CY,但注意,指定的位地址中的值本身并不发生变化。
例:ANL C,/P1.0
设执行本指令前,CY=1,P1.0等于1(灯灭),则执行完本指令后CY=0,而P1.0也是等于1。
可用下列程序验证
2026-01-05 06:48:31
光刻胶涂覆不均匀或者曝光参数有偏差,会导致图案模糊或偏移。这会直接影响到后道工序中的布线等操作。在芯片封装这种后道工序中,若前道工序给出的芯片尺寸不准确,可能会导
2025-12-22 15:18:33
339 
尽管不像非嵌入式计算机那么常见,嵌入式系统还是有从堆(heap)中动态分配内存的过程的。
那么嵌入式系统中,动态分配内存可能发生的问题是什么?
这 里,我期望应试者能提到内存碎片,碎片收集
2025-12-22 09:42:25
围坝填充胶(Dam&Fill,也称Dam-and-Fill或围堰填充)工艺是芯片封装中一种常见的底部填充(Underfill)或局部保护技术,主要用于对芯片、焊点或敏感区域提供机械支撑
2025-12-19 15:55:13
957 
探索AMD XILINX Versal Prime Series VMK180评估套件,开启硬件创新之旅 在电子设计的领域中,快速实现原型设计并确保高性能是每一位工程师的追求。AMD XILINX
2025-12-15 14:40:02
229 配置文件损坏不仅会导致电能质量在线监测装置功能异常,还可能引发 数据安全、运维安全、设备安全、合规安全 四大类安全风险,尤其在电力系统、工业配电等关键场景中,风险可能传导至电网或生产系统,造成
2025-12-10 16:37:30
225 
任何光伏(PV)系统中,安全性和正常运行时间都取决于选择正确和快速的接地和故障检测方法。但是,当线缆或接头绝缘被破坏或导体与接地部件接触时,可能会发生直流接地故障,给人员、设备和生产带来严重风险。
2025-12-10 10:38:15
576 操作人员认为,只要电池包气密性检测设备能正常运行,就不需要频繁校准。实际上,气密性检测设备的精度会随着使用时间和环境因素发生变化。如果不定期校准,检测结果可能会出现
2025-11-28 10:41:52
195 
在示波器的日常使用中,部分用户可能会发现触发电平已经与沿相交了,但是并没有实际触发到信号。
2025-11-28 09:57:07
4205 
1、指令冗余
在双字节指令和三字节指令后插入两个NOP指令,防止抛费程序错误执行后续指令。
对关键指令如RET、RETI、LCALL、LJMP、JC等,其后插入两条NOP指令,确保程序执行正确
2025-11-25 07:20:31
一定的余量或降额使用元器件;提高印制板和组装的质量。
(2)冗余与容错设计
保证单片机应用系统100%无故障是不可能的。容错是指当系统的某个部件发生故障时,系统仍能完全正常地工作,即给系统增加
2025-11-25 06:21:27
使用ERROM空间的填充
在程序存储器中未使用的EPROM空间,首先填入窄操作指令NOP(无操作指令)。
在NOP指令后,填入一条跳转指令LJMP,跳转到预设的跑飞处理程序(如FLY)。
若未使用空间
2025-11-25 06:10:49
传统上的工厂设备维护要么是被动的,即在故障发生后进行,要么是基于严格时间表的预防性维护。在现代制造业中,计划外停机可能会花费数百万美元。根据德勤的一项研究,工业制造商每年因计划外停机损失约500亿美元,其中近一半是设备故障造成的。
2025-11-24 10:24:00
555 
芯片底部填充胶可靠性有哪些检测要求?芯片底部填充胶(Underfill)在先进封装(如FlipChip、CSP、2.5D/3DIC等)中起着至关重要的作用,主要用于缓解焊点因热膨胀系数(CTE)失配
2025-11-21 11:26:31
291 
施加电场时,其内部的电介质会发生形变,周期性的伸缩便产生了振动从而产生了啸叫。通常来说,DC-DC电路的啸叫主要是陶瓷电容产生的,且通常是输出或者输入电容。常规陶瓷电容内部的多层结构,比电解电容或固态
2025-11-21 06:11:25
你有没有想过,那个常年陪你夜跑、露营甚至应急照明的手电筒,真的“滴水不漏”吗?我们常以为IP68防水等级就是万无一失的保证,但事实可能并非如此。今天,我们就让手电筒与高科技设备——气密性检测仪来一场
2025-11-19 16:53:57
499 
什么是实验的异质性 1. 如何理解实验结果中的指标变化 当我们看到如下试金石实验指标结果时 在进行分析前,可能我们的第一直觉是这样的 经过异质性分析后,可能会发现实际情况是这样的 2. 概念解析
2025-11-12 16:28:57
400 
年2月,授权公告日为2025年(具体月份因来源不同存在差异,但不影响专利有效性的认定)。一、专利技术背景芯片底部填充胶是电子封装领域的关键材料,主要用于保护芯片与
2025-11-07 15:19:22
400 
请问E203的乘法和除法这种多周期指令是怎么解决数据相关性的?
