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模拟技术

电子发烧友网为用户提供了专业的模拟技术文章和模拟电子技术应用资料等;是值得收藏和分享的模拟技术与电子技术栏目。
纳芯微发布2029战略蓝图:用体系化、全球化引领国产模拟高质量发展

纳芯微发布2029战略蓝图:用体系化、全球化引领国产模拟高质量发展

电子发烧友网报道(文/吴子鹏)2025年12月8日,纳芯微(股票代码:02676.HK;688052.SH)正式在香港联合交易所主板挂牌上市,开启公司发展新阶段。纳芯微创始人、董事长、CEO 王升杨表示,将以...

2025-12-11 标签: 2859

如何防止推挽式转换器中的变压器饱和

如何防止推挽式转换器中的变压器饱和

本期,为大家带来的是《优化放大器电路中的输入和输出瞬态稳定时间》,将讨论如何利用死区时间内的磁通量衰减效应,来有效防止推挽式转换器中的变压器饱和问题。...

2025-12-04 标签:变压器转换器德州仪器饱和 6597

Wolfspeed碳化硅产品在恶劣环境中实现更优系统耐久性

Wolfspeed碳化硅产品在恶劣环境中实现更优系统耐久性

可靠性是测量或方法的一致性。可靠性对我们行业的重要性再怎么强调也不为过。然而,一个必要的、可以带来可靠性阶跃式提升的概念讨论得较少:即我们 Wolfspeed 所强调的"耐久性",...

2025-12-09 标签:晶圆SiC碳化硅Wolfspeed 1675

首家大基金三期A+H基石投资企业,多核心赛道冠军!纳芯微正式发布港股招股书

首家大基金三期A+H基石投资企业,多核心赛道冠军!纳芯微正式发布港股招股书

电子发烧友网报道(文/吴子鹏)2025年11月28日,高性能高可靠性模拟及混合信号芯片设计公司纳芯微正式发布港股招股书。纳芯微不仅成为国家集成电路产业投资基金(简称“国家大基金”)三...

2025-11-29 标签:纳芯微 5904

意法半导体亮相2025电源网工程师技术高峰论坛

意法半导体亮相2025电源网工程师技术高峰论坛

‍‍‍‍‍‍‍‍2025年11月22日,电源网工程师技术高峰论坛在深圳盛大启幕。这场行业盛会汇聚了知名院校学者与国内外半导体厂商专家,共同分享前沿行业展望、展示最新解决方案。现场吸...

2025-12-11 标签:MOSFET意法半导体功率器件 191

中微爱芯零漂移双向电流检测放大器AiP8280介绍

中微爱芯零漂移双向电流检测放大器AiP8280介绍

在工业控制、电源管理等场景中,电流检测的精准度、抗干扰能力和适配范围直接决定系统可靠性。AiP8280作为一款专为严苛场景设计的电流检测放大器,以超宽共模电压、超低误差和高速响应...

2025-12-10 标签:放大器运放电流检测 1008

运算放大器的核心组成与典型结构

运算放大器的核心组成与典型结构

运算放大器是模拟电路与混合信号电路的核心基础模块,其性能直接决定电子系统的信号处理精度与稳定性。掌握其工作原理、设计方法及优化策略,是理解模拟集成电路机制、开展电路研发的...

2025-12-10 标签:运放电路模拟电路运算放大器 1910

上海贝岭BL380X系列零漂移运算放大器产品介绍

上海贝岭BL380X系列零漂移运算放大器产品介绍

在现代电子系统设计中,运算放大器作为信号处理的核心元件,其性能直接决定了信号链路的品质与输出信号的可靠性。尤其在工业测量、医疗电子、仪表仪器等高精度应用场景中,对运放芯片...

2025-12-10 标签:运算放大器零漂移上海贝岭 239

解析GaN与SiC在太阳能逆变器中的应用方案

解析GaN与SiC在太阳能逆变器中的应用方案

光伏发电(PV)是一种将阳光转化为电能的技术,这个过程涉及使用太阳能电池来捕获太阳能并将其转化为可用的电力;然后,使用逆变器将太阳能电池产生的电力从直流电(DC)转换为交流电...

