耐压产品填补了国内空白，打破了进口品牌垄断的局面，也降低了客户对国外产品的依存度。

目前高压MOSFET工艺结构主要有垂直双扩散性(VD MOSFET)和超结(Super-Junction)两种，参见如下图1，图2。

图1- VD-MOSFET 结构示意图

图2- SJ-MOSFET 结构示意图

SJ-MOSFET第一篇专利是在1993年，1998年开始商业化量产使用。WAYON 1000V超结工艺产品技术是利用电荷平衡原理实现高耐压的低导通电阻特性。

图3 每mm2 导通电阻和耐压BV曲线

由图3可知平面型工艺VD-MOSFET存在图中蓝色硅极限的技术瓶颈Rdson*A ∝BV2.5。要实现超高耐压，传统VD-MOSFET 导通电阻RDSON会很高，比如某进口品牌5N100 1000V,750mA RDSON高至17Ω，WAYON 5N100C2 1000V,3A RDSON 仅有3.5Ω，目前WAYON 1000V产品最低内阻可至0.8Ω。

其次相比VD-MOSFET 工艺结构产品，SJ-MOSFET封装更小、成本更低。目前市场主流的1000V耐压MOSFET，多以TO247, TO-3P甚至TO-268超大封装为主。WAYON TO-220F封装，在小封装的基础上可实现1000V器件RDSON 0.8Ω，900V,950V器件0.31Ω，800V器件可至0.09Ω。

应用优势

高耐压特性MOSFET具有更高浪涌特性，可提高系统可靠性。

图4 700V MOSFET 4KV 浪涌波形

图5 800V MOSFET 4KV 浪涌波形

对比图4，图5可知，高耐压器件在浪涌测试承受的电流应力更小。

超高耐压的器件主要应用场景为工业三相智能电表、LED照明驱动电源、充电桩，光伏逆变器等辅助电源。

维安超高耐压量产型号

900V 物料规格型号

1000V 物料规格型号

审核编辑：汤梓红