2025-11-07 06:50:43
欧盟CE-RED指令,全称是RadioEquipmentDirective(无线电设备指令),指令编号为2014/53/EU,是欧盟针对所有带无线发射功能设备制定的一项强制性法规。它是欧盟CE认证
2025-11-05 14:01:06
452 
对应的汇编指令。
指令编写
在我们了解完,RSIC-V中的指令架构后,我们便可以编写对应的指令。由于我们在测试中,只需要检验一条特定的指令的正确性,因此我们只需要直接写出对应指令的二进制形式。在这里
2025-10-24 08:52:44
对应的汇编指令。
指令编写
在我们了解完,RSIC-V中的指令架构后,我们便可以编写对应的指令。由于我们在测试中,只需要检验一条特定的指令的正确性,因此我们只需要直接写出对应指令的二进制形式。在这里
2025-10-24 08:17:46
leg1_ops用于标识各种类型的运算指令,而我们由于没有加上浮点指令,所以在浮点进入后,此处变量leg1_ops为0,导致后续指令执行出错。
而加上float_op后再进行仿真就会解决此问题
二.
在
2025-10-24 08:14:35
必需
:可能影响的寄存器或存储器//非必需
);
对于常见的R型指令,汇编指令列表,即.insn 的使用格式如下:
.insnr opcode, func3, func7,rd, rs1
2025-10-24 06:52:15
有优先权进行写回后,代码中将相应的写回数据、寄存器编号和有效性等信号发送到最终写回到寄存器文件的接口。同时,它还处理错误和不可写回的情况。具体来说,如果指令存在错误或不可写回,它将被在执行单元级别
2025-10-24 06:29:06
。如果XS1和XS2位确定是否需要读取源寄存器,则在EXU级读哪个通用寄存器并取出源操作数。
2、主处理器保持数据支持的正确性,如果该指令需要读取源寄存器,并且以前执行的指令依赖于先读取后写入(RAW
2025-10-23 07:25:39
确保ALU的功能正常。
OITF模块
OITF单元本质上是一个FIFO缓存,E203中设置该滞外指令追踪FIFO模块,用于检测与长指令相关的写后读(RAW)和写后写(WAW)相关,原版E203中已经
2025-10-21 11:51:02
本文提供有关 AMD Versal 自适应 SoC 内置自校准 (BISC) 工作方式的详细信息。此外还详述了 Versal 的异步模式及其对 BISC 的影响。
2025-10-21 08:18:00
4029 电压暂降发生后的应对策略需分 “ 电网侧(源头控制与快速恢复) ” 和 “ 用户侧(设备保护与损失控制) ”,结合 “紧急处置(发生后立即行动)” 与 “长期治理(避免重复发生)”,形成 “止损
2025-10-11 17:16:35
1264 在 I/O 时钟布局器阶段可能会发生错误,指出该工具无法对该时钟结构进行布局,直至最后 BUFG 仍然无法完成布局。
2025-09-23 16:05:38
799 )会从 “数据有效性、故障定位、校验准确性、系统协同、合规追溯” 等多维度对装置产生影响,具体如下: 一、直接破坏 “数据采集与分析的准确性”—— 导致监测数据失去参考价值 装置的核心功能是采集电网参数(如电压暂
2025-09-23 11:24:37
656 AMD 7nm Versal系列器件引入了可编程片上网络(NoC, Network on Chip),这是一个硬化的、高带宽、低延迟互连结构,旨在实现可编程逻辑(PL)、处理系统(PS)、AI引擎(AIE)、DDR控制器(DDRMC)、CPM(PCIe/CXL)等模块之间的高效数据交换。
2025-09-19 15:15:21
2366 
一、底部填充胶的作用与市场价值在电子封装领域,底部填充胶(Underfill)已成为提升芯片可靠性不可或缺的关键材料。随着芯片封装技术向高密度、微型化和多功能化演进,汉思新材料凭借其创新的底部填充胶
2025-09-05 10:48:21
2134 
底部填充胶出现开裂或脱落,会严重威胁器件的可靠性和寿命。以下是导致这些失效的主要原因分析及相应的解决方案:一、开裂/脱落原因分析1.材料本身问题:CTE(热膨胀系数
2025-08-29 15:33:09
1192 
使用Nano112驱动LCD时,如果不用于驱动LCD的引脚也配置为LCD功能,会发生什么情况?
