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电子发烧友网>模拟技术>SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别

SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别

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2023-02-16 09:40:102938

使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例-设计案例电路

上一篇文章对设计中使用的电源IC进行了介绍。本文将介绍设计案例的电路。准谐振方式:上一篇文章提到,电源IC使用的是SiC-MOSFET驱动用AC/DC转换器控制IC“BD7682FJ-LB”。
2023-02-17 09:25:06380

使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例-PCB板布局示例

截至上一篇文章,结束了部件选型相关的内容,本文将对此前介绍过的PCB电路板布局示例进行总结。使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的PCB布局示例
2023-02-17 09:25:07397

使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例 小结

此前共用19个篇幅介绍了“使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例”,本文将作为该系列的最后一篇进行汇总。该设计案例中有两个关键要点。一个是功率开关中使用了SiC-MOSFET
2023-02-17 09:25:08480

SiC-MOSFET的特征

功率转换电路中的晶体管的作用非常重要,为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化,一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过,如低损耗、高速开关、高温工作等,显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较,进一步加深对SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47203

SiC-MOSFETSi-MOSFET区别

本文将介绍与Si-MOSFET区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。
2023-02-23 11:27:57736

SiC-MOSFET的体二极管的特性

如图所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET的结构上讲,体二极管是由源极-漏极间的pn结形成的,也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于MOSFET来说,体二极管的性能是重要的参数之一,在应用中使用时,其性能发挥着至关重要的作用。
2023-02-24 11:47:402315

沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品

SiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET
2023-02-24 11:48:18426

SiC-MOSFET的应用实例

本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容,总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。
2023-02-24 11:49:19481

SiC-MOSFET的可靠性

ROHM针对SiC上形成的栅极氧化膜,通过工艺开发和元器件结构优化,实现了与Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784

SiC MOSFET学习笔记(三)SiC驱动方案

如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片?(英飞凌官方) 由于SiC产品与传统硅IGBT或者MOSFET参数特性上有所不同,并且其通常工作在高频应用环境中, 为SiC MOSFET选择合适的栅极
2023-02-27 14:42:0479

SiC MOSFET学习笔记(四)SiC MOSFET传统驱动电路保护

碳化硅 MOSFET 驱动电路保护 SiC MOSFET 作为第三代宽禁带器件之一,可以在多个应用场合替换 Si MOSFET、IGBT,发挥其高频特性,实现电力设备高功率密度。然而被应用于桥式电路
2023-02-27 14:43:028

SiC-MOSFETSi-MOSFET区别 SiC-MOSFET与IGBT的区别

率转换电路中的晶体管的作用非常重要,对其改良可以实现低损耗与应用尺寸小型化。SiC 功率元器件半导体具有低损耗、高速开关、高温工作等优势。
2023-08-23 12:48:23368

SiC-MOSFET与IGBT的区别是什么

相对于IGBT,SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗,实现了高频率工作,有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET,导通电阻较小,可减少相同导通电阻的芯片面积,并显著降低恢复损耗。
2023-09-11 10:12:33566

硅IGBT与碳化硅MOSFET的优缺点

Si IGBT和SiC MOSFET之间的主要区别在于它们可以处理的电流类型。一般来说,MOSFET更适合高频开关应用,而IGBT更适合高功率应用。
2023-10-17 14:46:401040

Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法

Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法
2023-11-29 16:16:06149

SiC MOSFETSi MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比

SiC MOSFETSi MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比
2023-12-05 14:31:21258

SiC MOSFET的桥式结构

SiC MOSFET的桥式结构
2023-12-07 16:00:26157

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