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电子发烧友网>可编程逻辑>FPGA/ASIC技术>Xilinx与台积电合作采用16FinFET工艺,打造高性能FPGA器件

Xilinx与台积电合作采用16FinFET工艺,打造高性能FPGA器件

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的N4P及N3工艺要到明年才能实现量产,而目的N4工艺和N5P工艺相比不具备显著优势,,与其花费精力去采用N4工艺,不如再等一段时间直接在A16的下一代处理器上搭载最新工艺,故而苹果的A16处理器仍将使用5nm工艺。 虽然这次的A16还是采用
2022-05-30 16:29:012600

:2nm工艺将使用GAAFET技术,预计2025年实现量产

今日,在其举办的技术论坛会中展示了2nm(N2)工艺以及其它的一些先进制程。 在大会上,展示了N3工艺最新的FINFLEX技术,该技术扩展了采用3nm制程产品的性能、功率等,能够让芯片
2022-06-17 16:13:256050

2nm芯片最新消息

即将推出下一代先进工艺制程2nm芯片,2nm芯片弃用FinFET鳍式场效应晶体管技术,首次采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术,将于2025年开始量产。
2022-06-27 18:03:472075

苹果M2 Pro和M3芯片将会采用3nm工艺?苹果或许没那么好心

的3nm工艺性能将进一步得到提高,为了获得更多的3nm工艺产能,苹果也在继续加强与合作。 如果M2 Pro和M3芯片真的会采用3nm工艺的话,那么后续的M2 Max、M2 Ultra等芯片也
2022-06-29 16:34:043229

Ansys多物理场解决方案荣获N4工艺技术和FINFLEX™架构认证

Ansys凭借实现灵活的功耗/性能权衡,通过N3E工艺技术创新型FINFLEX架构认证   主要亮点 Ansys Redhawk-SC与Ansys Totem电源完整性平台荣获N3E
2022-11-17 15:31:571498

:未来十年的CMOS器件技术

sloped fin walls )的 22 纳米发展到今天更加垂直的壁(vertical walls)和为其 5 纳米工艺实施的高迁移率沟道 FinFET
2023-01-04 15:49:232428

3nm FinFET工艺

最小 Lg 是沟道栅极控制的函数,例如从具有不受约束的沟道厚度的单栅极平面器件转移到具有 3 个栅极围绕薄沟道的 FinFET,从而实现更短的 Lg。FinFET 的栅极控制在鳍底部最弱,优化至关重要。
2023-01-04 15:54:513687

官方对外开放16nm FinFET技术

官网宣布推出大学FinFET专案,目的在于培育未来半导体芯片设计人才并推动全球学术创新。
2023-02-08 11:21:01950

向学界开放16nm FinFET技术

宣布推出大学FinFET专案,目的在于培育未来半导体芯片设计人才并推动全球学术创新。
2023-04-23 09:29:036009

Cadence和合作开发N16 79GHz毫米波设计参考流程,助力雷达、5G和无线创新

。Cadence 和早已达成了长期合作,而利用这个最新成果,双方的共同客户可以使用完整的 N16 工艺 79GHz 毫米波设计参考流程来开发优化的、更可靠性的下一代 RFIC 设计,用于移动、汽车、医疗保健
2023-05-09 15:04:432317

Ansys多物理场解决方案通过N2芯片工艺认证

设计基础架构管理部负责人Dan Kochpatcharin表示:“始终与我们的Open Innovation Platform(OIP)生态系统合作伙伴密切合作最先进的N2工艺全套设计解决方案
2023-05-12 11:33:331588

行业首创!恩智浦携手,推出汽车级16纳米FinFET嵌入式MRAM

的新一代S32区域处理器和通用汽车MCU首批样品       了解详情     全球领先汽车处理企业恩智浦半导体宣布与合作交付行业首创的采用16纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM(磁随机存储器)。在向软件定义汽车(SDV)的过渡中,汽车厂商需要在单个硬件平台上支持多代软件
2023-05-26 20:15:021289

为新时代高性能航天级Xilinx FPGA供电

电子发烧友网站提供《为新时代高性能航天级Xilinx FPGA供电.pdf》资料免费下载
2023-09-14 11:24:360

有望2025年量产2nm芯片

、2025年量产。此外日本工厂有望2024年底开始量产,美国亚利桑那州工厂计划2025年上半年开始量产。 而对于3nm工艺的芯片,大家关注最多的是苹果 A17Pro。A17 Pro 采用
2023-10-20 12:06:232227

在日建厂,盼供应链回归

据悉,JASM为、索尼及丰田旗下装公司的三方合资企业,主要负责经营日本熊本的芯片工厂。未来,工厂将采用22/28nm、12/16nm FinFET制程工艺,预估月产能高达5.5万片300mm晶圆。
2023-12-15 14:22:161076

SK海力士携手,N5工艺打造高性能HBM4内存

在半导体技术日新月异的今天,SK海力士再次引领行业潮流,宣布将采用先进的N5工艺版基础裸片来构建其新一代HBM4内存。这一举措不仅标志着SK海力士在高性能存储解决方案领域的持续深耕,也预示着HBM内存技术即将迈入一个全新的发展阶段。
2024-07-18 09:47:531328

美国工厂投产A16芯片,苹果成首批客户

电位于美国亚利桑那州的Fab 21晶圆厂传来重大进展,据业内消息透露,该厂已正式投产,首批产品为采用N4P先进工艺的A16 SoC,专为苹果iPhone 14 Pro系列打造。这一里程碑标志着海外扩产计划的重要成果,也展现了其在全球半导体产业链中的核心地位。
2024-09-19 17:24:521192

OpenAI携手博通打造自主芯片

OpenAI正在与博通和两大半导体巨头携手合作,共同打造其首款自主研发的“in-house”芯片,旨在为其人工智能系统提供更强大的算力支持。
2024-10-30 16:17:40841

西门子扩大与合作推动IC和系统设计

西门子数字化工业软件与进一步扩大合作,基于的新工艺,推行多个新项目的开发、产品认证以及技术创新,结合西门子EDA 解决方案与电业内领先的芯片工艺和先进封装技术,帮助双方共同客户打造
2024-11-27 11:20:32658

罗姆、就车载氮化镓 GaN 功率器件达成战略合作伙伴关系

12 月 12 日消息,日本半导体制造商罗姆 ROHM 当地时间本月 10 日宣布同台就车载氮化镓 GaN 功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。 罗姆此前已于 2023 年采用
2024-12-12 18:43:321572

2025年起调整工艺定价策略

近日,据台湾媒体报道,随着AI领域对先进制程与封装产能的需求日益旺盛,计划从2025年1月起,针对其3nm、5nm以及先进的CoWoS封装工艺进行价格调整。 具体而言,将对3nm和5nm
2024-12-31 14:40:591373

Cadence基于N4工艺交付16GT/s UCIe Gen1 IP

我们很高兴展示基于成熟 N4 工艺打造的 Gen1 UCIe IP 的 16GT/s 眼图。该 IP 一次流片成功且眼图清晰开阔,为寻求 Die-to-Die连接的客户再添新选择。
2025-08-25 16:48:051780

MediaTek采用2纳米制程开发芯片

一直以来持续在旗舰移动平台、运算、车用、数据中心等应用领域,共同打造兼具高性能与高能效的芯片组,而此次合作更象征着 MediaTek 与公司坚实伙伴关系的全新里程碑。
2025-09-16 16:40:31978

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