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电子发烧友网>制造/封装>Cu CMP后清洗中添加剂对颗粒粘附和去除的影响

Cu CMP后清洗中添加剂对颗粒粘附和去除的影响

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2022-03-14 10:50:141077

兆声清洗晶片过程中去除力的分析

的方向传播。兆频超声波清洗领域的大部分工作都是针对寻找兆频超声波功率和磁场持续时间等条件来优化粒子去除。已知或相信在兆电子领域中有几个过程是有效的,即微空化、声流和压力诱导的化学效应。兆声波可以想象为以音速传播到流体中的压力变化。当声波通过固体颗粒时,该波中的压力梯度会对该颗粒施加作用力。
2022-03-15 11:28:22460

使用臭氧和HF清洗去除金属杂质的研究

本研究在实际单位工艺中容易误染,用传统的湿式清洁方法去除Cu和Fe等金属杂质,为了提高效率,只进行了HF湿式清洗,考察了对表面粗糙度的影响,为了知道上面提出的清洗的效果,测量了金属杂质的去除
2022-03-24 17:10:271760

湿台清洗颗粒去除的新概念

面损伤有负面影响。近年来,它已被修改为加入更稀的溶液,以减少由氢氧化铵引起的表面微观粗糙度。在本文中,提出了一种新思路,即使用去离子水快速倾倒冲洗 (QDR) 模式从对话设置转变为改进模式。使用 DIW 进行修改的修改配方可以在加工过程中完全去除颗粒
2022-03-30 14:29:42311

如何成功地清除来自晶片表面的颗粒污染

为了成功地清除来自晶片表面的颗粒污染,有必要了解颗粒与接触的基底之间的附着力和变形,变形亚微米颗粒粘附和去除机理在以往的许多研究中尚未得到阐明。亚微米聚苯乙烯乳胶颗粒(0.1-0.5mm)沉积
2022-04-06 16:53:501046

湿法和颗粒去除工艺的简要概述

过程的内在能力和局限性。已经确定了三种颗粒去除过程——能够去除所有颗粒尺寸和类型的通用过程,甚至来自图案晶片,具有相同理论能力但实际上受到粒子可及性的限制,最后是无法去除所有颗粒尺寸的清洗。 通过计算施加给细颗粒
2022-04-08 17:22:531231

湿法和颗粒去除工艺详解

能力和局限性。已经确定了三种颗粒去除过程——能够去除所有颗粒尺寸和类型的通用过程,甚至来自图案晶片,具有相同理论能力但实际上受到粒子可及性的限制,最后是无法去除所有颗粒尺寸的清洗
2022-04-11 16:48:42520

PVA刷接触式清洗过程中超细颗粒清洗现象

为了LSI的小型·高性能化, 为了实现高精度的基板表面粗糙度,在制造工序中推进了微细且多层布线化。 要求使用粒径100 nm以下的纳米粒子的CMP(Chemical Mechanical
2022-04-15 10:53:51516

半导体制造工序中CMP后的晶圆清洗工序

CMP装置被应用于纳米级晶圆表面平坦化的抛光工艺。抛光颗粒以各种状态粘附到抛光后的晶片表面。必须确实去除可能成为产品缺陷原因的晶圆表面附着物,CMP后的清洗技术极为重要。在本文中,关于半导体制造工序
2022-04-18 16:34:342912

PVA刷擦洗对CMP清洗过程的影响

介绍 聚乙烯醇刷洗是化学溶液清洗过程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分为两大类,根据其接触类型(非接触,完全接触)。全接触擦洗被认为是去除晶片表面污染物的最佳有效清洁方法之一。然而,许多研究人员指责
2022-04-27 16:56:281310

聚乙烯醇刷非接触洗涤对CMP清洗的影响

全接触洗涤被认为是去除晶圆表面污染的最佳有效清洁方法之一。为了使刷与晶片之间的小间隙最大限度地增加水动力阻力,在晶片上安装了压电传感器(圆片型)。为了研究磨料颗粒Cu和PETEOS(等离子体增强
2022-05-06 15:24:47298

采用临界粒子雷诺数方法去除晶圆表面的粘附颗粒

化学机械平面化后的叶片清洗,特别是刷子擦洗,是半导体器件制造的一个关键步骤,尚未得到充分了解。临界粒子雷诺数方法用于评估在刷擦洗过程中去除晶圆表面的粘附颗粒,或者是否必须发生刷-粒子接触。考虑了直径
2022-05-07 15:48:381575

