我有一个 CYUSB3KIT-003。 我需要集成一个 NOR 闪存，我可以从中将固件读取到 RAM，然后 NOR 闪存的一部分内存应该EVAL_2K4W_ACT_BRD_S7作为大容量存储设备。
我应该采取什么方法？
2024-03-05 07:23:50
芯片烧录行业领导者-昂科技术近日发布最新的烧录软件更新及新增支持的芯片型号列表，其中Macronix旺宏电子的256Mb位串行NOR闪存MX25L25673GM已经被昂科的通用烧录平台AP8000所支持。
2024-03-01 19:19:30
58 
的含义
GL：光敏
5： 元件外径
5： 可见光区
4？？
7？？
最关键的后两位数字 就是不知道怎样区别！
GL5506 GL5516 GL5528 GL5537GL5539 GL5547 GL5549 后两位数字 是什么含义? 参数？
2024-01-12 09:02:36
标准驱动代码，省去了驱动代码编程环节。支持TF卡启动的SOC都可以用SD NAND，提供STM32参考例程及原厂技术支持，主流容量：128MB/512MB/2GB/4GB/8GB，比TF卡稳定，比
2024-01-05 17:54:39
NOR Flash是一种基于NOR门结构的闪存，NOR是逻辑门电路中的“或非”门。NOR Flash具有并行访问结构，这意味着每个存储单元都有一个地址，可以直接访问任何存储单元，这使NOR Flash具有快速的随机访问能力，适用于执行代码和读取关键数据。
2023-12-27 14:37:05292 SDINADF4-16G 16GB eMMC5.1
-
三星KLMBG2JETD 32GB eMMC5.1
SPI Flash
-
-
-
兆易GD25LQ128EWIG 16MB NOR
-
网卡芯片1
裕太
2023-12-14 23:33:28
Nor Flash采用NOR门结构，其中每个存储单元都有不同的地址用于直接访问。这种并行访问功能可以实现高效的随机访问和快速的数据检索。
2023-12-05 15:21:59363 闪存编程也不涉及将数据写入存储单元，为确保准确编程，Nor Flash 支持字节级编程，允许写入或修改单个字节，而无需擦除整个块。
2023-12-05 14:03:22390 Nor Flash是一种非易失性存储技术，用于存储数据和代码。它是一种闪存存储器，类似于NAND Flash，但具有不同的特性和应用场景。
2023-12-05 13:57:37837 NOR FLASH是一种非易失性存储技术，对计算机存储具有重大影响，闪存其独特的特性和功能影响着计算机存储系统的各个方面
2023-12-05 10:32:31332 香蕉派BPI-R4路由器板采用联发科MT7988A (Filogic 880)四核ARM Corex-A73方案设计，板载4GB DDR4内存,8GB eMMC存储,128MB SPI-NAND闪存
2023-11-30 16:01:52
NAND Flash和NOR Flash是两种常见的闪存类型。
2023-11-30 13:53:20734 
闪速存储器 （Flash Memory）简称闪存器或闪存，是一种非易失性存储器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的两种闪存器是或非闪存器 (NOR Flash）和与非闪存
2023-11-23 09:36:17910 
长江存储1Tb TLC芯片的存储密度已达15.47Gb每平方毫米，1Tb QLC更是高达19.8Gb每平方毫米，在两种闪存类型中都无出其右者。
2023-11-02 11:11:46842 
WN170-GL，使能FWA整体解决方案应用。BBWF2023｜广和通发布Wi-Fi7模组WN170-GLWN170-GL支持2.4GHz、5GHz和6GHz三个完整Wi
2023-11-01 18:27:17499 
GL3510 是创维出的市面上最性价比的HUB3.0 芯片（不过今年已有国产的USB3.0芯片，比GL3510还低，但担心稳定性问题还没使用），传输速率：5Gbps)，一口扩展至4口，只需要
2023-10-17 09:49:47
39 目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市场上主要的非易失性闪存技术，但是据我了解，还是有很多工程师分不清NAND FLASH与NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00468 
Memory）： 指BM1684的片外存储DDR，通常为12GB，最大支持定制为16GB。PCIe模式：4GB TPU专用 + 4GB VPU专用 + 4GB VPP/A53专用；SoC模式：4GB
2023-09-19 07:47:54
83495A Agilent 10 Gb/s 时钟恢复模块
连续数据速率：9.953 Gb/s至11.32 Gb/s
波长范围：750-860 nm或1000-1600 nm
提供光、电两种输入
2023-09-15 14:12:40
电子发烧友网站提供《使用STARTUPE3对并行NOR闪存进行配置后访问的UltraScale FPGA应用说明.pdf》资料免费下载
