四种类型的MOSFET的主要区别

四种类型的MOSFET的电路符号

MOSFET （Metal -Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是金属-氧化物半导体场效应晶体管的英文缩写，由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同，可以分为N沟道-增强型MOSFET、N沟道-耗尽型MOSFET、P沟道-增强型MOSFET、P沟道-耗尽型MOSFET四种类型。

四种类型的MOSFET的主要区别如下：

N沟道-增强型MOSFET

导电沟道是N型半导体，开通电压VTH ＞0V。当栅-源电压VGS =0V时，其导电沟道尚未形成，器件处于关断状态；当外加栅-源电压VGS >VTH时，其导电沟道因反型而形成，器件处于开通状态。由于在栅-源电压零偏时，器件处于关断状态，增强型器件又称为“常关”（Normally Off）器件。

N沟道-耗尽型MOSFET

导电沟道是N型半导体，关断电压VGS (OFF) ＜0V。当栅-源电压VGS =0V时，其导电沟道就已经存在，器件处于导通状态；当外加栅-源电压VGS ＜VGS(OFF) 时，其导电沟道因耗尽而消失，器件处于关断状态。由于在栅-源电压零偏时，器件处于导通状态，耗尽型器件又称为“常开”（Normally On）器件。

P沟道-增强型MOSFET

导电沟道是P型半导体，开通电压VTH ＜0V。当栅-源电压VGS =0V时，其导电沟道尚未形成，器件处于关断状态；当外加栅-源电压VGS ＜VTH时，其导电沟道因反型而形成，器件处于开通状态。

P沟道-耗尽型MOSFET

导电沟道是P型半导体，关断电压VGS(OFF) ＞0V。当栅-源电压VGS =0V时，其导电沟道就已经存在，器件处于导通状态；当外加栅-源电压VGS ＞VGS(OFF) 时，其导电沟道因耗尽而消失，器件处于关断状态。