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金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
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浮思特 | 至信微SMC300HB120E2A1碳化硅模块:高功率应用的高效之选
在新能源汽车、储能系统以及高端工业设备持续发展的背景下,功率器件正朝着“更高效率、更高功率密度、更高可靠性”的方向不断演进。其中,碳化硅(SiC)器件凭...
安森美SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析
碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,从碳化硅如何...
浮思特 | SiC功率模块新标杆:至信微SMC300HB120E2A1如何重塑高压功率设计
在新能源与高功率电子快速发展的背景下,功率器件正朝着更高效率、更高频率与更高可靠性的方向不断演进。尤其是在电动汽车快充、储能系统及工业电源等场景中,传统...
SiC碳化硅功率半导体时代的EMI建模实战:如何利用示波器FFT结果反推PCB布线缺陷
SiC碳化硅功率半导体时代的EMI建模实战:如何利用示波器FFT结果反推PCB布线缺陷 宽禁带半导体技术演进与电磁兼容(EMC)的深刻变革 在全球能源结...
浮思特 | 面向1500V系统,至信微2000V SiC二极管带来哪些改变
在高压电源系统持续向高效率、高可靠性演进的背景下,器件选型的重要性愈发凸显。尤其是在1500V系统逐渐成为主流的今天,传统器件在耐压裕量、损耗控制以及高...
碳化硅 (SiC) MOSFET 功率器件热设计基础与工程实践
在电力电子行业向高效化、高功率密度转型的背景下,碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体的核心代表,正凭借其优异的物理特性重塑功率器件市场格局。电子聚焦新...
一文读懂SiC功率模块datasheet所有细节:特征参数、特性曲线与工程应用全解析
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氮化硼垫片在第三代半导体功率器件SiC碳化硅IGBT单管内外绝缘应用方案
摘要随着电力电子技术的飞速发展,第三代半导体材料SiC碳化硅因其优异的物理和电学性能,在IGBT单管等高性能器件中得到了广泛应用。绝缘方案作为影响SiC...
SiC功率模块应用全景解读:标称/极限特征参数、电气/热/机械特性、特性曲线与应用函数解读、实践笔记
-关于SIC关键特性参数应用指南v1.0版本,全文21000字-文字原创,素材来源:Danfoss,infineon,NXP,ROHM,网络-非授权不得...
Si/SiC功率半导体选型与应用指南:两类器件特性、4种控制策略与拓扑、多种动力构型/驾驶循环/性能需求
-关于选IGBT还是SIC的解读-来源:Infineon,Xpeng,Yole,SysPro-在保证原主旨基础上,对内容进行重构和扩展说明-更多体系化内...
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