--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**SUD70N03-04P-VB**
- **丝印:** VBE1303
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装:TO252
- 沟道类型:N—Channel
- 最大沟道电压(VDS):30V
- 最大漏极电流(ID):100A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):2mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):1.9V
**详细参数说明:**
SUD70N03-04P-VB 是一款N—Channel MOSFET,封装为TO252,具有最大30V的沟道电压和100A的最大漏极电流。其静态漏极-源极电阻为2mΩ,阈值电压为1.9V。
**应用简介:**
SUD70N03-04P-VB广泛应用于高功率功率电子应用,包括电源开关、电机驱动和电源逆变器等。
**领域模块应用:**
1. **电源开关模块:** 在电源开关模块中,SUD70N03-04P-VB可用于实现高效能耗的电源开关,提供可靠的电源控制。
2. **电机驱动:** 作为电机驱动器的一部分,该器件能够控制电机的运行,适用于高功率的电动工具和工业自动化系统。
3. **电源逆变器:** 在电源逆变器中,SUD70N03-04P-VB可用于控制逆变电路,将直流电源转换为交流电源,适用于太阳能发电系统等。
**作用:**
- 提供可靠的高功率电源开关和控制。
- 用于高功率电机的驱动和控制。
- 控制高功率电源逆变器,将直流电源转换为交流电源。
**使用注意事项:**
1. 遵循数据手册中的最大额定值,以确保在规定条件下使用。
2. 注意散热,确保器件工作在安全的温度范围内。
3. 在设计中考虑阈值电压,以确保在正确的电压条件下工作。
4. 确保正确的封装和引脚连接,以避免引起电路连接问题。
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