在高频开关电路设计中，很多工程师都会遇到这样的问题，明明给MOS管栅极加了足够的电压，MOS管却要延迟一段时间才能完全导通，甚至出现栅极电压停滞的情况。这其实和MOS管场效应晶体管特有的米勒平台有关
2025-12-03 16:15:53
1146 
在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是不可或缺的关键元件。今天，我们聚焦于ON Semiconductor推出的一款单N沟道功率MOSFET——NVMYS4D5N04C，深入剖析其特性、参数及应用场景。
2025-12-01 14:41:37268 
在电子设计领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）作为关键的功率器件，其性能表现对整个电路的性能起着至关重要的作用。今天，我们就来深入了解一款由onsemi推出的单N沟道MOSFET——NVTYS014N08HL。
2025-12-01 09:42:59233 
随着能源效率成为全球关注的焦点，半导体行业迎来了技术革新的浪潮。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)便是这一背景下的产物，其通过电场效应调控导电通道，显著降低了驱动所需的能量。这种设计带来了快速的开关响应和高效率的能量转换,使MOSFET在中小功率场景中广泛应用。
2025-11-30 16:51:144614 
在电子工程领域，功率半导体器件的性能对电路设计和系统性能有着至关重要的影响。今天，我们来详细探讨一下安森美（onsemi）的UF3N120007K4S碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET），看看它在实际应用中能为我们带来哪些优势。
2025-11-26 15:47:04273 
在电子工程师的日常设计工作中，晶体管作为基础且关键的元件，其性能和特性直接影响着整个电路的表现。今天，我们就来详细探讨 onsemi 推出的 BCP56M 通用晶体管，看看它在实际应用中能为我们带来哪些优势。
2025-11-26 14:28:03280 
PMOS 管即 P 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管，以 P 型半导体为衬底，通过在栅极施加负电压调控源漏极间空穴的迁移，进而实现电路的开关控制或信号放大，是半导体电路中的基础器件。
其
2025-11-05 15:58:17
碳化硅场效应晶体管（SiC MOSFET）凭借高速开关特性，大幅降低开关损耗，目前已在各行业应用中加速渗透。然而，其器件特性所伴随的高 dV/dt（电压变化率），易引发寄生开通风险，已成为各行业应用设计中需重点规避的核心挑战。
2025-11-05 09:29:415300 
标准更为严苛。
产业链联动效应：快充技术的普及不仅推动了充电器产品的更新，也带动了如 MOSFET（金属 - 氧化物半导体场效应晶体管）等核心元器件的市场需求增长，这类元器件是保障快充安全与效率的关键
2025-11-03 09:28:36
工艺技术的持续演进，深刻塑造了当今的半导体产业。从早期的平面晶体管到鳍式场效应晶体管（FinFET），再到最新的全环绕栅极（GAA）架构，每一代新工艺节点都为显著改善功耗、性能和芯片面积（PPA）创造了机会。
2025-10-24 16:28:391177 
D2201UK金金属化多用途硅DMOS射频场效应晶体管 特征简化的放大器设计适用于宽带应用低温RSS简单的偏置电路低噪声高增益 – 最小 16 dB 镀金多用途硅DMOS射频
2025-10-24 12:34:47
晶体管是一种以半导体材料为基础的电子元件，具有检波、整流、放大、开关、稳压和信号调制等多种功能。其核心是通过控制输入电流或电压来调节输出电流，实现信号放大或电路开关功能。 基本定义 晶体管泛指
2025-10-24 12:20:23350 
MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 全称：金属-氧化物-半导体场效应晶体管），简称MOS管，属于场效应管（FET）的一种。
2025-10-23 13:56:439247 
在电力电子领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）作为核心功率器件，其性能直接决定了各类电子设备的效率、可靠性与小型化水平。ZK60N80T 作为一款采用 Trench（沟槽
2025-10-13 17:55:05637 
### 一、ME35N10A-G-VB MOSFET 产品简介 ME35N10A-G-VB是一款采用**TO-252封装**的**单N沟道场效应晶体管（MOSFET）**，具有
2025-10-11 14:48:53
本文将深入探讨两种备受瞩目的功率晶体管——英飞凌的 CoolGaN（氮化镓高电子迁移率晶体管）和 OptiMOS 6（硅基场效应晶体管），在极端短路条件下的表现。通过一系列严谨的测试，我们将揭示
2025-10-07 11:55:002980 
在新能源汽车从概念走向普及的过程中，半导体器件扮演着至关重要的角色。其中，MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）作为电力电子系统的核心开关元件，如同汽车的“动力神经”，贯穿于能量转换、动力驱动和整车控制的各个环节，直接影响着车辆的续航能力、动力性能和安全系数。
2025-09-28 10:48:50690 
在当代电子技术的浩瀚星空中，MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）无疑是一颗璀璨的恒星。从智能手机里的微小芯片到新能源电站的巨型逆变器，这种看似简单的半导体器件以其独特的性能，支撑着现代电子文明的运转。了解MOS管的工作机制与应用场景，如同掌握解读电子世界的密码。