2025-08-27 06:30:24
在底部填充胶工艺中,设备的选择直接影响填充效果、生产效率和产品可靠性。以下是关键设备及其作用,涵盖从基板处理到固化检测的全流程:汉思新材料:底部填充胶工艺中需要什么设备一、基板预处理设备等离子清洗机
2025-08-15 15:17:58
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在锂离子电池的全生命周期中,电解质填充工艺的技术精度直接关联电池的能量密度、循环稳定性与安全性。美能锂电作为新能源制造领域的创新引领者,始终以精密工艺为基石,在电解质填充技术的研发与应用中实现了从
2025-08-11 14:53:24
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DTU 30s后没有指令,会自动断开连接? 30s后没有指令,DTU就会自动断开连接,如果需要DTU不自动断开,在30s内发送查询命令作为心跳包。 关于短信收发频率? 发送短信至少等待2分钟以上
2025-08-07 07:38:07
在任意设计流程中,仿真都是不可或缺的关键组成部分。它允许用户在无任何物理硬件的情况下对硬件系统进行确认。这篇简短的博客将介绍如何使用 QEMU + 协同仿真来对 AMD Versal 自适应 SoC
2025-08-06 17:21:25
1804 
STM32串口发送数据,在经过一段时间的数据发送,大概200ms发送一下,一次发送大概二三十个字节的数据,有可能会发生USART_FLAG_TC不置位的情况,如何解决或者避免?轮询发送,后卡在了
2025-07-29 11:44:46
环氧底部填充胶固化后出现气泡是一个常见的工艺问题,不仅影响美观,更严重的是会降低产品的机械强度、热可靠性、防潮密封性和长期可靠性,尤其在微电子封装等高要求应用中可能导致器件失效。以下是对气泡产生原因
2025-07-25 13:59:12
788 
底部填充胶(Underfill)是一种在电子组装中用于增强焊点可靠性的工艺,特别是在倒装芯片封装中。针对底部填充胶(Underfill)进行二次回炉(通常发生在返修、更换元件或后道工序需要焊接
2025-07-11 10:58:25
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底部填充胶返修难题分析与解决方案底部填充胶(Underfill)在电子封装中(特别是BGA、CSP等封装)应用广泛,主要作用是提高焊点的机械强度和可靠性,尤其是在应对热循环、机械冲击和振动时。然而
2025-06-20 10:12:37
951 
Versal是AMD 7nm的SoC高端器件,不仅拥有比16nm性能更强的逻辑性能,并且其PS系统中的CPM PCIe也较上一代MPSoC PS硬核PCIe单元强大得多。本节将基于AMD官方开发板展示如何快速部署PCIe5x8及DMA功能。
2025-06-19 09:44:29
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和社会发展有着极其重要的意义。
一、信号发生器的基本原理与类型
信号发生器的工作原理基于电子学和电路原理。以常见的正弦信号发生器为例,它通过振荡电路产生周期性的电信号。比如,LC振荡电路利用电感L
2025-06-12 16:25:26
我们推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列,这两款产品是对 Versal 产品组合的扩展,可为嵌入式系统实现单芯片智能。
2025-06-11 09:59:40
1648 您是否准备将设计迁移到 AMD Versal 自适应 SoC?设计基线是一种行之有效的时序收敛方法,可在深入研究复杂的布局布线策略之前,帮您的 RTL 设计奠定坚实的基础。跳过这些步骤可能会导致
2025-06-04 11:40:33
675 AMD 自适应计算文档按一组标准设计进程进行组织,以便帮助您查找当前开发任务相关的内容。您可以在设计中心页面上访问 AMD Versal 自适应 SoC 设计进程。您还可以使用设计流程助手来更深入了解设计流程,并找到特定于预期设计需求的内容。本文档涵盖了以下设计进程:
2025-06-03 14:25:43
653 
苹果手机应用到底部填充胶的关键部位有哪些?苹果手机中,底部填充胶(Underfill)主要应用于需要高可靠性和抗机械冲击的关键电子元件封装部位。以下是其应用的关键部位及相关技术解析:手机主板芯片封装
2025-05-30 10:46:50
803 
/VSYS/VDDD/V5V_P1的电都是正常的。
请教问题:
1。CYPD5235的CC Pin功能异常,还可能会跟什么有关?
