型号：2N7002WT1G-VB
丝印：VBK162K
品牌：VBsemi
参数说明：
- MOSFET类型：N沟道
- 额定电压：60V
- 最大电流：0.35A
- 导通电阻（RDS(ON)）：1800mΩ @ 10V, 2160mΩ @ 4.5V, 20Vgs
- 阈值电压（Vth）：1~2.5V
- 封装：SC70-3
应用简介：
2N7002WT1G-VB是一款N沟道MOSFET，适用于多种电子设备和电路中，特别适用于需要低功率开关、信号放大和电流控制的应用。
**应用领域和模块说明：**
1. **低功率开关模块**：
- 由于其N沟道MOSFET的特性，2N7002WT1G-VB适用于低功率开关模块，可用于控制低电压和低电流的开关操作。
- 在便携式电子设备、电源管理模块、小型电子开关中广泛使用。
2. **信号放大模块**：
- 该MOSFET可用于信号放大模块，用于放大和控制小信号的传输。
- 在音频放大器、传感器接口、信号调理电路中用于信号处理。
3. **电流控制模块**：
- 2N7002WT1G-VB的特性使其适用于电流控制应用，可用于调整和限制电流流动。
- 在恒流源、电流调节电路、电流控制开关中用于精确的电流控制。
4. **模拟开关模块**：
- 该MOSFET可用于模拟开关模块，用于开关模拟信号。
- 在模拟电路切换、模拟信号选择和模拟电路开关中广泛应用。
总结，2N7002WT1G-VB是一款N沟道MOSFET，适用于多种低功率、信号处理和电流控制应用。其特性使其成为低功率电子设备、信号放大器、电流控制模块和模拟开关模块中的重要组件，有助于实现精确的电路控制和信号处理。