2025-09-28 10:30:00798 
在电子电路领域，MOS管是一种至关重要的半导体器件，其全称为金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
2025-09-23 11:39:324479 
在功率半导体领域，MOS管（金属-氧化物半导体场效应晶体管）作为核心器件，承担着电能转换、信号放大与电路控制的关键作用。中科微电作为国内专注于功率半导体研发与生产的企业，其推出的MOS管凭借高可靠性、低功耗等优势，在多个行业实现规模化应用，成为国产功率器件替代进程中的重要力量。
2025-09-22 13:59:47500 
栅极电阻的存在对电路性能的影响很大，会引入热噪声，增大电路的噪声系数，影响器件的开关速度和最大振荡频率，因此在版图设计时，要考虑尽可能地减小栅极电阻。
2025-09-22 10:51:05720 
MOS管，即金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是现代电子电路中至关重要的核心器件之一。
2025-09-19 17:41:515042 
Texas Instruments LMG342xR030 GaN场效应晶体管（FET）集成了驱动器和保护功能，可使设计人员在电子设备系统中实现新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586 
场效应晶体管（MOSFET），具有 650V 的漏极到源极电压（VDS）和最大 12A 的漏电流（ID）。此型号采用 TO220F 封装，能够在较高的电压和电流条件下工作，
2025-09-18 14:56:55
### 产品简介：P3N60FI-VB MOSFETP3N60FI-VB 是一款高电压单N通道场效应晶体管（MOSFET），采用TO220F封装，专为高压应用设计。该器件具有650V的额定漏源电压
2025-09-16 10:53:58
多值电场型电压选择晶体管结构
为满足多进制逻辑运算的需要，设计了一款多值电场型电压选择晶体管。控制二进制电路通断需要二进制逻辑门电路，实际上是对电压的一种选择，而传统二进制逻辑门电路通常比较复杂
2025-09-15 15:31:09
传统的平面场效应晶体管开始，经鳍式场效应晶体管、纳米片全环绕栅极场效应晶体管，向下一代叉形片和互补场效应晶体管发展，见图1和图2所示。
图1 晶体管架构演进方向
图2 晶体管架构演进路线图
那在这
2025-09-06 10:37:21
在现代功率电子技术中，MOSFET(场效应晶体管)是不可或缺的关键组件。它广泛应用于开关电源、逆变器、电动汽车等领域。而随着功率需求和系统效率的不断提高，SiCMOSFET(碳化硅金属氧化物半导体
2025-09-04 14:46:09637 
AP2305CGN-HF-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管，采用SOT23封装。以下是该器件的详细参数说明和应用简介：- **型号：** AP2305CGN-HF-VB-
2025-08-20 11:25:00
AO3405A-VB是VBsemi品牌的P—Channel场效应晶体管，采用SOT23封装。以下是详细参数和应用简介：- **参数说明:** - 额定电压（VDS）: -30V
2025-08-12 17:27:57
2SK1215-VB是VBsemi品牌的SOT23封装N-Channel沟道场效应晶体管。以下是详细参数和应用简介：**详细参数：**- 封装：SOT23- 极性：N-Channel- 额定电压
2025-08-08 16:59:42
2SJ461-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管，主要参数如下：- 封装：SOT23- 额定电压：-60V- 额定电流：-0.5A- RDS(ON)：3000mΩ@VGS
2025-08-08 16:29:49
绝缘体上硅（SOI）技术作为硅基集成电路领域的重要分支，其核心特征在于通过埋氧层（BOX）实现有源层与衬底的电学隔离，从而赋予场效应晶体管独特的电学特性。
2025-07-28 15:27:552021 
NMOS 管，即 N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管，是一种电压控制型半导体器件。其核心结构由源极（S）、漏极（D）、栅极（G）及 N 型沟道组成。当栅极电压高于阈值时，沟道导通，电子从
2025-07-24 16:25:56
NMOS 管，即 N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管，是一种电压控制型半导体器件。其核心结构由源极（S）、漏极（D）、栅极（G）及 N 型沟道组成。当栅极电压高于阈值时，沟道导通，电子
2025-07-23 17:27:58
在电子世界的晶体管家族中，NMOS（N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）与 PMOS（P 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）如同一对默契的 “电子开关”，掌控着电路中电流的流动
2025-07-14 17:05:2223295 
在电源转换技术不断进步的背景下，瑞萨电子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化镓场效应晶体管(GaNFET)，专注于满足数据中心、工业以及电动交通应用对高效能和高密度
