企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

D3N04H-VB一款2个N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: D3N04H-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOP8封装
  • 沟道 2个N—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号: D3N04H-VB
丝印: VBA3638
品牌: VBsemi

参数:
- 2个N-Channel沟道
- 额定电压: 60V
- 额定电流: 6A
- RDS(ON): 27mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth): 1.5V

封装: SOP8

应用简介:
D3N04H-VB是一款高性能的N-Channel MOSFET,具有低导通电阻和高通道电流特性,适用于各种功率控制和开关应用。

举例说明:
1. **电源转换器**: 在电源转换器中,D3N04H-VB可作为功率开关,用于实现电能的高效转换和稳定输出。
2. **电动车电机驱动**: 在电动车电机控制系统中,可将该MOSFET用于电机驱动控制,提供高效的动力输出。
3. **LED照明**: 作为LED照明系统中的电流控制器,D3N04H-VB可用于调节LED灯的亮度和功率,提高照明效率。
4. **工业自动化**: 在工业自动化设备中,可将该MOSFET用作开关器件,实现对设备的高效控制和调节。

以上示例展示了D3N04H-VB在电源转换器、电动车、LED照明和工业自动化等领域中的广泛应用,为各种应用场景提供高效的功率控制解决方案。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    131浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    115浏览量