规格书中会给出一颗元件的相关参数值和曲线。在设计初期选择元件时，通过这些参数可以评估某颗元件是否适合应用在需要的电路中。在规格书中，一些参数的测试条件（也就是得到这些参数的先决条件）是很关键的。很多时候，虽然是同一类元件，不同供应商的测试条件不同，参数值也会有差异。
2023-08-31 10:18:13
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众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率
2023-10-18 09:11:42622 
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
`<p><font face="Verdana">N沟道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
;<p align="left">这款FDN359AN是N沟道逻辑电平MOSFET的生产采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程，特别是
2010-04-15 09:51:37
N沟道MOSFET驱动电路LTC4446资料下载内容主要介绍了：LTC4446功能和特点LTC4446引脚功能LTC4446内部方框图LTC4446应用电路
2021-04-15 06:53:16
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极施加正电压时，FET导通。N 沟道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它们
2023-02-02 16:26:45
），基本原则就是在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOS管。小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，工程师在选择
2023-02-17 14:12:55
[table=98%]N沟道增强型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]该TDM31066采用先进的沟槽技术[td=331]RDS（ON）
2018-11-12 15:55:20
`N沟道增强型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征该TDM31066采用先进的沟槽技术RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=98%]N沟道增强型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征该TDM3550采用先进的沟槽技术◆40V/ 100A[tr]提供优异的RDS（ON）和低门电荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
能力的快照。本网上广播将提供功率MOSFET数据表概览，和阐明具体的数据表参数和定义。 功率MOSFET有各种各样的尺寸、配置和封装，取决于目标应用的需求。功率MOSFET的尺寸从行业最小的封装
2018-10-18 09:13:03
。功率 MOSFET 的分类及优缺点和小功率 MOSFET 类似，功率 MOSFET 也有分为 N 沟道和 P 沟道两大类；每个大类又分为增强型和耗尽型两种。虽然耗尽型较之增强型有不少的优势，但实际上
2019-11-17 08:00:00
-4 毫欧），在低压大电流输出的DC/DC 中已是最关键的器件。六、包含寄生参数的功率MOSFET等效电路1）等效电路：2）说明：实际的功率MOSFET 可用三个结电容，三个沟道电阻，和一个内部二极管及一个
2021-08-29 18:34:54
；包含寄生参数的功率MOSFET等效电路（1）：等效电路（2）：说明实际的功率MOSFET 可用三个结电容，三个沟道电阻，和一个内部二极管及一个理想MOSFET 来等效。三个结电容均与结电压的大小
2021-09-05 07:00:00
，合适于功率MOSFET的应用。这种结构称为垂直导电双扩散MOS结构VDMOSFET（Vertical Double Diffused MOSFET）。N沟道MOSFET衬底为高掺杂的N+衬底，高掺杂沟道
2016-10-10 10:58:30
e图2：空穴和电子的迁移率迁移率和tc成正比，由于空穴的有效质量比较大，因此在同样的掺杂浓度下，空穴的迁移率远小于电子，这意味着：同样的晶元面积，P沟道的功率MOSFET的导通电阻也远大于N沟道的功率
2016-12-07 11:36:11
`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS（有时候叫做BVDSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
。为了改善某些参数的特性，如提高工作电流、提高工作电压、降低导通电阻、提高开关特性等有 不同的结构及工艺，构成所谓VMOS、DMOS、TMOS等结构。图2是一种N沟道增强型功率场效应管(MOSFET
2011-12-19 16:52:35
车规级GPS模块有哪些特征？
2021-05-18 06:54:02
影响引发的全球汽车芯片短缺已持续了2年多，导致车用MCU一芯难求，给本土MCU企业营造了良好的新发展机遇。值得一提的是，与消费类MCU出现库存积压情况不同，车规级MCU目前仍处于短缺状态，业内多家机构
2023-02-03 12:00:10
`各位今天聊聊车规级的芯片选型。如果需要的芯片没有车规级别的，但又工业级别的。从稳定性，可靠性方面考虑，应该要层元器件的那些特性为主要的考虑因素呢，是温度？`
2015-10-15 14:22:18
车规二级管，有通过AEC-Q101、TS16949、IATF16949希望对所有汽车电子设计有帮助，产品特点：1.领先全球薄型封装片式二级管： 0402/0603/0805/1206/2010
2018-02-09 15:22:44
`AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技术，具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39:05
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-13 09:16:34
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管`
2012-08-20 08:03:59
BSS123 - 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
GW2A 系列 FPGA 产品(车规级)数据手册主要包括高云半导体 GW2A系列 FPGA 产品(车规级)特性概述、产品资源信息、内部结构介绍、电气特性、编程接口时序以及器件订货信息，帮助用户快速了解高云半导体 GW2A系列 FPGA 产品(车规级)特性，有助于器件选型及使用。
2022-09-29 07:47:16
`ISA04N65A N沟道MOSFETTO-220F 应用范围特征： •适配器•符合RoHS标准 •充电器•低导通电阻 •SMPS待机功率•低门电荷 •LCD面板电源•峰值电流与脉冲宽度曲线 [/td][td]•ESD功能得到改善`
2018-09-06 13:43:36
`ISU04N65A N沟道 MOSFETISU04N65A N沟道MOSFETTO-251 应用范围特征： •适配器•符合RoHS标准 •电视主要电源•低导通电阻 •SMPS电源•低门电荷
2018-09-06 13:45:25
LED灯功率的大小与安规电容之间的关系，安规电容大，功率就大吗?
