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金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。

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详解电力电子领域碳化硅(SiC)的热行为

碳化硅(SiC)在功率电子学中相比传统的硅工艺技术具有众多优势。它结合了更高的电子迁移率、更宽的带隙和更好的热导率。得益于这些特性，SiC器件相比于同等...

2024-07-19 标签：SiC 碳化硅功率电子 6.7万 0

SiC的电力电子器件的主要优势

汽车行业正在经历从内燃机（ICE）汽车到电动汽车（EV）的前所未有的转型。在全球遏制二氧化碳排放的法规的推动下，预计到45年，电动汽车将达到新车总销...

2023-09-18 标签：电流逆变器电力电子器件 4.3万 0

什么是碳化硅（SiC）？

碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体材料可用于制造芯片，这是半导体行业的基石。碳化硅是通过在电阻炉中高温熔化石英砂，石油焦，锯末等原材料而制造的。

2023-02-02 标签：芯片半导体材料 SiC 3.0万 0

浅谈特斯拉TPAK（Tesla Pack）封装那些事

从一开始的TO-247封装的IGBT单管并联，到单管电流等级需求优化的TO-247Plus封装的IGBT并联，到如今的TPAK封装，可以说将单管并联方式...

2023-09-20 标签：IGBT 特斯拉 SiC 2.8万 0

为SiC MOSFET选择合适的栅极驱动芯片,需要考虑几个方面?

SiC MOSFET与传统硅MOSFET在短路特性上有所差异，以英飞凌CoolSiC™ 系列为例，全系列SiC MOSFET具有大约3秒的短路耐受能力。...

2018-06-15 标签：MOSFET SiC 驱动芯片 2.6万 0

SiC材料到底有多大的作用？

亿纬锂能采取多元化品类并存路线，包括锂原电池、复合电源、消费类锂离子电池及动力/储能电源系统等。在动力方面的主要产品类型包括：圆柱三元(18650/21...

2018-06-22 标签：SiC 2.1万 0

碳化硅介绍：三种SiC衬底制作方法对比

碳化硅的禁带宽度是硅的2-3倍，在高温下电子不易发生跃迁，可耐受更高的工作温度，且碳化硅的热导率是硅的4-5倍，使得器件散热更容易，极限工作温度更高。耐...

2023-07-07 标签：MOSFET SiC 碳化硅 2.0万 0

SiC MOSFET学习笔记：各家SiC厂商的MOSFET结构

当前量产主流SiC MOSFET芯片元胞结构有两大类，是按照栅极沟道的形状来区分的，平面型和沟槽型。

2023-06-07 标签：芯片 MOSFET JFET 1.9万 0

碳化硅用途主要有哪些方面

碳化硅的应用越来越广泛，而现在科技市场的大力发展，碳化硅的功劳也是不容小觑，碳化硅在工业方面的应用可以说是比较广泛、经济的一种，那么碳化硅用途主要有哪些...

2023-02-05 标签：SiC 碳化硅 1.7万 0

详解硅片的研磨、抛光和清洗技术

在半导体和LED的制造中，需要研磨以使晶片的厚度变薄，以及抛光以使表面成为镜面。在半导体器件的制造中，半导体制造工艺包括:（1）从晶体生长开始切割和抛光...

2022-04-20 标签：SiC 硅片清洗 1.7万 0

碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）

一旦硅开始达不到电路需求，碳化硅和氮化镓就作为潜在的替代半导体材料浮出水面。与单独的硅相比，这两种化合物都能够承受更高的电压、更高的频率和更复杂的电子产...

2022-12-13 标签：晶体管 SiC 氮化镓 1.6万 0

使用LTspice估算SiC MOSFET的开关损耗

为了正确利用这种能源，必须采用并大量使用转换器，其目的是将一种能源转换成另一种更适合最终使用的能源。今天，这些公司专注于减少转换器的重量和体积，以及提高...

2022-08-05 标签：转换器 MOSFET SiC 1.5万 0

何谓全SiC功率模块?

罗姆在全球率先实现了搭载罗姆生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模...

2018-05-17 标签：SiC 功率模块 1.5万 0

半导体材料Si、SiC和GaN 优势及瓶颈分析

作为半导体材料“霸主“的Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。

2020-09-11 标签：SiC GaN 半导体器件 1.4万 0

三菱电机SiC功率模块的发展里程碑

2015年4月，Bodo’s Power上报道了三菱电机1款800 A/1200 V的全SiC 2in1模块（FMF800DX-24A）[3]。为了有效...

2018-05-26 标签：三菱电机 SiC 功率模块 1.3万 0

驻波效应是什么？如何产生的？有什么危害？如何抑制驻波效应？

驻波效应，在先进光刻制程中一个不可忽视的现象，能引发一系列的光刻质量问题，以至于严重影响着图案的精度。

2023-10-13 标签：SiC 碳化硅 1.3万 0

Si、SiC和GaN这三种材料共存，到底该如何选择

碳化硅（SiC）是最成熟的WBG宽带隙半导体材料，它已经广泛用于制造开关器件，例如MOSFET和晶闸管。氮化镓（GaN）具有作为功率器件半导体的潜力，...

2020-04-30 标签：英飞凌半导体 sic 1.3万 1

三种功率器件的应用区别

GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）、Si MOSFET（硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶...

2024-07-18 标签：MOSFET 半导体晶体管 1.3万 0

化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展

碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在...

2023-02-16 标签：半导体工艺功率器件 1.3万 0

25 kW SiC直流快充设计指南：DC-DC级的设计考虑因素和仿真

作者：安森美(onsemi)Karol Rendek, Stefan Kosterec 在“开发基于碳化硅的25 kW快速直流充电桩” [1-3] ...

2022-05-10 标签：仿真 DC-DC SiC 1.2万 0

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　　阈值电压（Threshold voltage）：通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。
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Navitas 成立于 2014 年，开发的超高效氮化镓（GaN）半导体在效率、性能、尺寸、成本和可持续性方面正在彻底改变电力电子领域。Navitas 这个名字来源于拉丁语中的能源，它不仅体现了我们对开发技术以改善和更可持续的能源使用的关注，还体现了我们到 2026 年为估计 13B 美元的功率半导体市场带来的能源。
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董明珠，出生于江苏南京，企业家，先后毕业于安徽芜湖职业技术学院、中南财经政法大学EMBA2008级、中国社会科学院经济学系研究生班、中欧国际工商学院EMBA 。　　1990年进入格力做业务经理。 1994年开始相继任珠海格力电器股份有限公司经营部部长、副总经理、副董事长。并在2012年5月，被任命为格力集团董事长。连任第十届、第十一届和第十二届全国人大代表，担任民建中央常委、广东省女企业家协会副会长、珠海市红十字会荣誉会长等职务。2004年3月，当选人民日报《中国经济周刊》评选的2003-2004年度“中国十大女性经济人物”。2004年6月被评为“受MBA尊敬的十大创新企业家”和2004年11月被评为“2004年度中国十大营销人物”
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