选型手册：MOT70R380D N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT70R380D是一款 N 沟道超级结功率 MOSFET，凭借 700V 耐压、低导通电阻及高频开关特性，适用于功率因数校正（PFC）、电源功率级、适配器、电机控制、DC-DC 转换器等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道超级结功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：700V，适配高压功率转换场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值0.38Ω，高压场景下平衡导通损耗与开关性能；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)）：11A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）达33A（\(T_c=100^\circ\text{C}\)），满足负载瞬时功率需求。

二、核心特性

• 高速开关与低功耗：通过高开关速度设计降低导通与开关损耗，适配高频功率转换场景（如 PFC 拓扑、DC-DC 转换）；
• 100% 雪崩测试验证：单脉冲雪崩能量（\(E_{AS}\)）达263mJ，在感性负载开关、异常过压工况下可靠性强；
• 环保无卤封装：采用无铅镀层、无卤工艺，符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造需求。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

• 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：最大值 ±30V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 功耗（\(P_D\)）：78W，实际应用需搭配散热措施（如 PCB 敷铜、散热焊盘）保障长期可靠工作；
• 热特性：结到环境热阻（\(R_{thJA}\)）62.5℃/W，结到外壳热阻（\(R_{thJC}\)）1.64℃/W，需通过封装与 PCB 设计优化热管理；
• 结温范围（\(T_J\)）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致。

四、封装与应用场景

• 封装形式：采用TO-252 贴片封装，为无卤版本，包装规格 2500 片 / 卷，适配高密度电路板的高频设计需求；
• 典型应用：
  • 功率因数校正（PFC）：在 AC-DC 电源的 PFC 拓扑中作为主开关管，低损耗特性提升功率因数与能量转换效率；
  • 电源功率级与适配器：适配中高压开关电源的功率转换回路，实现 700V 级高效能量传输；
  • 电机控制与 DC-DC 转换器：在电机驱动电路、DC-DC 降压 / 升压拓扑中作为功率开关，兼顾高压耐压与开关速度需求。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）