2019-12-16 09:30:05
LT1158上单个输入引脚的典型应用同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
龙迅2023年Q4推出了车规级LT9211D_U2Q07CAN，通过AEC-Q100 二级测试合格。本篇技术资料为R1.1更新版本，PDF添加TS/TJ和ESD数据。LT9211D为目前大陆市场
2024-03-11 22:26:05
编辑-Z场效应晶体管是一种电压控制器件，根据场效应管的结构分为结型场效应（简称JFET）和绝缘栅场效应（简称MOSFET）两大类。按沟道材料：结型和绝缘栅型分为N沟道和P沟道。根据导电方式：耗尽型
2021-12-28 17:08:46
控制器件。当空穴浓度形成沟道时，由于负栅极电压的增加，整个沟道的电流得到改善，因此这被称为 P沟道增强型MOSFET。2、P沟道耗尽型MOSFETP沟道耗尽型MOSFET结构与N沟道耗尽型MOSFET
2022-09-27 08:00:00
IC图2：用自举电路对高侧N沟道MOSFET进行栅控极性决定了MOSFET的图形符号。不同之处在于体二极管和箭头符号相对于端子的方向。图3：P沟道和N沟道MOSFET的原理图注意体二极管和箭头相对漏极
2018-03-03 13:58:23
PCA9685是车规级的么？我想要一个车规级的PWM输出信号芯片（引脚越多越好）有没有推荐。TLC5940-EP怎么样
2021-05-24 09:43:54
深圳市三佛科技有限公司 供应 SLN30N03T30V 30A N沟道 MOS，原装现货热销 SLN30N03T参数： 30V30ADFN3*3-8 N沟道MOS管品牌：美浦森
2021-04-07 14:57:10
作用导致反向工作时的压降降低呢？AO4459的一些特性如下：图2：AO4459的二极管特性图3：AO4459的传输特性VTH是功率MOSFET的固有特性，表示功率MOSFET在开通过程中沟道形成的临界
2017-04-06 14:57:20
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
大家好如题，i.MX RT1170车规级产品有AEC-Q100认证吗？如果是，能否提供相关文件？
2023-03-15 08:24:23
Firefly推出了专门为工业和汽车领域而打造的RK3588产品系列，除了之前已发布的核心板系列之外，目前同步推出了以下两款主板产品：8K AI工业主板：AIO-3588JQ车规级AI主板
2022-10-28 16:39:48
本帖最后由 暗星归来 于 2016-9-6 12:53 编辑
如题，因为要对电池进行管理，对充电过程和放电过程控制其何时开始充电、停止充电、何时放电、何时停止放电，所以用两个N沟道增强型
2016-09-06 12:51:58
车规级共模扼流圈
过滤汽车和工业应用中的功率和信号噪声
Abracon最新的共模扼流圈（CMC）可用于电源线和信号线的应用。此外，信号线CMC可以支持can、can-FD和以太网数据传输中的噪声
2023-09-12 14:48:02
` 谁来阐述一下什么是车规级芯片？`
2019-10-18 10:55:55
`电容会分成很多种，电解电容、钽电容等等，那什么是车规电容？`
2019-09-30 14:46:18
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
背靠背的功率MOSFET，使用N沟道需要控制芯片内部集成驱动的充电泵，使用P沟道可以直接驱动。2、选取封装类型功率MOSFET的沟道类型确定后，第二步就要确定封装，封装选取原则有：（1）温升和热
2019-04-04 06:30:00
各位好，有没有2个N沟道和2个P沟道的集成芯片推荐，电流大于1A就可以了，谢谢
2021-10-11 10:27:45
的功率损耗。这些功率损耗会引起发热，需要设计人员执行散热管理，从而增加系统成本和解决方案尺寸。二极管的另外一个缺点就是较高的反向泄露电流—最高会达到大约1mA。用N沟道MOSFET替换高损耗二极管可以通过
2018-05-30 10:01:53
所示。Q1为放电管，使用N沟道增强型MOSFET,实际的工作中，根据不同的应用，会使用多个功率MOSFET并联工作，以减小导通电阻，增强散热性能。RS为电池等效内阻，LP为电池引线电感。 正常工作
2018-09-30 16:14:38
。功率 MOSFET 的分类及优缺点和小功率 MOSFET 类似，功率 MOSFET 也有分为 N 沟道和 P 沟道两大类；每个大类又分为增强型和耗尽型两种。虽然耗尽型较之增强型有不少的优势，但实际上
2019-11-17 08:00:00
沟道MOSFET也可用作降压稳压器高侧开关。这些应用需要自举电路或其它形式的高侧驱动器。图1：具有电平移位器的高侧驱动IC。图2：用自举电路对高侧N沟道MOSFET进行栅控。极性决定了MOSFET的图形
2021-04-09 09:20:10
求可靠的生产厂家，车规级器件。求推荐
2017-05-12 10:21:28
基于Richtek RTQ7880的车规级充电装置有哪些核心技术优势？
2021-08-06 06:19:11
PWM输出信号芯片类似于PCA9685这种，引脚越多越好，需要是车规级。继电器控制输出芯片类似于TLE6244X这种，也需要是车规级，急需，感谢大家
2021-05-25 15:31:03