2023-09-14 15:18:201 电子发烧友网站提供《评估报告:全闪存HP 3PAR StoreServ 7450存储系统和第5代16Gb/s光纤通道.pdf》资料免费下载
2023-08-30 16:41:370 电子发烧友网站提供《LSI7104EP/LSI7204EP/LSI7404EP 4Gb光纤通道适配器介绍.pdf》资料免费下载
2023-08-18 09:34:140 点击上方 蓝字 关注我们 NOR闪存已作为FPGA（现场可编程门列阵）的配置器件被广泛部署。其为FPGA带来的低延迟和高数据吞吐量特性使得FPGA在工业、通信和汽车ADAS（高级驾驶辅助系统
2023-08-15 13:55:02330 
并行（ISA）Nor Flash有5V、3V和1.8V三种不同的供电体系，容量从2Mb-1Gb，具有x8、x16可选配置的引导和统一扇区架构。Parallel Nor Flash具有高性能、低功耗、高耐久性、高可靠性的特点。
2023-08-11 15:47:151091 
制造商: Winbond 产品种类: NOR闪存
2023-08-04 12:46:29
据《电子时报》报道，三星提出的512gb nand闪存晶片单价为1.60美元，比2023年初的1.40美元约上涨15%。但消息人士表示，由于上下nand闪存的库存缓慢，很难说服上调价格。
2023-08-02 11:56:24762 5T93GL02 数据表
2023-07-10 20:37:420 5T93GL06 数据表
2023-07-10 20:35:420 5T93GL04 数据表
2023-07-10 20:35:220 MWC上海2023期间，广和通发布5G R16智能模组SC151-GL。作为业界首款支持全球5G频段的智能模组，高度集成的SC151-GL搭载由高通技术公司推出的高通®QCM4490处理器，有效节省终端软硬件开发成本，缩短研发周期，助力终端快速在全球市场落地。
2023-07-03 15:26:13276 MWC上海2023期间，广和通发布5GR16智能模组SC151-GL。作为业界首款支持全球5G频段的智能模组，高度集成的SC151-GL搭载由高通技术公司推出的高通®QCM4490处理器，有效节省
2023-07-03 15:25:44344 
MWC上海2023期间，广和通发布5G R16智能模组SC151-GL。作为业界首款支持全球5G频段的智能模组，高度集成的SC151-GL搭载由高通技术公司推出的高通QCM4490处理器，有效节省
2023-06-30 18:05:56584 
Flash闪存是一种存储器,主要用于一般性程序存储，以及电脑与其他数字产品间交换传输数据。根据内部存储结构不同,Flash主要有两种，NOR Flash和NAND Flash。
2023-06-12 17:08:26468 内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512
2023-06-10 17:21:001982 LPC55S69 的闪存 API 和 MCUX 驱动程序文档中的术语不一致且定义不明确。我要确定的是用于擦除和页面编程的块大小。
驱动程序本身报告页面大小为 512 字节，扇区大小为 32768
2023-06-09 08:56:36
ESP8285 芯片（Soc）是否带有内置闪存？如果是，我们可以使用带有内置闪存的 ESP8285 芯片（Soc）通过 ESP8285 芯片（Soc）的 UART 配置使其作为 WiFi 连接
2023-06-05 08:31:11
为了进行性能比较，使用了三种不同的存储芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR闪存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND闪存。
2023-05-31 17:14:24788 
我打算在我的项目中使用带有 2MB 板载闪存的 ESP-WROOM-S2，但我似乎无法让用户代码从板载闪存工作。
与其他模块的不同之处在于，S2 已通过闪存连接到 HSPI（与 SPI 相对）。
我
2023-05-31 06:38:49
我正在使用带有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 连接到 T1040 处理器 DDR 控制器。
我尝试了这个序列，但未能成功生成 DDR 地址奇偶校验错误：
步骤1：
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
有没有人成功地将 ESP8266EX 连接到 EEPROM 芯片而不是闪存？在我住的地方，没有人出售大于 512k 的闪存芯片，我至少需要 4 个。如果可以使用 EEPROM，我不想从美国进口。
2023-05-30 11:10:19
我正在使用 S32K312，我需要使用 RTD 连接 Spansion S25 闪存，我正在使用 Lpspi_Ip_SyncTransmit() 函数来传输和接收数据，但是函数描述告诉长度参数是要发送的字节数，但是我们如何才能使用相同的函数接收所需的字节数？
