--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO251封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:CED12N10L-VB
丝印:VBFB1101M
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:N沟道
- 额定电压:100V
- 最大连续电流:15A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):115mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压(Vth):1.41V
- 封装类型:TO251
应用简介:
CED12N10L-VB是一款高电压、高电流N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于需要高性能功率开关的应用。以下是一些可能的应用领域:
1. 电源管理:这种高电压、高电流MOSFET可用于电源开关、电源逆变器、电源供应和稳压器等应用,以提供高效的电能控制和稳定的电压输出。
2. 电机控制:它适用于高功率电机控制,如电动机驱动器、直流电机控制、工业自动化设备和电机保护电路。
3. 汽车电子:在汽车电子中,这种MOSFET可以用于车辆电源管理、电机驱动、电动汽车充电设备等应用。
4. 高频开关电源:用于高频开关电源和逆变器,例如用于通信设备、太阳能逆变器、变频空调等领域。
5. 高性能电子设备:适用于需要高电流、高电压开关的高性能电子设备和工业控制系统。
总之,CED12N10L-VB MOSFET适用于需要高功率、高电压、高电流性能的电子应用领域。这种组件有助于提高系统效率、可靠性和电能控制,因此在各种领域的模块和电路中广泛应用。
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