使用全桥电路结构，每个桥臂上管可以使用P管，也可以使用N管。（2）通信系统48V输入系统的热插拨MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。（3）笔记本电脑输入回路串联的、起防反接和负载开关作用的二个背靠背的功率MOSFET，使用N沟道需要控制芯片内部集成驱动的充电泵，使用P沟道可以直接驱动。`
2020-03-05 11:00:02
/252T属性参数值商品目录场效应管(MOSFET)[/td]类型N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)4A功率(Pd)50W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω 10V,2
2021-09-09 15:47:31
测试电路(c) Crss测试电路(d) 标准的LCR图2：寄生电容测试电路功率MOSFET栅极的多晶硅和源极通道区域的电容决定了这些参数，其不具有偏向的敏感度，也非常容易重现。沟槽型功率MOSFET
2016-12-23 14:34:52
谁能推荐一些国内车规级的电子元器件厂商？主要是电源IC、ADC、逻辑IC、复位IC、高低边IC等等，其它的分立元器件也可以推荐，要国产的，谢谢！本人在国内一线整车厂上班。
2019-12-04 11:38:53
请问车规级芯片到底有哪些要求？
2021-06-18 07:56:37
LTC2924，采用外部N沟道MOSFET的电源排序的简单紧凑型解决方案
2019-04-16 06:07:32
汽车类电子的客户首先选择车规级电感厂家看的是什么呢？是规模吗？是质量吗？是服务吗？都不是，首先看车规级电感厂家有没有TS16949认证。为什么汽车类电子客户首先要求车规级电感厂家拥有TS16949
2020-06-22 11:59:24
2023年2月20日，国民技术在深圳正式推出兼具通用性、硬件安全性和车规级高可靠性等优势特性的N32A455系列车规级MCU并宣布量产。这是继N32S032车规级EAL5+安全芯片之后，国民技术发布
2023-02-20 17:44:27
功率MOSFET的结构和工作原理功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P
2008-08-12 08:43:32
103 N加P沟道增强型MOSFET管
N加P沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:43:3925 随着电能变换技术的发展，功率MOSFET在开关变换器中开始广泛使用，为此美国硅通用半导体公司（Silicon General）推出SG3525。SG3525是用于驱动N沟道功率MOSFET。其产品一推出就受到广泛
2010-09-25 16:44:45252 随着这种新器件的发布，采用四种表面贴装封装类型的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET现已供货，其中包括耐热增强型PowerPAK® SO-8封装，它可在SO-8占位面积
2009-09-12 17:42:02772 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:52777 P沟道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351551 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET®功率
2011-10-21 08:53:05873 电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道耗尽型功率
2021-05-27 12:18:587444 
LT1158：半桥N沟道功率MOSFET驱动器数据表
2021-05-20 18:32:193 功率MOSFET特性参数的理解
2022-07-13 16:10:3924 由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道MOSFET或N沟道MOSFET作为主开关。
2022-11-18 11:28:212478 ”。它是由金属、氧化物（SiO2或SiN）及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET（PowerMOSFET）是指它能输出较大的工作电流（几安到几十安），用于功率输出级的器件。功率MOSFET可分为增强型和耗尽型，按沟道分又可分为N沟道型和P沟道型。
2023-02-15 15:47:36426 在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005293 
电子发烧友网站提供《P沟道增强模式功率MOSFET G040P04M规格书.pdf》资料免费下载
2023-09-19 17:29:110 和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。
2023-10-25 10:42:27493 
RU2060LN沟道功率MOSFET
2021-11-17 15:33:060 骊微电子提供RU2060LN沟道功率MOSFET详细手册及应用资料！
2021-11-19 16:02:420
电子发烧友App
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