0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

ir2104驱动芯片代换料ID7U603SEC-R1 600V半桥预驱方案

深圳市骊微电子科技 2023-03-29 09:24 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFETIGBT半桥驱动芯片,可兼容代换IR2104,应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动逆变器、全桥驱动逆变器等领域。

02a9899055564771a97cb76e1aab5730~tplv-tt-shrink:640:0.image?traceid=202303271405538E9DDFC21550EBB3522C&x-expires=2147483647&x-signature=J6u0Gy6AjRAw%2FLRPyh8%2Bgbk26a4%3D

ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特点

■ 浮动工作电压可达600V

■ 拉灌电流典型值210mA/360mA

■ 兼容3.3V/5V的输入逻辑电平

■ dV/dt抗干扰能力±50 V/nsec

■ 芯片工作电压范围10V~20V

■ VCC和VBS具有欠压保护功能

■ 防直通逻辑保护,死区时间典型值520ns

■ 所有通道延时匹配功能

6bf1643b386244269484d6e18877b1fe~tplv-tt-shrink:640:0.image?traceid=202303271405538E9DDFC21550EBB3522C&x-expires=2147483647&x-signature=Rv8jmu3iOpGMw4KuH4LTOrX9wgM%3D

IR2104国产替代芯片ID7U603SEC-R1可用于驱动2个N型功率MOSFET和IGBT构成的半桥拓扑结构,ID7U603SEC-R1是一块驱动芯片只能用于控制H桥一侧的2个MOS管,因此采用半桥驱动芯片时,需要两块该芯片才能控制一个完整的H桥。

c2246a746260498bbc45908059fa6a16~tplv-tt-shrink:640:0.image?traceid=202303271405538E9DDFC21550EBB3522C&x-expires=2147483647&x-signature=Vr8b9nctkqMJBfMQgqT4M79ku3w%3D

ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1 600V高压半桥栅极驱动浮动工作电压可达600V,10-20V 宽范围工作电压范围,输入兼容 3.3V、5V 逻辑工作电平,拉灌电流典型值210mA/360mA,具有防直通保护及欠压保护功能,可兼容代换IR2104,典型应用于高压风机和泵、步进马达等领域,更多国产替料ID7U603规格书、电路图等资料请向骊微电子申请。>>

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 芯片
    +关注

    关注

    463

    文章

    54639

    浏览量

    470990
  • 驱动
    +关注

    关注

    12

    文章

    2002

    浏览量

    88794
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    SiLM2207 600V门极驱动器,兼容3.3V逻辑,赋能高频开关电源

    您在设计家电压缩机、工业电机控制或变换器时,是否经常被高边驱动需要外置自举二极管、复杂的浮地设计、以及负向瞬态电压和dV/dt干扰导致误触发等问题反复困扰?SiLM2207 600V
    发表于 05-22 09:22

    SiLM2206CA 600V集成自举二极管驱动赋能家电与工业电机

    在高压电机驱动、开关电源及家用电器压缩机等应用中,门极驱动器需要兼顾高耐压、强抗干扰、低延迟及设计简洁性。传统方案需外置自举二极管,且抗
    发表于 05-12 08:19

    SiLM22815 600V4A门极驱动器,解决高压抗干扰痛点

    PCS稳定运行。 工业风机、传动设备。 /全变换器。 SiLM22815作为600V/4A
    发表于 04-13 08:18

    国际整流器公司高压模块IR062HD4C10U - P2与IR082HD4C10U - P2技术解析

    解析这两款模块。 文件下载: IR082H4C10U-P2.pdf 产品特性亮点 高电压与高性能 这两款模块采用配置的输出功率IGBT,额定击穿电压高达600V,能够适应
    的头像 发表于 03-28 15:30 675次阅读

    SiLM2285CA-DG 600V/4A高压驱动 适合IGBT/MOSFET驱动

    SiLM2285CA-DG作为一款高压驱动芯片,在驱动能力、响应速度以及保护特性上实现了良好平衡。其
    发表于 03-10 08:24

    高压驱动优选:SLM21814CJ-DG 600V高低边驱动器,集成自举供电设计

    SLM21814CJ-DG是一款单芯片集成的高低边门极驱动器,专为驱动高压拓扑中的MOSFET和IGBT设计。其高压侧通道采用浮动设计,
    发表于 01-26 08:28

    驱动器SiLM2207,以600V耐压与集成设计简化高压驱动

    供290mA/600mA的驱动输出,可有效简化高压拓扑设计,为成本敏感型高压应用提供稳定可靠的驱动
    发表于 01-10 09:02

    LM2104:高效驱动芯片的技术剖析与应用指南

    一款107 - V、0.5 - A、0.8 - A的驱动芯片,具备8 - V欠压锁定(UVL
    的头像 发表于 01-07 11:20 507次阅读

    SiLM2285 600V/4A门极驱动工业与新能源解决方案

    解决这些问题来的。这款600V、4A输出的驱动器,用更强的抗干扰、更高的效率以及更简洁的高边驱动设计,能让高压驱动设计变得更省心、更可靠。它主要有哪些特点? 扛得住干扰,稳得住高压:能
    发表于 01-04 08:59

    SiLM2285 600V/4A高可靠性门极驱动

    600V、4A/4A 门极驱动SiLM2285,超强抗干扰、高效驱动、高边直设计三大核心优
    发表于 10-21 09:09

    SiLM2285 600V/4A驱动芯片 赋能工业与新能源高效升级

    在工业电机控制、新能源逆变器及大功率开关电源等高压应用领域,系统设计长期面临着高压干扰、驱动效率低下以及高边驱动设计复杂的核心痛点。为应对这些挑战,600V
    发表于 09-05 08:31

    SLM2184SCA-13GTR 600V耐压、3.3V逻辑兼容的高压驱动芯片

    ,是各种高压和全拓扑的简洁解决方案。核心优势解析: 高压与强驱动力: 芯片的浮动通道设计支
    发表于 08-26 09:15

    SiLM2186CA-DG 600V可靠高效代替IR2186驱动解决方案

    代替IR2186,为600V以下的MOSFET和IGBT应用提供高性价比的单芯片驱动方案。核心优势:高压
    发表于 08-23 09:36

    SiLM228x系列SiLM2285 600V/4A驱动,直击高压高功率应用痛点

    600V/4A/4A门极驱动器(SOP8封装),正是为解决这些难题而生,为工业与新能源应用提供高效、可靠的驱动解决
    发表于 08-08 08:46

    BDR6307B 600V高压驱动芯片中文手册

           BDR6307B是一款耐压600V栅极驱动芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出
    发表于 05-27 17:21 2次下载