FDV303N N沟道MOSFET的功能特性

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型号：FDV303N

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

活动价：低至￥0.4565

FDV303N是一款N沟道 MOSFET。这种器件通常用于开关和放大电路中，可以控制电流流动并放大信号，其主要功能特性包括：

低功耗：这款 MOSFET 具有低静态功耗特性，适用于需要节能的电路设计。

小封装：通常采用小型封装，适用于需要在有限空间内集成的应用。

低阈值电压：该器件的阈值电压（Gate Threshold Voltage）通常较低，这意味着较小的输入电压就可以控制器件的导通和截止。

开关应用：可以用作开关，将控制信号应用于其栅极，以控制其通道的导通和截止，从而控制电流流动。

模拟应用：除了开关应用外，这种 MOSFET 也可以用于模拟电路中，作为信号放大器或电压控制元件。

通用用途：属于一类通用用途的 MOSFET，适用于多种不同的电路设计。

规格参数

功能特性

•25 V，0.68 A连续，2 A峰值

•RDS（ON）=0.45Ω@VGS=4.5 V

•RDS（ON）=0.6Ω@VGS=2.7 V

•允许在3 V电路中直接操作的极低电平栅极驱动要求，VGS（th）<1 V 

•用于ESD坚固性的门-源齐纳，>6 kV人体模型

•紧凑型工业标准SOT−23表面安装封装

•该设备不含Pb−、无卤素/BFR，符合RoHS标准

引脚分配图

功能框图

瞬态热响应曲线

封装设计参数

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审核编辑：汤梓红