2025-07-14 10:17:383206 
在电子元器件领域，MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为一种重要的功率开关器件，广泛应用于各类电子设备中。FS8205A作为泛海微电子推出的一款低阈值电压场效应晶体管，凭借其优异的性能和紧凑
2025-07-11 15:17:43
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半桥功率级集成了栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管。93V连续、100V脉冲、53A半桥功率级包含两个GaN FET，由
2025-07-11 14:40:22679 
沟槽型场效应功率晶体管低导通电阻性能表现
2025-07-09 18:12:35
0 氧化物场效应晶体管(MOSFET)展现出卓越的性能，迁移率高达44.5cm²/Vs。在严苛的应力测试中，这款晶体管连续稳定工作近三小时，显示出其在高压和高温等极端条件
2025-07-02 09:52:45828 
N沟道MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种电压控制型器件，依靠N型半导体中的电子导电。当栅极电压超过阈值电压时，源极与漏极之间形成导电沟道，实现电流导通，具有输入阻抗高、开关速度快
2025-06-28 10:48:03
N沟道MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种电压控制型器件，依靠N型半导体中的电子导电。当栅极电压超过阈值电压时，源极与漏极之间形成导电沟道，实现电流导通，具有输入阻抗高、开关速度快
2025-06-27 17:35:56
Analog Devices LTC7890/1同步降压控制器是高性能直流-直流开关稳压器控制器，用来驱动输入电压高达100V的所有N沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级
2025-06-22 09:50:43744 
晶体管光耦（PhotoTransistorCoupler）是一种将发光器件和光敏器件组合在一起的半导体器件，用于实现电路之间的电气隔离，同时传递信号或功率。晶体管光耦的工作原理基于光电效应和半导体
2025-06-20 15:15:49730 
，10埃）开始一直使用到A7代。
从这些外壁叉片晶体管的量产中获得的知识可能有助于下一代互补场效应晶体管（CFET）的生产。
目前，领先的芯片制造商——英特尔、台积电和三星——正在利用其 18A、N2
2025-06-20 10:40:07
在微电子系统中，场效应晶体管通过栅极电位的精确调控实现对主电流通路的智能管理，这种基于电位差的主控模式使其成为现代电路中的核心调控元件。实现这种精密控制的基础源于器件内部特殊的载流子迁移机制与电场调控特性。
2025-06-18 13:41:14694 现有的晶体管都是基于 PN 结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里，随着CMOS制造技术的进步，器件的沟道长度将小于 10nm。在这么短的距离内，为使器件能够工作，将采用非常高的掺杂浓度梯度。
2025-06-18 11:43:221011 
从内容上看，本书可分成三部分:1.介绍了激光器电源中使用的几种电子器件，诸如晶闸管(SCR)、功率场效应晶体管(VMOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)。这几种器件各具特点，在激光器电源及电力电子学
2025-06-17 17:45:29
自半导体晶体管问世以来，集成电路技术便在摩尔定律的指引下迅猛发展。摩尔定律预言，单位面积上的晶体管数量每两年翻一番，而这一进步在过去几十年里得到了充分验证。
2025-06-03 18:24:131495 
ADuM4146是一款单通道栅极驱动器，专门针对驱动碳化硅(SiC)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)进行了优化。ADI公司的*i*Coupler ^®^ 技术在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离。
2025-05-29 15:31:35746 
本文档为AET3152AP芯片规格书，详细介绍了该P- MOSFET的技术参数和应用范围。文档还提供了额定值、热特性、电气特性、动态特性和反向二极管特性等详细数据，并附有电气特性图表和物理尺寸信息。
2025-05-23 09:08:200 AO4803AAO4803A双P通道增强型场效应晶体管MOS电源控制电路采用先进的沟道技术，以低门电荷提供优秀的RDS（开）。此设备适用于负载开关或PWM应用。标准产品AO4803A不含铅（符合RoHS和索尼259规范）
2025-05-19 17:59:3828 2010年，爱尔兰 Tyndall 国家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三栅无结场效应晶体管，器件结构如图1.15所示。从此，半导体界兴起了一股研究无结场效应晶体管的热潮，每年的国际
2025-05-19 16:08:13777 
当代所有的集成电路芯片都是由PN结或肖特基势垒结所构成：双极结型晶体管（BJT）包含两个背靠背的PN 结，MOSFET也是如此。结型场效应晶体管（JFET） 垂直于沟道方向有一个 PN结，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071122 
