三星有望超车台积电 高通将优先保证高端SoC芯片供应

三星有望超车台积电

3月15日消息，三星在IEEE ISSCC国际固态电路大会上首次展示采用3nm的256Mb（32MB）容量SRAM存储芯片。并使用MBCFET技术，写入电压仅0.23V，是三星实现新工艺量产的一次重大进步。

三星的3nm工艺采用了GAAFET（环绕栅极场效应晶体管）技术，与上一代7LPP FinFET工艺相比，晶体管密度可以提高80%，性能可提升30%，或功耗降低50%。有消息称，台积电也在研发3nm工艺，可惜新工艺仍将采用FinFET立体晶体管技术，与5nm工艺相比，晶体管密度将提高70%，性能可提升11%，或功耗降低27%。

从上面的参数来看，三星貌似有望实现弯道超车。但三星未公布3nm订单情况，台积电则基本确认，客户会包括苹果、AMD、NVIDIA、联发科、赛灵思、博通、高通等。

三星这次能否全面反超台积电，我们拭目以待。

高通将优先保证高端SoC芯片供应

据路透社报道，全球芯片产能紧张的状况进一步扩大，高通向三星供货已被影响。报道称，本次不仅影响到了中低端芯片，高通向三星 Galaxy S21 系列手机供应骁龙 888 SoC 的能力也受到了限制。目前高通产能受影响的程度未知，而高通仍有信心实现第二季度目标。

高通表示，“将优先保证高端 SoC 芯片的供应，而不是低价的入门级芯片。”称有一家知名手机制造商向路透社表示，高通公司芯片都供应紧张，所以只能削减智能手机的产能。

小米卢伟冰也表示过，目前智能手机的芯片是非常短缺的。高通即将上任的 CEO Cristiano Amon 表示，目前芯片短缺的情况有一部分原因是美国对华为的限制，导致手机厂商（如荣耀）只能选择其它公司的芯片。

责任编辑：haq