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通过表面分析评估Cu-CMP工艺

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半导体制造CMP工艺后的清洗技术

的半导体芯片的结构也变得复杂,包括从微粉化一边倒到三维化,半导体制造工艺也变得多样化。其中使用的材料也被迫发生变化,用于制造的半导体器件和材料的技术革新还没有停止。为了解决作为半导体制造工艺之一的CMP
2022-03-21 13:39:083886

采用化学机械抛光(CMP)工艺去除机理

采用化学机械抛光(CMP)工艺,在半导体工业中已被广泛接受氧化物电介质和金属层平面化。使用它以确保多层芯片之间的互连是实现了介质材料的可靠和厚度是一致且充分的。在CMP过程中,晶圆是当被载体
2022-03-23 14:17:511643

晶硅晶片表面组织工艺优化研究

本文章将对表面组织工艺优化进行研究,多晶硅晶片表面组织化工艺主要分为干法和湿法,其中利用酸或碱性溶液的湿法蚀刻工艺在时间和成本上都比较优秀,主要适用于太阳能电池量产工艺。本研究在多晶晶片表面组织化工艺
2022-03-25 16:33:49516

半导体制造工序中CMP后的晶圆清洗工序

CMP装置被应用于纳米级晶圆表面平坦化的抛光工艺。抛光颗粒以各种状态粘附到抛光后的晶片表面。必须确实去除可能成为产品缺陷原因的晶圆表面附着物,CMP后的清洗技术极为重要。在本文中,关于半导体制造工序
2022-04-18 16:34:342912

聚乙烯醇刷非接触洗涤对CMP后清洗的影响

全接触洗涤被认为是去除晶圆表面污染的最佳有效清洁方法之一。为了使刷与晶片之间的小间隙最大限度地增加水动力阻力,在晶片上安装了压电传感器(圆片型)。为了研究磨料颗粒在Cu和PETEOS(等离子体增强
2022-05-06 15:24:47298

表面波滤波器行业市场未来发展趋势分析及投资规模评估预测咨询

表面波滤波器行业市场未来发展趋势分析及投资规模评估预测咨询
2022-07-20 18:24:311487

芯片制造工艺:平坦化技术

平整度(DP)描述了从微米到毫米范围内硅片表面的起伏变化,具体是指对于某一台阶处,在完成CMP工艺之后这个位置硅片表面的平整程度。
2022-10-26 11:38:49942

化学机械抛光工艺(Chemical Mechanical Polishing,CMP

CMP 所采用的设备及耗材包括抛光机、抛光液(又称研磨液)、抛光垫、抛光后清洗设备、拋光终点(End Point)检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等。
2022-11-08 09:48:1211572

PCB表面处理工艺有哪些?

机涂覆工艺不同于其他表面处理工艺,它是在铜和空气间充当阻隔层;有机涂覆工艺简单、成本低廉,这使得它能够在业界广泛使用。
2022-12-26 09:55:16945

不同PCB板表面处理工艺的优缺点和适用场景

今天带大家了解PCB板的表面工艺,对比一下不同的PCB板表面处理工艺的优缺点和适用场景。
2023-04-14 13:20:141506

先进封装之热压键合工艺的基本原理

热压键合工艺的基本原理与传统扩散焊工艺相同,即上下芯片的Cu 凸点对中后直接接触,其实现原子扩散键合的主要影响参数是温度、压力、时间. 由于电镀后的Cu 凸点表面粗糙并存在一定的高度差。
2023-05-05 11:30:171380

抓出半导体工艺中的魔鬼-晶圆表面金属污染分析

早先对于晶圆表面金属的浓度检测需求为1010atoms/cm2,随着工艺演进,侦测极限已降至108 atoms/cm2,可以满足此分析需求的技术以全反射式荧光光谱仪(Total Reflection X-ray Fluorescence, TXRF)与感应耦合电浆质谱仪 (ICP-MS) 两种为主
2023-05-24 14:55:572148

一文详解CMP设备和材料

在前道加工领域:CMP 主要负责对晶圆表面实现平坦化。晶圆制造前道加工环节主要包括7个相互独立的工艺流程:光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化 CMP 则主要用于衔接不同薄膜工艺,其中根据工艺段来分可以分为前段制程(FEOL)和后段制程(BEOL)
2023-07-10 15:14:333567

cmp是什么意思 cmp工艺原理

段来分可以分为前段制程(FEOL)和后段制程(BEOL),前段制程工艺主要为 STI-CMP 和 Poly-CMP,后段制程工艺主要为介质层 ILD-CMP、IMD-CMP 以及金属层 W-CMPCu-CMP 等。
2023-07-18 11:48:183030

怎么通过颜色辨别PCB表面处理工艺

一站式PCBA智造厂家今天为大家讲讲如何通过颜色辨别PCB表面处理工艺?通过颜色辨别PCB表面处理工艺。电路板的表面外层通常有三种颜色:金色、银色、浅红色。金色最贵,银色较便宜,浅红色最便宜。那么
2023-08-21 09:16:01394

如何使用AT32F415比较器(CMP)?

如何使用AT32F415比较器(CMP)?
2023-11-01 17:17:16316

先进封装厂关于Bump尺寸的管控:BOKI_1000粗糙度测量设备-凹凸计量系统

以粗糙度指标为例,电镀工艺后的Cu 表面粗糙并存在一定的高度差,所以键合前需要对其表面进行平坦化处理,如化学机械抛光(CMP),使得键合时Cu 表面能够充分接触,实现原子扩散,由此可见把控Bump
2023-08-17 09:44:330

等离子体基铜蚀刻工艺及可靠性

近年来,铜(Cu)作为互连材料越来越受欢迎,因为它具有低电阻率、不会形成小丘以及对电迁移(EM)故障的高抵抗力。传统上,化学机械抛光(CMP)方法用于制备铜细线。除了复杂的工艺步骤之外,该方法的一个显著缺点是需要许多对环境不友好的化学品,例如表面活性剂和强氧化剂。
2023-11-08 09:46:21188

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