2。去掉的MP8859,会影响CYPD5235的软件代码执行吗?如果会
2025-05-30 07:04:55
,要检查手表后壳气密性检测仪是否经过校准。长时间使用或环境变化可能导致校准偏差,按照仪器说明书定期进行校准操作,能确保检测数值的精准性。其次,查看检测探头是否清洁
2025-05-22 11:21:34
591 
图2.2是现代CMOS 器件剖面的示意图。一般来说,水平方向的尺寸微缩幅度比垂直方向的幅度更大,这将导致沟槽(包含接触孔)的深宽比(aspect ratio)也随之提高,为避免沟槽填充过程中产生空穴
2025-05-21 17:50:27
1122 
较大的静电,可能会损坏电子系统中的电路。在人的手指靠近金属物体时,普通的人体ESD事件会在物体中产生高电流放电。得到的电流脉冲可能会达到几安,有非常高的前沿,上升
2025-05-13 10:59:36
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Whenlightlearnsto"think"当灯光学会“思考”生活会发生什么?你摸黑走进卧室,按下开关的瞬间——“唰!”一道刺眼的白光直击瞳孔,仿佛太阳在床头爆炸。你眯着眼
2025-05-08 15:44:38
581 
设计、编译、交付,轻松搞定。更快更高效。 Vivado 设计套件提供经过优化的设计流程,让传统 FPGA 开发人员能够加快完成 Versal 自适应 SoC 设计。 面向硬件开发人员的精简设计流程
2025-05-07 15:15:09
1172 
武汉特高压旗下的直流高压发生器可以帮助众多电力工作者更加方便的进行各类电力测试。
正确使用直流高压发生器对于确保测试结果的准确性和设备的安全性至关重要。武汉特高压的直流高压发生器操作简便,但仍需
2025-05-07 09:07:06
CyU3PDmaChannelSetWrapUp附近的 UART。
此操作期间可能会发生数据丢失。
我需要使用 UART 回调可靠地检测数据丢失。
如果在CyU3PDmaChannelSetWrapUp期间发生数据丢失,是否保证触发 UART 回调?
2025-05-06 06:35:11
在智能手机日益普及的今天,手机的防水性能成为了消费者关注的重点。而手机后壳作为防水的防线之一,其气密性检测显得尤为重要。那么,手机后壳气密性检测仪是如何工作的呢?又有哪些应用场景呢?本文将为您一一
2025-04-30 17:14:27
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第二代 AMD Versal Premium 系列自适应 SoC 是一款多功能且可配置的平台,提供全面的 CXL 3.1 子系统。该系列自适应 SoC 旨在满足从简单到复杂的各种 CXL 应用需求
2025-04-24 14:52:03
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指令控制模块由一个指令信息缓存, 一个指令组装状态机和一个 ID 池组成。 指令信息缓存中存放着由系统控制模块写入的待处理指令信息; 指令组装状态机获取缓存的指令信息, 将其组装成提交队列条目写入提交队列中; ID 池则用于存放可使用的指令 ID。
2025-04-24 10:22:45
709 
AMD/Xilinx Versal™ AI Edge VEK280评估套件是一款面向AI与机器学习应用的开发平台,专为边缘计算场景优化设计。以下从核心配置、技术特性、应用场景及开发支持等方面进行详细
2025-04-11 18:33:44
2145 
新材料HS711板卡级芯片底部填充封装胶一、HS711产品特性高可靠性:具备低收缩率和高韧性,为芯片和底部填充胶提供优异的抗裂性。低CTE(热膨胀系数)和高填充量
2025-04-11 14:24:01
785 
焊接是连接电子元器件与PCB(印刷电路板)的关键步骤,焊接过程中可能会出现虚焊问题,即焊点未能形成良好的电气和机械连接。虚焊会导致电路接触不良、信号传输不稳定,甚至设备无法正常工作。本期蓬生电子唐工将带大家探讨连接器焊接后引脚虚焊的原因、检测方法和解决方案,及时帮助到更多的人。
2025-04-08 11:51:59
2946 
定位孔用于固定元件的位置,当元件受到外力作用时,定位孔周围的PCB板可能会发生变形或弯曲,进而导致附近走线断裂或元件焊接点开裂。因此,为确保电路板的可靠性,定位孔周围需要设置单边外扩0.5mm的禁布区。那么,在封装编辑中,如何为定位孔添加禁布区呢?