2023-05-29 06:05:57
之前做读卡器的时候选了GL827，是看重了它封装是SOP可以直接焊接，不像一众QFN那种需要用热风枪来吹。现在GL827好像是停产了，在网上越来越难买到了，有没有可以直接替换的芯片型号？（我自己找了
2023-05-24 10:51:23
记：S32G_QSPI_NOR_20211125_V3.pdf。不幸的是，在中文中，为 MT35XU256ABA1G12-0AAT 提供了 QSPI 重新配置数据，与我们的非常相似：
LUT@0x244（从闪存基地址 0
2023-05-22 09:35:01
我对从 S32G274A 控制 Micron MT35XU512ABA QSPI 串行 NOR 闪存感到头疼。
该板是定制板（不是 NXP RDB2 或 EVP 之一）。
我使用 NXP
2023-05-18 08:48:37
了 evkmimxrt1160_flexspi_nor_config.c 中的闪存配置。
代码编译但在我运行它时永远不会进入主要状态（请参见下面的屏幕截图）：
知道我哪里出错了吗？我附上了 MCUXpresso 项目。
2023-05-18 06:28:12
是 0x90000000
根据文档（表 1. 系统内存映射）
两者都是有效的（ DRAM - GPP DRAM 区域#1（ 0-2 GB））。
上传图片时没有错误。
NOR 闪存的标准刻录命令是（来自文档
2023-05-16 07:43:42
我正在使用 S32G274A 板（不是 NXP 产品之一，它是由第三方制造的），它安装了 Micron
MT35XU512ABA 八进制串行 NOR 闪存。对于 M7_0，我必须调整 RTD
2023-05-16 06:04:49
则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecuteInPlace)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系
2023-05-15 09:18:591240 
BOOT_MODE[1:0]= x00 从保险丝启动后，尝试通过 FLEXSPI NOR（次级引脚，见图 2）连接到引导实用程序，但出现图 1 中的错误。
设备类型：试过 QuadSPI SDR NOR 和 QuadSPI DDR NOR。
我们的闪存部件号：I S25LP080D-JNLE-TR
可能是什么问题？
2023-05-10 08:53:24
MXRT1050 FlexSPI 模块具有 LUT，最多支持 16 个序列，相当于 16 个闪存命令。
现在许多 NOR 闪存芯片支持的命令远远超过 16 条。
1. 有没有办法支持超过 16 个
2023-05-08 06:52:22
;;
compatible = \\\"spansion,s25fl256l\\\", \\\"jedec,spi-nor\\\"
2023-05-06 06:23:09
我有一个iMX8X iMX8QXP，我正在尝试在 NOR 闪存（最终是 eMMC）上设置辅助引导容器集。我试图在烧掉任何 OTP 保险丝之前验证基本功能，所以这就是我目前对 NOR 闪存进行分区
2023-05-05 10:40:17
从 NOR 闪存启动时，Core0 如何获取启动代码？
电路板设置 (T1024RDB) 是：
开关将 RCW_SRC 设置为 NOR 闪存
PBL/RCW 设置为 BOOT_LOC = NOR
2023-05-04 07:16:23
。SPI-NOR 内存有类似的东西吗？fitImages 有用吗？
4. 由于 uuu 强制 bootcmd=fastboot 0，我如何将其更改为从我的 SPI-NOR 闪存加载？我需要 2 个不同版本
2023-05-04 06:30:41
我查看了 S32DS IDE 中的现有示例 Fls_Example_S32K344，它可以与外部 NOR 闪存MX25L6433FM2I-08G 64Mb通信 。移植 Nand 闪存 ，其读/写协议
2023-04-28 08:29:07
我们有一个定制板，其中存在 T1042 处理器。以前我已经能够通过修改 T1042D4DRB QORIQ SDK 项目的 u-boot 源代码从 SDCARD 启动它。现在，我试图从 NOR 闪存启动它，但我无法成功。 我已经将图像写入了NOR flash的以下地址。
2023-04-17 07:55:21
大家好，我们刚刚获得了自己设计的第一个原型，其中包含以下组件：- MCU 是 MIMXRT1061CVL5B - 闪存是连接到 QSPI1 的微芯片 SST26VF064B - J-link SWD
2023-04-17 07:06:03
USB 2.0协议使用pogo引脚连接），可作为手提箱使用。据了解，Pine64为用户提供了两种硬件配置：4GB LPDDR4 RAM / 64GB eMMC 5.1闪存和8GB LPDDR4 RAM
2023-04-14 13:56:10