结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在同一块 N型半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极（G），N型半导体两端分别引出两个电极，分别称为漏极（D）和源极（S），如图 1.11所示。
2025-05-14 17:19:202621 
对于传统的MOSFET器件，虽然因为栅极绝缘层的采用大大抑制了栅极漏流，但是硅沟道较低的电子迁移率也限制了其在超高频、超高速等领域的应用。
2025-05-14 11:14:591227 
电子发烧友网站提供《ZSKY-CCS3125BP N沟道增强型功率场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-05-13 18:03:110 圣邦微电子推出 SGMNQ36430，一款 30V 单 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件可应用于 CPU 电源传输、DC/DC 转换器、功率负载开关以及笔记本电池管理等领域。
2025-05-09 16:57:26971 
OPA1S2384 和 OPA1S2385 (OPA1S238x) 将高带宽，场效应晶体管 (FET) 输入运算放大器与一个快速 SPST COMS 开关组合在一起，设计用于需要跟踪和捕捉快速信号的应用。
2025-04-30 10:05:24837 
OPA1S2384 和 OPA1S2385 (OPA1S238x) 将高带宽，场效应晶体管 (FET) 输入运算放大器与一个快速 SPST COMS 开关组合在一起，设计用于需要跟踪和捕捉快速信号的应用。
2025-04-29 16:38:49881 
多值电场型电压选择晶体管结构
为满足多进制逻辑运算的需要，设计了一款多值电场型电压选择晶体管。控制二进制电路通断需要二进制逻辑门电路，实际上是对电压的一种选择，而传统二进制逻辑门电路通常比较复杂
2025-04-15 10:24:55
晶体管，FET和IC，FET放大电路的工作原理，源极接地放大电路的设计，源极跟随器电路设计，FET低频功率放大器的设计与制作，栅极接地放大电路的设计，电流反馈型OP放大器的设计与制作，进晶体管
2025-04-14 17:24:55
MOS管，即金属氧化物半导体场效应晶体管，在开关电源中扮演着至关重要的角色。
2025-04-12 10:46:40821 有机半导体材料是具有半导体性质的有机材料，1986年第一个聚噻吩场效应晶体管发明以来，有机场效应晶体管（OFET）飞速发展。有机物作为半导体甚至是导体制备电子器件来代替以部分硅为主的传统电子产品，利用有机物可以大规模低成本合成的优势，市场前景是巨大的。
2025-04-09 15:51:551075 
本资料内容主要分为模拟电路、数字电路及应用技术三个部分，基本涵盖了与电子电路相关的全部技术内容及必要的知识点。从电路的基本元件开始，介绍了模拟电路的晶体管及场效应晶体管放大电路的基本原理
2025-04-08 16:21:19
碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻(称为RDS.A)。
2025-04-03 14:44:561668 
引言
随着电力半导体器件的发展[1-2]，已经出现了各种各样的全控型器件，最常用的有适用于大功率场合的大功率晶体管(GTR)、适用于中小功率场合但快速性较好的功率场效应晶体管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48:50
安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中有诸多优势，SiC JFET cascode应用指南讲解了共源共栅（cascode）结构、关键参数、独特功能和设计支持。本文为第一篇，将重点介绍Cascode结构。
2025-03-26 17:42:302012 
电子发烧友网站提供《LT8822SS共漏N沟道增强型场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-26 16:00:441 电子发烧友网站提供《LT8814EFF具有ESD保护的双N沟道增强型场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-25 17:28:000 电子发烧友网站提供《LT8814EFD具有ESD保护的共漏N沟道增强型场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-25 17:26:020 介绍各种电子元器件的分类、主要参数、封装形式等。元器件包括半导体二极管、三极管、场效应晶体管、晶闸管、线性集成电路、TTL和CMOS系列电路、数／模转换器、模／数转换器、电阻器、电位器、电容器、保护
2025-03-21 16:50:16
MOSFET（场效应晶体管）的高输入阻抗和BJT（双极型晶体管）的低导通损耗优点，适用于变频器、逆变器、电机驱动、电源转换等领域。
2025-03-19 15:48:34807 安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM31智能功率模块（IPM）系列。
2025-03-19 14:31:281103 MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)是电子电路中常用的关键器件，尤其在开关电源、电机驱动等领域应用广泛。对于初学者会遇到不知如何识别GDS极和电路连接错误的问题。掌握MOSFET的使用技巧，首先要从电路图入手，扎实掌握MOS管
