卫光科技李朴：600V超结MOSFET器件研究

近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织、西安和其光电股份有限公司等单位协办。

期间，“平行论坛1：功率半导体器件设计及集成应用”上，西安卫光科技有限公司器件研究中心工程师李朴带来《600V超结MOSFET器件研究》的主题报告。详细分享了600V 超结MOSFET研究过程与成果。

报告中介绍，随着功率半导体应用领域逐渐扩大，当应用在计算机和航空电子等领域中时，低导通压降能够缩小整机的冷却系统，从而降低整机尺寸和成本，所以用户对器件的导通电阻提出了更高的要求。

而传统功率MOSFET中击穿电压与导通电阻的关系，始终被限制在了“硅限”2.5次方，难以克服。为了能突破发展瓶颈，“超结理论”应运而生，极大的推动了功率半导体的发展。基于超结理论的器件能够在保证击穿电压的同时，进一步提高N柱区掺杂浓度，从而减小通态电阻，将击穿电压与通态电阻的限制关系优化到1.3次方。

报告对SJMOS的基本工作原理进行分析，进而利用仿真软件对600V SJMOS的元胞区工艺进行工艺仿真，并对其击穿电压、导通电阻、阈值进行了优化。最终得到元胞区仿真击穿电压722V，阈值电压3.04V，特征导通电阻27mΩ•cm2。