我从使用板载 NOR 闪存映像启动的 LS1028A 处理器 EVM 开始。现在，需要从 I2C EEPROM [RCW] 启动并跳转到 NOR Flash [U-Boot Image]。如何在 RCW PBI 命令中指定它？
2023-04-14 07:45:39
是否可以使用外部闪存绕过 C3FN4 或 C3FH4 中的内部嵌入式闪存？我的意思是作为指令（引导）闪存当然，不仅仅是数据闪存。
2023-04-12 06:15:17
如果我使用 ESP32-U4WDH，我可以将该引脚用作用于外部闪存的 GPIO 吗？不会。闪存仍然位于 ESP32 硅芯片外部，因此仍使用相同的引脚；它只是集成到同一个包中。
2023-04-11 13:21:54
即使没有它也能正常工作？ SoC 就是芯片本身；我想你的意思是你不是在使用模块（比如 ESP32-C3-Wroom）而是芯片本身？如果是这样，那确实需要闪存才能运行，但是您可以获得带有集成闪存的 ESP32 芯片。具体来说，ESP32-C3Fx4 芯片具有 4MiB 的内置闪存。
2023-04-11 09:59:50
设备”。以下是我们的设置：1) 定制 IMX8MPLUS 板。定制板具有 4GB DDR 而不是 EVK 板中的 8GB。2) 从 ubuntu 20.04 PC 到开发板的 USB B 型连接器
2023-04-03 08:04:43
=3072M 强制使用 3GB 的 ram 而不是 4GB。CAAM 驱动程序/DMA/swiotlb 反弹缓冲区似乎是问题所在。
2023-04-03 06:55:00
Memory Card CompactFlash® 4GB MLC
2023-03-29 19:24:37
MEMORY CARD COMPACTFLASH 4GB MLC
2023-03-29 19:24:30
我需要一些关于 i.MX RT 1160 EVK 中的闪存支持的说明1. 在 SPT V4.1 中，我可以看到一些 FLEX SPI NOR 变体，如 IS25WP128、AT25SF128A
2023-03-29 08:24:08
目前，我使用的是 S32R294。我想从 S32 Design Studio for Power Architecure 下载 S32R294 的外部闪存。据我所知，外部闪存的代码在启动时被复制到 SRAM 中，因为 s32r294 中没有内部闪存。你能告诉我上述两项的文件吗？
2023-03-29 07:34:28
4Gb:x8、x16 NAND闪存功能
2023-03-28 18:41:50
4Gb， 8Gb， 16Gb： x8， x16 NAND 闪存
2023-03-28 15:01:49
4/2M 位 SPI NOR 闪存
2023-03-28 12:51:07
我正在使用 S32K148 EVB 测试闪存中的 EEPROM 仿真。我想使用 EEE Size = 1KB，那么如何在 FlexRAM 中配置这个大小。是否有任何示例代码可用于分区 D 闪存
2023-03-28 08:28:20
5T93GL02 数据表
2023-03-24 18:48:050 5T93GL06 数据表
2023-03-24 18:46:100 5T93GL04 数据表
2023-03-24 18:45:560 512（32M x 16）MB 3.0伏，GL-S闪存
2023-03-24 14:01:24
我正在使用 i.MXRT1176 并计划使用 FlexSPI 模块将固件更新写入外部 NOR 闪存。该应用程序将从同一外部存储器运行，但是，更新将写入不同的部分。我以前没有使用过带有外部程序存储器
2023-03-24 08:08:30
我有一个有趣的问题，我确定是配置问题。这是我第一次使用 QSPI 闪存设备和 i.MX 系列部件。我通常在 M4 或更小的机器上跑得慢很多。我有 2 个 NOR 闪存设备连接到 RT1062
2023-03-24 07:52:57
的 ivt_flashloader.bin 文件和实用程序从我们的 FlexSPI NOR 闪存读取/写入。为了进步我实际上有两个问题：- 有人可以向我解释一下为 EVKB 板提供的 ivt_flashloader.bin
2023-03-24 07:17:47
你好：我的板子用的是S29GL256S，配置是32x16x1。但是，我只能在flash programmer中选择32x8x1。尝试擦除具有 32x8x1 配置的闪存时，发生错误。错误信息如下：fl
2023-03-24 06:50:00
iMX8QXP可以使用的最大RAM大小是多少？MEK 使用 3GB。4GB可以吗？
2023-03-23 08:43:49
）。现在我们正在尝试从未融合单元上的 FLEXSPI NOR 存储器启动生产测试应用程序。我正在尝试使用 MIMXRT1060 的闪存加载器将应用程序加载到 NOR 内存中。写入似乎没问题，但应用程序似乎
2023-03-23 07:37:28
我正在尝试编写代码来测试 LPC54s018-EVK 上的串行闪存。我需要首先确认逐个扇区擦除闪存是可行且有效的，然后继续我测试的其他阶段。（我不想一次擦除整个芯片，因为我们的主要软件需要从闪存中
2023-03-23 06:06:43
电子发烧友App
工商网监
评论