LBSS139LT1G详细参数说明 极性 N沟道 额定电压 60V 额定电流 0.3A 导通电阻 2800mΩ @ 10V, 3000mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压 1.6Vth (V) 封装类型 SOT23应用简介 LBSS139LT1G是一款N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和低功率应用。它具有较低的额定电流和较高的额定电压特性。通过控制20Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较高的导通电阻意味着在较低的电流下进行操作。LBSS139LT1G采用SOT23封装，适用于各种电路板和模块中使用。该器件主要应用于低功率领域，例如电源管理、信号处理以及一些低功耗的控制电路中。总之，LBSS139LT1G是一款N沟道MOSFET，适用于电源管理和低功率应用。适用于低功率领域的电路，如电源管理、信号处理和低功耗控制电路等领域。
--- 产品参数 ---
- 极性 N沟道
- 额定电压 60V
- 额定电流 0.3A
- 导通电阻 2800mΩ @ 10V, 3000mΩ @ 4.
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 阈值电压 1.6Vth (V)
- 封装类型 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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