2025-12-10 标签:太阳能逆变器SiCGaN 514

今日看点:特朗普允许英伟达对华出口H200芯片,但要抽成25%;众擎完成 A1+ 轮与

特朗普允许英伟达对华出口H200芯片,但要抽成25% 12月8日,美国总统特朗普宣布,将允许英伟达对华出口其H200人工智能(AI)芯片。   该决定有附带条件,包括保障美国所谓“国家安全”,且美...

2025-12-09 标签: 713

MOSFET的三重防护(3)

MOSFET的三重防护(3)

OK,还剩MOSFET的最后一重防护,就是在DS之间加TVS做保护,对应的就是下图TVS3的位置。...

2025-12-09 标签:MOSFET保护电路断路器SiC 2932

新思科技重新定义模拟与混合信号芯片设计模式

新思科技近日荣获 Frost & Sullivan 颁发的“2025年度模拟存内计算技术创新领导者”称号,充分体现了公司在AI驱动的模拟与混合信号(AMS)EDA 解决方案领域的领先实力。...

2025-12-08 标签:混合信号模拟设计AI新思科技 896

SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构

SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构

碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的代表性材料,下图1展示了SiC的材料优势,相较于 Si,SiC 具有更高的禁带宽度,使 SiC 器件的工作温度可达 300℃以上(传统 Si 器件为150 ℃),适用于高温环境...

2025-12-05 标签:半导体SiC碳化硅 6339

德州仪器GaN器件释放光伏系统更多潜能

如何尽可能高效地利用太阳能,光伏逆变器的性能是技术创新的核心。其中一项创新涉及使用氮化镓 (GaN)。...

2025-12-04 标签:太阳能德州仪器晶体管 1124

今日看点:黑芝麻智能拟4-5.5亿元收购亿智电子控股权;理想发布首款 AI 眼镜

黑芝麻智能拟4-5.5亿元收购亿智电子控股权   近日,黑芝麻智能国际控股有限公司(2533.HK,简称“黑芝麻智能”)发布内幕消息公告,更新此前披露的可能收购事项。根据公告,公司拟通过收...

2025-12-04 标签: 835

领慧立芯LHA7530系列高精度ADC国产替代CS5530系列

领慧立芯LHA7530系列高精度ADC国产替代CS5530系列

作为曾广泛应用于工业控制、称重传感、温度监测等领域的经典 24 位 Σ-Δ 型 ADC 芯片,Cirrus Logic 旗下 CS5530 系列已即将步入停产流程 ——2026 年 9 月 12 日将迎来最终停产(EOL)节点,供应链端...

2025-12-04 标签:传感器芯片adc 1056

安森美垂直GaN技术赋能功率器件应用未来

安森美垂直GaN技术赋能功率器件应用未来

在传统横向结构的GaN器件中,电流沿芯片表面流动。而垂直 GaN 的 GaN 层生长在氮化镓衬底上,其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部,而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让器件能...

2025-12-04 标签:安森美功率器件GaN 904

中科银河芯全新推出GXC400 RTD至数字输出转换器

中科银河芯全新推出GXC400 RTD至数字输出转换器

RTD(热阻式温度检测器)基于材料电阻随温度“灵敏变化”的特性实现对温度的测量。其中应用最广泛的铂电阻RTD(PT-RTD),测温范围最高可超过800℃,并具备良好的精度、可重复性与线性表现,因...

2025-12-03 标签:RTDRTD中科银河芯输出转换器 1667

合科泰MOS管在现代电源控制系统中的应用

在现代电源控制系统中,MOS管已成为不可或缺的核心器件。其最基础且核心的作用,是作为高速开关元件,如通过栅极电压的高低变化,快速切换源极与漏极之间的导通和截止状态,进而实现对...

2025-12-03 标签:MOSFETMOS管合科泰 1414

过采样技术如何提高ADC的动态性能

过采样技术如何提高ADC的动态性能

你是否也遇到过分辨率不足、噪声过高的问题?在高速、高精度的信号采集场景中,ADC的动态性能往往成为系统瓶颈。其实,解决方案可能比你想象的简单——过采样技术,正在悄悄改变游戏规...