2025-03-19 14:30:33986 
电子发烧友网站提供《TC1201低噪声和中功率GaAs场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-17 17:15:420 电子发烧友网站提供《LT1541SIJ P沟道增强型场效应晶体管数据表.pdf》资料免费下载
2025-03-07 11:33:071 场效应管mos管三个引脚怎么区分
2025-03-07 09:20:470 工具。 这项新功能使得设计师能够利用数据表中常见的信息，为分立结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和二极管创建电路仿真模型。QSPICE 的开发者 Mike Engelhardt 表示，这一新功能是自 2023 年 QSPICE 发布以来最重要的电路仿真改进。 “QSPIC
2025-03-06 11:12:37658 电子发烧友网站提供《LT1756SJ N沟道增强型场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-05 17:29:160 电子发烧友网站提供《LT1729SI P沟道增强型场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 18:05:040 电子发烧友网站提供《LT1728SJ P沟道增强型场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 18:02:350 电子发烧友网站提供《LT1725SI P沟道增强型场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 16:32:030 在现代电子学的宏伟建筑中，场效应晶体管（FET-Field Effect Transistor）是其不可或缺的基石。这些精巧的电子组件以其卓越的性能优势: 低功耗、高输入阻抗和简便的偏置需求, 在
2025-03-03 14:44:532192 
这本书介绍了晶体管的基本特性，单管电路的设计与制作， 双管电路的设计与制作，3~5管电路的设计与制作，6管以上电路的设计与制作。书中具体内容有：直流工作解析，交流工作解析，接地形式，单管反相放大器，双管反相放大器，厄利效应，双管射极跟随器等内容。
2025-02-26 19:55:46
LMG342XEVM - 04X 包含两个以半桥配置的 LMG342XR0X0 氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。所有的偏置和电平转换组件都已集成，这使得低侧参考信号能够控制两个场效应晶体管。功率级上配备了高频去耦电容，采用优化布局，以尽量减少寄生电感并降低电压过冲。
2025-02-21 18:16:54786 
在科技飞速发展的当下，电子元件的创新成为推动各领域进步的关键力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），以其卓越性能在功率半导体领域掀起波澜
2025-02-18 16:47:25949 
FinFET(鳍式场效应晶体管)从平面晶体管到FinFET的演变是一种先进的晶体管架构，旨在提高集成电路的性能和效率。它通过将传统的平面晶体管转换为三维结构来减少短沟道效应，从而允许更小、更快且功耗更低的晶体管。本文将从硅底材开始介绍FinFET制造工艺流程，直到鳍片(Fin)的制作完成。
2025-02-17 14:15:022611 
电子发烧友网站提供《Nexperia共源共栅氮化镓(GaN)场效应晶体管的高级SPICE模型.pdf》资料免费下载
2025-02-13 15:23:257 金刚石场效应晶体管 (Vth （Extreme Enhancement-Mode Operation Accumulation Channel Hydrogen-Terminated Diamond
2025-02-11 10:19:01820 
随着半导体技术不断逼近物理极限，传统的平面晶体管（Planar FET）、鳍式场效应晶体管（FinFET）从平面晶体管到FinFET的演变，乃至全环绕栅或围栅（GAA
2025-01-24 10:03:514438 
朱利叶斯·埃德加·利利恩菲尔德在1925年申请的专利为场效应晶体管奠定了理论基础。 虽然第一个工作的场效应晶体管（FET）直到1945年才出现，但这个想法早在近20年前，即朱利叶斯·埃德加·利利恩
2025-01-23 09:42:111477 
本文介绍了FinFET（鳍式场效应晶体管）制造过程中后栅极高介电常数金属栅极工艺的具体步骤。
2025-01-20 11:02:395363 
MOS管，全称金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是电子电路中非常重要的一种元件。它在不同电路中具有多种作用。
2025-01-17 14:19:562766 安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15亿美元现金收购Qorvo碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。
2025-01-16 16:30:061082 MOS,是金属-氧化物-半导体场效应晶体管英文名称的缩写，是一种独特的半导体器件，它通过电场效应来控制输出回路的电流，这一特性使其得名。
2025-01-14 14:09:532108 
场效应管代换手册
2025-01-08 13:44:213
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