台积电：2nm工艺将使用GAAFET技术，预计2025年实现量产
今日，台积电在其举办的技术论坛会中展示了2nm（N2）工艺以及其它的一些先进制程。
在大会上，台积电展示了N3工艺最新的FINFLEX技术，该技术扩展了采用3nm制程产品的性能、功率等，能够让芯片设计者在芯片的每个关键功能块上做出最佳的选择。
据台积电放出的技术发展图来看，台积电的N3工艺将会在今年下半年开始量产，并且这一代N3工艺将会持续发展至2025年，其中会扩产出N3E、N3P和N3X工艺，今年除了N3工艺外，N4P和N6RF这两种全新工艺也会在下半年进行量产。
而N2工艺则是定在了2025年实现量产，台积电将会在N2工艺上首次使用GAAFET技术，以取代沿用至今的FinFET技术，而据台积电表示，N2工艺相比N3工艺的运行速度将会快10%~15%，相同速度的情况下，N2工艺的功耗相比N3工艺将会降低25%~30%。
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