2025-12-03 标签:adc过采样动态性能 3771

意法半导体TSB18系列运算放大器的应用示例

意法半导体TSB18系列运算放大器完美融合了高精度、多功能性、高效能和可靠性优势。无论您正在设计工业控制系统、汽车电子、医疗设备还是仪器仪表,TSB181和TSB182高精度运算放大器都能满足...

2025-12-03 标签:运算放大器意法半导体 1003

意法半导体高压MOSFET明星产品深度解析

意法半导体高压MOSFET明星产品深度解析

高压MOSFET作为功率半导体领域的核心器件,凭借高耐压、低损耗、高速开关的核心优势,已成为工业电源、新能源储能、汽车电动化等场景实现高效能量转换的“关键引擎”。意法半导体深耕高...

2025-12-03 标签:转换器MOSFET意法半导体功率半导体 1688

使用MOS管实现缓启动电路的原理分析

在热拔插的过程中,两个连接器的机械接触,触点在瞬间会出现弹跳,电源不稳,发生震荡。这期间系统工作可能造成不稳定。...

2025-12-02 标签:电源MOS管热拔插缓启动电路 3267

三菱电机即将发布两款4.5kV/1200A XB系列HVIGBT模块

三菱电机即将发布两款4.5kV/1200A XB系列HVIGBT模块

三菱电机集团今日(2025年12月2日)宣布,将于12月9日发布两款4.5kV/1200A XB系列HVIGBT模块,包括标准绝缘(6.0kVrms)封装和高绝缘(10.0kVrms)封装。这些大容量功率模块专为轨道交通车辆等大型工...

2025-12-02 标签:二极管三菱电机功率半导体 1079

三菱电机SiC MOSFET在工业电源中的应用

三菱电机SiC MOSFET在工业电源中的应用

SiC器件具有低开关损耗,可以使用更小的散热器,同时可以在更高开关频率下运行,减小磁性元件体积。采用SiC器件的工业电源,可以实现高效率和高功率密度。三菱电机开发了一系列适合工业...

2025-12-02 标签:MOSFET三菱电机SiC工业电源 2984

首家大基金三期A+H基石投资企业,多核心赛道冠军!纳芯微正式发布港股招股书

电子发烧友网报道(文/吴子鹏)2025年11月28日,高性能高可靠性模拟及混合信号芯片设计公司纳芯微正式发布港股招股书。纳芯微不仅成为国家集成电路产业投资基金(简称“国家大基金”)三...

2025-12-02 标签: 4593

Power Integrations荣获2025全球电子成就奖之年度电源管理奖

2025国际集成电路展览会暨研讨会(IIC Shenzhen)正于11月25日至26日在深圳大中华喜来登酒店举办。在此次展会上,Power Integrations(简称:PI)旗下的InnoMux-2 1700V氮化镓IC 荣获2025 ASPENCORE全球电子成...

2025-12-01 标签:集成电路电源管理氮化镓 1576

FS-IGBT短路耐受能力提升方法

FS-IGBT短路耐受能力提升方法

随着能源效率成为全球关注的焦点,半导体行业迎来了技术革新的浪潮。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)便是这一背景下的产物,其通过电场效应调控导电通道,显著降低了驱动所需的能...

2025-11-30 标签:MOSFETIGBT晶体管 4315

5W超低功耗 + 14.4GB/s吞吐量!慧荣推出新一代PCIe 5.0 SSD主控SM8388

5W超低功耗 + 14.4GB/s吞吐量!慧荣推出新一代PCIe 5.0 SSD主控SM8388

电子发烧友网综合报道 在数字化发展的当下,数据存储领域正经历变革。SSD主控芯片作为固态硬盘核心部件,掌控数据读写、存储与传输等关键操作,决定SSD性能,影响存储系统稳定性与可靠...

2025-12-01 标签:存储 879

技术资讯 I 共模信号与差模信号解析

技术资讯 I 共模信号与差模信号解析

本文重点传导噪声分为共模信号和差模信号两种类型。无论是共模信号还是差模信号,都需要两根导线进行传输。电路中产生共模噪声的主要原因是电路器件之间、器件与地之间存在寄生电容。...

2025-11-28 标签:运算放大器差模信号共模信号 1431

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