美格纳推出第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管

美格纳半导体宣布推出微纳加工增强型第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET)。

这款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用 180nm 微纳加工工艺和美格纳的最新设计技术制造。这项先进的技术通过将电池间距降低 50% 和导通电阻 RDS(on) 降低 42%，增强了之前的 SJ MOSFET 迭代。因此，该产品采用相同的十瓦封装 (DPAK)，同时提供 175mΩ 的低 RDS(on) 和出色的功率密度。

此外，与上一次迭代相比，总栅极电荷减少了约29%，从而降低了开关损耗并提高了电源效率。事实上，该产品的电源效率是其最重要的特性之一，因为它为产品设计人员提供了各种应用的灵活性。此外，在栅极和源极之间嵌入了齐纳二极管，以增强MOSFET在应用中的鲁棒性和可靠性，并保护其免受外部浪涌和静电放电的影响。

这款新型600V SJ MOSFET具有高效率、灵活设计和可靠性，可用于各种应用，包括服务器、OLED电视和笔记本电脑快速充电器。全球市场研究公司 Omdia 预测，2023 年至 2027 年间，全球服务器出货量将以每年 8% 的速度增长，而全球 OLED 电视出货量将以每年 11% 的速度增长，到 2027 年将达到 930 万台。

据美格纳称，该公司计划在 2024 年发布更多第 6 代 SJ MOSFET，包括带有快速恢复体二极管的 MOSFET。

审核编辑：彭菁