SIR422DPT1GE详细参数说明 极性 N沟道 额定电压 40V 额定电流 75A 导通电阻 4.7mΩ @ 10V, 6mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压 1.9Vth (V) 封装类型 DFN8 (5X6)应用简介 SIR422DPT1GE3是一款N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有较高的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制20Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗，并提高系统的效率。SIR422DPT1GE3采用DFN8 (5X6)封装，适用于各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其较高的额定电压和额定电流特性，SIR422DPT1GE3特别适用于需要高功率和高电流传输的应用领域。在这些领域中，它能够提供可靠的功率开关控制和电流传输。总之，SIR422DPT1GE3是一款N沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器等应用模块。特别适用于需要高功率和高电流传输的领域，如电源开关、电机驱动器等。
--- 产品参数 ---
- 极性 N沟道
- 额定电压 40V
- 额定电流 75A
- 导通电阻 4.7mΩ @ 10V, 6mΩ @ 4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 阈值电压 1.9Vth (V)
- 封装类型 DFN8 (5X6)
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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