--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
- ID 12A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. **产品简介:STP10NK60ZFP-VB**
STP10NK60ZFP-VB 是一款基于平面技术(Planar Technology)制造的单极 N 型通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有 650V 的漏极到源极电压(VDS)和最大 12A 的漏电流(ID)。此型号采用 TO220F 封装,能够在较高的电压和电流条件下工作,适用于需要大功率和高电压耐受的应用场合。该器件的门极到源极电压(VGS)为±30V,开启电压(Vth)为 3.5V,开启时的导通电阻(RDS(ON))为 680mΩ@VGS=10V。由于其平面工艺,该产品具有较高的开关性能和较低的功耗损失。
### 2. **详细参数说明:**
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单极 N 型通道 MOSFET
- **漏极-源极电压(VDS)**:650V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±30V
- **开启电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:680mΩ @ VGS = 10V
- **漏电流(ID)**:12A
- **技术**:平面技术(Planar Technology)
- **最大功率损耗**:可在大电流和高电压环境下稳定工作,提供较低的导通损耗。
- **温度范围**:适应高温工作环境,具有较好的热稳定性。
### 3. **应用领域和模块示例:**
#### 1) **电源管理系统**
STP10NK60ZFP-VB 在电源管理系统中的应用主要体现在高压直流电源的转换和控制中。由于其高达 650V 的耐压能力,该 MOSFET 可用于电源适配器、UPS 电源和电力转换模块中,用于实现高效率的电能转换和调节。在这些应用中,它负责控制电流的开关,保证系统的高效能和稳定性。
#### 2) **电机控制与驱动**
在电机控制应用中,STP10NK60ZFP-VB 被广泛用于直流电机和步进电机驱动模块。高达 12A 的漏电流能力使其能够处理大电流负载,在电机启动、加速和控制过程中提供所需的高效能。其低导通电阻使得电机驱动系统的能效更高,并有效减少热损耗。
#### 3) **汽车电子系统**
此款 MOSFET 可应用于汽车电子模块,如电动汽车(EV)的电池管理系统、车载充电器和电池转换器等。其高耐压性能确保了在电动汽车的高压电池管理系统中,能够稳定工作并承受电池充电和放电过程中可能出现的高电压。低导通电阻和大电流能力使得它在电池保护和电流控制方面表现出色。
#### 4) **工业电力控制**
STP10NK60ZFP-VB 还可广泛应用于工业领域,如风力发电、太阳能发电系统中的逆变器和直流-交流变换模块。它的高电压能力使其适用于高压逆变器、太阳能电池板的电源转换以及电动工具、自动化设备中的驱动和控制部分。
通过这些应用,可以看出该 MOSFET 在高电压和大电流环境下,提供了稳定的性能和高效的能量转换,非常适合用于电力密集型的工业和商业设备中。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12