2025-04-07 17:09:02
1367 
芯片底部填充胶(Underfill)在封装工艺中若出现填充不饱满或渗透困难的问题,可能导致芯片可靠性下降(如热应力失效、焊点开裂等)。以下是系统性原因分析与解决方案:一、原因分析1.材料特性问题胶水
2025-04-03 16:11:27
1290 
我们在客户板中使用 RT1052。当器件在正常条件下运行时,偶尔会发生片上 DCDC 掉电问题。
我们怀疑设备意外进入 SNVS 模式。
当此毛刺发生时,DCDC 降至 0V,并且无法通过 SWD
2025-04-03 07:22:41
:“两会”热议“机器人和飞行汽车”,核心动力电机可能会火.doc
本文系网络转载,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请第一时间告知,删除内容!
2025-03-31 13:35:09
守护着车内的"电子大脑"。它们就是车规级芯片底部填充胶——这种像蜂蜜般流淌的电子封装材料,正在重新定义汽车电子系统的可靠性。汉思新材料:车规级芯片底部填充胶守护你的智能汽车一、汽车芯片的"生存考验"现代汽
2025-03-27 15:33:21
1390 
揭开这个可能会颠覆你认知的答案。 工业路由器与家用路由器的差异 首先,我们得了解工业路由器和家用路由器的不同之处。从设计目的来看,家用路由器主要满足家庭日常的上网需求,比如浏览网页、观看视频、玩游戏等。而工业路由
2025-03-25 22:51:39
578 ESD可能会发生在车辆安装和维修时CAN连接器的手动插拔,以及车辆在行驶过程中,电路噪声耦合到CAN总线等情况,具体取决于CAN总线在车辆内部的位置以及排布情况。测试标准主要参考ISO 10605
2025-03-14 11:18:42
5200 
jh7110的MMU TLB是否缓存无效PTE?是否支持ASID?
2025-03-10 07:20:15
了设备接地电阻的设定值就无法将设备上多余的电及时导出,造成设备带电的情况出现,这时工作人员触摸就会发生触电事故,对于设备本身也是一种危害,可能会发生设备损坏或是火
2025-03-06 16:14:10
642 
(PC)也称为MSL湿度敏感试验,主要针对芯片在吸收湿气后,经过表面贴装技术(SMT)回流焊接过程中可能出现的问题。在实际应用中,芯片吸收湿气后可能会在焊接过程中出
2025-03-04 11:50:55
1324 
characters allowed(主要问题)
并且导入后图片的显示也会发生改变,如正方形变为矩形
有什么办法可以解决
2025-02-27 07:39:36
DLP471TPEVM样机上I2C我这边连接不上,IIC0和IIC1口都试过,有哪些地方可能会有问题呢?
我使用的USB TO I2C的工具板是4710平台的,是否是CY7C65215的配置文件需要修改?
2025-02-24 08:44:40
您好!
