在工业自动化、车载信息娱乐及通信基础设施等高负载场景中,存储器件的可靠性、耐久度与宽温适应性往往决定了整机系统的生命周期。RAYSON(深圳市晶存科技股份有限公司)面向上述需求推出的RS70BT7G4S16G,是一款采用TLC闪存、容量128 GB、封装为FBGA153的工业级eMMC 5.1模块,工作温度 –20°C ~ 85°C,双电压1.8 V / 3.3 V设计,可在性能、功耗与成本之间取得均衡,成为边缘计算、智能网关、车载终端及三防平板的理想存储载体。
- 产品定位与核心规格
RS70BT7G4S16G隶属RAYSON工业级eMMC家族,器件编号解析如下:
RS=RAYSON品牌前缀,70=eMMC 5.1接口,B=TLC闪存,T=工业宽温级别,7G4=128 GB密度代码,S16G=FBGA153 16 mm×14 mm封装。
关键参数:
• 兼容JEDEC eMMC 5.1规范,HS400模式最高400 MB/s读写带宽;
• 内置3D TLC NAND,擦写寿命3 000 P/E(典型),配合Smart ECC、Smart Refresh、Wear-Leveling算法,可将UBER抑制在<10⁻¹⁵;
• 工作电压I/O 1.8 V / 3.3 V自动切换,核心电压1.8 V,待机功耗<1 mW,有利于电池供电及无风扇设计;
• 工业级 –20°C ~ 85°C温宽,通过1 000小时高温老化、100次温循、1 000 g冲击测试,符合JESD47、JESD22可靠性标准;
• 支持现场固件更新(FFU)、断电保护(Flush Cache)、安全擦除(Secure Erase),便于远程运维与数据销毁。
二、硬件设计要点
FBGA153封装尺寸16 mm×14 mm×1.4 mm,0.5 mm球距,与标准eMMC引脚完全兼容,可原位替换主流8 GB~256 GB eMMC,无需改板。PCB布线时建议:
- CLK、CMD、DAT0~7做50Ω 单端阻抗,走线长度匹配<±50 mil;
2.电源引脚就近放置4.7 µF + 0.1 µF去耦组合,VCCQ与VCC分区供电,降低3.3 V纹波对1.8 V I/O的串扰;
3.散热焊盘下方开窗9×9阵列过孔,与内层GND相连,保证85°C满载时芯片表面温升<15 °C;
4.若系统需 –40°C启动,可在固件中打开“预热扫描”功能,RS70BT7G4S16G会在上电后延迟50 ms初始化,待内部温度>–10°C再开放HS400,避免低温误码。
三、性能实测
在 Ambient 25°C、FS 4 KB随机场景下,CrystalDiskMark 7.0成绩:
顺序读写 345 / 295 MB/s;
4 KB QD32随机读写65 / 48 MB/s;
4 KB QD1随机读写18 / 35 MB/s;
SLC Cache动态容量约6 GB,持续写入30 GB后速度稳定在90 MB/s,满足大部分工业记录或OS镜像升级需求。
老化测试:85°C高温持续写入1 TB,Host端无CRC报错,UBER为0;–20°C低温循环500次,平均启动时间92 ms,与常温相差<5 ms。
- 典型应用案例
- 智能电网集中器
ARM Cortex-A53主控+ RS70BT7G4S16G作为系统盘,运行Debian 11,存储负荷包括1个月 冻结电量、日志及远程升级包。现场运行2年,写入量22 TB,SMART显示剩余寿命92 %。
- 车载中控 IVI
车规级 –40°C ~ 85°C散热方案,RS70BT7G4S16G存放Android 12镜像与离线导航地图。车辆在黑龙江 –30°C冷启动3 s内进入UI,85°C曝晒4小时播放4K视频无花屏。
- 工业 IPC边缘网关
采用 RS70BT7G4S16G作为Docker数据卷,配合RAID1冗余,实现7×24小时数据采集。断电保护功能在500次异常掉电测试中,文件系统无损坏。
RS70BT7G4S16G以128 GB TLC容量、工业级 –20°C ~ 85°C温宽、400 MB/s级带宽及完善的断电保护机制,为严苛环境下的高可靠存储提供了高性价比之选。无论是在智能电网的十年级生命周期,还是在车载中控的瞬时冷启动场景,RAYSON均通过固件算法与封装可靠性设计,将3D TLC的耐久度提升到准SLC水准,帮助整机厂商降低BOM成本的同时,维持工业与车规级品质。随着边缘AI与车联网加速落地,RS70BT7G4S16G及其同系列产品将持续为数据驱动的未来提供坚实存储底座。
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聚焦5G基站等工控小型设备,佰维推出工业级宽温内存条

RAYSON工业级eMMC RS70BT7G4S16G宽温特性
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