硅晶片的清洗技术

本文阐述了金属杂质和颗粒杂质在硅片表面的粘附机理,并提出了一些清洗方法。
2022-05-11 16:10:274

稀释SC1过程中使用兆声波来增强颗粒去除效率

本文介绍了我们华林科纳在稀释SC1过程中使用兆声波来增强颗粒去除,在SC1清洗过程中,两种化学成分之间存在协同和补偿作用,H2O2氧化硅并形成化学氧化物,这种氧化物的形成受到氧化性物质扩散的限制
2022-05-18 17:12:59575

使用全湿法去除Cu BEOL中的光刻胶和BARC

上蚀刻后光刻胶和BARC层的去除,扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)用于评估清洗效率,使用平面电容器结构确定暴露于等离子体和湿化学对低k膜的介电常数的影响。 对图案化结构的横截面SEM检查表明,在几种实验条件和化学条件下可以实现蚀刻后PR的完
2022-05-30 17:25:241115

湿法清洗去除硅片表面的颗粒

用半导体制造中的清洗过程中使用的酸和碱溶液研究了硅片表面的颗粒去除
2022-07-05 17:20:171683

RCA清洗中晶片表面的颗粒粘附和去除

溶液中颗粒和晶片表面之间发生的基本相互作用是范德华力(分子相互作用)和静电力(双电层的相互作用)。近年来,与符合上述两种作用的溶液中的晶片表面上的颗粒粘附机制相关的研究蓬勃发展,并为阐明颗粒粘附机制做了大量工作。
2022-07-13 17:18:441491

不同添加剂(FEC、VC、CEC)电解液对电池性能影响!

本文作者对扣式锂离子电池进行充放电性能测试,通过分析不同EC基电解液添加剂比例下电池的放电比容量、首次库仑效率、循环稳定性等,探究EC基电解液添加剂对Si-C负极体系性能的影响。
2023-03-29 10:55:589338

什么是晶圆清洗

晶圆清洗工艺的目的是在不改变或损坏晶圆表面或基板的情况下去除化学杂质和颗粒杂质。晶圆表面必须保持不受影响,这样粗糙、腐蚀或点蚀会抵消晶圆清洁过程的结果
2023-05-11 22:03:03785

食品添加剂检测仪器的技术参数及应用领域

养、钙质、维生素、微量元素,都无法利用吸收。添加剂中的颗粒物质难以消化,如果应用过多,容易影响到胃肠功能的情况,导致出现有腹泻呕吐等情况的发生。也会有害于骨骼的情况
2021-03-09 17:57:15338

cmp是什么意思 cmp工艺原理

段来分可以分为前段制程(FEOL)和后段制程(BEOL),前段制程工艺主要为 STI-CMP 和 Poly-CMP,后段制程工艺主要为介质层 ILD-CMP、IMD-CMP 以及金属层 W-CMPCu-CMP 等。
2023-07-18 11:48:183035

电路板脏了?如何清洗

电路板沾污物的危害:颗粒性污染物——电短路。极性沾污物—介质击穿、漏电、元件/电路腐蚀。非极性沾污—影响外观、白色粉点、粘附灰尘、电接触不良。线路板的清洗方式: 普通清洗主要使用单个清洗槽,需要清洗的PCB放在清洗剂液体里浸泡清洗
2023-08-17 15:29:371354

在湿台工艺中使用RCA清洗技术

半导体制造业依赖复杂而精确的工艺来制造我们需要的电子元件。其中一个过程是晶圆清洗,这个是去除硅晶圆表面不需要的颗粒或残留物的过程,否则可能会损害产品质量或可靠性。RCA清洗技术能有效去除硅晶圆表面的有机和无机污染物,是一项标准的晶圆清洗工艺。
2023-12-07 13:19:14236

Microvision/维视智造+机器视觉系统解决方案+食品干燥包装袋封口检测

一般涉及到空包、连包、夹料等包装问题,主要在干燥、脱氧、食品添加剂等袋装产品的生产包装过程。其中食品干燥在人们的生活应用最为广泛,一般附带于食品起到食品保鲜的作用;是不能食用的产品包附带
2021-01-25 10:40:51

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