之前询问过 DLPC3433+DLPA2000+DLP3010 重复启动 RGB LED 不亮问题,
首次启动皆正常(指伴随系统开机),
有机率会发生关闭后二次点亮失败(指系统进入休眠后会
2025-02-21 06:07:12
产品特性1.高可靠性与机械强度汉思底部填充胶采用单组份改性环氧树脂配方,专为BGA、CSP和Flipchip设计。通过加热固化,能填充芯片底部80%以上的空隙,显著
2025-02-20 09:55:59
1170 
一个场景,在这个场景中,我们分析了二元光栅的偏振依赖性,并对结构进行了优化,使其在任意偏振角入射光下均能表现良好。
倾斜光栅的鲁棒性优化
这个用例演示了一个具有稍微变化的填充因子的倾斜光栅的鲁棒性优化。
高效偏振无关传输光栅的分析与设计
2025-02-19 08:54:06
,则可能会出现一个时钟周期的时序不确定性(通常为 10 ns)。DG645 通过测量触发器相对于内部时钟的时序并补偿模拟延迟来消除时序不确定性。这种方法将抖动降低
2025-02-14 13:50:17
,大概是一两个小时,里面寄存器的值会发生错乱。导致输出有误。原本我对00~08寄存器设置的值为38,21,65,00,FF,FF,00,00,FF.
一开始从串口读回寄存器的值是正确的,但是一段时间后
2025-02-10 08:21:28
真空发生器作为一种高效的真空源,其在工业生产中的应用越来越广泛。然而,不正确的操作和维护可能会导致设备损坏甚至安全事故。 一、操作前的准备 阅读说明书: 在使用真空发生器之前,必须仔细阅读并理解设备
2025-02-07 10:20:11
1729 什么是RISC-V?RISC-V是精简指令集计算(V)的缩写,是一种在半导体行业受到关注的开源指令集架构。它定义了计算机CPU操作的规则。RISC-V专为简单、模块化和开放性而设计,有可能彻底改变
2025-02-05 17:03:08
9 
今天我们再详细看看Underfill工艺中所用到的四种填充胶:CUF,NUF,WLUF和MUF。 倒装芯片的底部填充工艺一般分为三种:毛细填充(流动型)、无流动填充和模压填充,如下图所示, 目前看来
2025-01-28 15:41:00
3970 
在 AMD Vivado Design Suite 2024.2 版本中,Advanced Flow 自动为所有 AMD Versal 自适应 SoC 器件启用。请注意,Advanced Flow
2025-01-23 09:33:32
1441 
绝非危言耸听:听力障碍,很可能(50%的概率)会发生在你身上。没错,当你老了!
2025-01-23 09:31:39
1599 
2025年人工智能会发生哪些革命性的变化?斯坦福大学以人为中心的人工智能研究所的领先专家表示,2025 年人工智能的一个主要趋势是协作人工智能系统的兴起,其中多个专业代理协同工作,人类提供高级指导
2025-01-21 11:28:25
1647
关于ADC过压保护的问题,ADC有一端口可能会长期有大电压如何保护???
Other Parts Discussed in Thread: INA129
问题描述:
用恒流源通过负载电阻RL
2025-01-20 06:52:38
在最新发布的 AMD Vivado Design Suite 2024.2 中,引入的新特性之一是启用了仅适用于 AMD Versal 自适应 SoC 器件的 Advanced Flow 布局布线
2025-01-17 10:09:27
1251 
一、应用背景 煤炭在煤棚储存过程中,因氧化作用可能会发生自燃,从而产生一氧化碳、甲烷等有毒易燃气体,在煤棚封闭的环境中,若不
2025-01-15 15:46:14
随着数据中心工作负载持续呈指数级增长,存储层也需要同等的性能提升才能跟上步伐。第二代 AMD Versal Premium 系列器件为各种存储应用提供了巨大优势,包括企业级 SSD、加密/压缩加速器
2025-01-15 14:03:46
1088 第二代 AMD Versal Premium 系列提供了全新水平的存储器和数据带宽,具备 CXL 3.1、PCIe Gen6 和 DDR5/LPDDR5X 接口功能,可满足当今和未来数据中心、通信
2025-01-08 11:50:23
1297 。当两个通道均接固定的电压输入时(如干电池),系统运行良好,两个通道的误差均在合理的范围内。但当一个通道的电压变化时,另一个通道的电压也会发生相应的变化。如图2为一次采集过程的通道一通道二电压变化图
2025-01-08 08:21:57
ADS1278采用单端输入,所有AINN接到地,参考电压端VREFP接2.5V,VREFN接地,其他均参考datasheet连接,接通电源后,芯片会发热,温度很高,大概能达到七、八十度以上,请问是什么原因造成的?芯片底部的thermal pad 没接地,会不会造成芯片过热?
2025-01-07 06:53:23
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