、电机控制和配电电路的能耗和噪声。 新型 40V N 沟道增强型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充沟槽技术实现卓越的品质因数。在栅源电压 (VGS)为
2022-06-24 09:57:45
2122 
日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)开发出耐压40V的功率MOSFET ，最适合用于以工业设备和车载领域为中心的、输入电压24V的DC/DC转换器。
2012-08-08 09:18:231517 飞兆半导体公司新推出了40V 的N沟道PowerTrench MOSFET FDB9403，该产品可帮助设计人员在汽车动力转向系统的设计工程师需要能够提供更高效率和更佳功率控制的解决方案。
2012-12-04 14:56:041314 日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141177 汽车级MOSFET导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低28 %，比前代解决方案低31 %，占位面积减小50 %，有助于降低导通功耗，节省能源，同时增加功率密度提高输出。
2021-04-07 10:34:073575 最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS™ 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有
2023-06-06 11:01:361578 
™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线
2024-03-14 11:07:581205 
高效可靠的 40V 降压恒压电源芯片 SL3061，重新定义工业与消费电子电源解决方案在工业自动化、汽车电子及智能家居等领域，对宽输入电压、高精度输出的电源管理芯片需求日益增长。森利威尔推出
2025-06-20 17:26:07
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范，具体而言，低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
2019-08-09 07:28:08
（1）Rds（on）和导通损耗直接相关，RDSON越小，功率MOSFET的导通损耗越小、效率越高、工作温升越低。
（2）Rds（on）时正温度系数，会随着MOSFET温度升高而变大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
`Nexperia 200V超快恢复整流器拥有高功率密度，同时最大限度地减少了反向恢复时间和损耗。这些器件是大功率密度、超快恢复整流器，采用高效平面技术，采用小型扁平引线SOD123W或SOD128
2020-02-13 14:30:30
`Nexperia汽车用MOSFET包括一系列符合AEC-Q101标准的器件，符合汽车行业制定的严格标准。这些Nexperia汽车器件设计用于比家用和便携式应用中使用的功率MOSFET更恶劣
2021-01-23 11:20:27
MOSFET 采用 100%铜夹片LFPAK 封装。该封装坚固耐用，提供较高的板级可靠性和出色的热性能。LFPAK 封装适用于汽车以及工业和消费类应用。△ 具有较大 SOA 的 Nexperia MOSFET适用于 36V 锂电池系统应用
2022-10-28 16:18:03
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2019-07-04 06:22:42
面型MOSFET的RDS(ON)组成部分主要的不同在于出现JFET部分，沟漕型由于没有JFET效应，可以得到更高密度的缩减，实现低的RDS(ON)。沟漕MOSFET的RDS(ON)由于下面几个部分
2016-10-10 10:58:30
) 或电动汽车 (EV) 牵引逆变器系统。40V 最低输入电压支持来自牵引电机的可再生制动的功能安全测试。该参考设计实现了一款碳化硅 (SiC) MOSFET，该器件具有用于降低开关损耗的高阻断
2018-10-15 14:56:46
CAB450M12XM3工业级SiC半桥功率模块CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工业级全碳化硅（SiC）半桥功率模块，专为高功率密度、极端高温环境
2025-03-17 09:59:21
的推出，为业界提供了最佳功率密度和低传导损耗。FDMC8010采用飞兆半导体的PowerTrench技术，非常适合要求在小空间内实现最低RDS(ON)的应用，包括：高性能DC-DC降压转换器、负载点
2012-04-28 10:21:32
. 总所周知，IR不仅是全球功率半导体领先供应商，还是管理方案领先供应商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技术,40V
2018-09-28 15:57:04
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电
2010-05-06 08:55:20
克服了上述问题，可实现高功率密度、高效率 (达 99%) 的解决方案。这款固定比例、高电压、高功率开关电容器控制器内置 4 个 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，用于驱动外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
Leadway GaN系列模块以120W/in³的功率密度为核心，通过材料创新、电路优化与封装设计，实现了体积缩减40%、效率提升92%+的突破。其价值在于为工业自动化、机器人、电动汽车等空间受限
2025-10-22 09:09:58
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 编辑
一种新型正激高功率密度逆变器
2012-04-08 16:29:16
一种新型正激高功率密度逆变器
2012-04-08 15:43:13
什么是功率密度？功率密度的发展史如何实现高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
概述SL3061是一款内部集成功率MOSFET的降压型开关稳压器，工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压（6V至40V）可提供最大2.5A电流高效率输出。SL3061安全保护
2022-06-10 15:16:08
应用。虽然3mm x 3mm功率封装已经使DC-DC电路使用的空间大幅减少，还是有机会能够把所用的空间再减少一点，以及提高功率密度。实现这个目的的办法之一是用组合了两个器件的封装替代分立的单片MOSFET
2013-12-23 11:55:35
更高的功率密度。GaN的时代60多年以来，硅一直都是电气组件中的基础材料，广泛用于交流电与直流电转换，并调整直流电压以满足从手机到工业机器人等众多应用的需求。虽然必要的组件一直在持续改进和优化，但物理学
2019-03-01 09:52:45
实现功率密度非常高的紧凑型电源设计的方法
2020-11-24 07:13:23
如何在高功率密度模块电源中实现低损耗设计？这个问题是很多生产商和研发人员所面临的头号问题。毕竟，高功率密度的模块电源目前在我国的工业、通讯和制造业领域占据着主导地位。所以，下文将会就这一问题展开
2016-01-25 11:29:20
如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
的BLDC电机时，功率密度就是游戏的代名词。TI新的功率模块解决方案可在前所未有的水平上实现这一目标。其他信息有关这些新功率模块的更多信息，请查看具有40V CSD88584Q5DC的18V / 1kW
2017-08-21 14:21:03
和输出过压闭锁功能。应用汽车和工业电源通用升压特点Silent Switcher® 架构超低EMI辐射可选展频集成40V、2.5A功率开关宽输入/输出电压范围：2.7V至40V低VIN引脚静态电流：0.3
2020-08-28 10:06:36
整个寿命周期成本时，逐步减少能量转换过程中的小部分损失并不一定会带来总体成本或环境效益的大幅提升。另一方面，将更多能量转换设备集成到更小的封装中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工厂或数据中心
2020-10-27 10:46:12
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸
2019-08-06 07:20:51
描述：
APJ14N65D是CoolFET II MOSFET系列
也就是利用电荷平衡技术
低导通电阻和低栅极电荷性能
APJ14N65F/P/T适用于需要更高的功率密度和突出的效果
一般特性
2025-07-15 16:22:02
MOSFET通过降低开关损耗和具有顶部散热能力的DaulCool功率封装技术可以实现更高的工作频率,从而能够获得更高的功率密度。 理想开关 在典型的同步降压开关电源转换器中,MOSFET作为开关使用时
2012-12-06 14:32:55
MOSFET的导通电阻以及测量的条件，如AON6590，VDS=40V，分别列出了VGS=10V、VGS=4.5V的RDS(ON)，如下图所示。测量的条件：ID = 20A。导通电阻的温度系数用归一化的图表
2016-09-26 15:28:01
%和39%。改善导通电阻与栅极电荷乘积（优值系数，FOM），不仅能够提高总体的系统效率，还能够使DC/DC转换器实现更高的功率密度和更高的开关频率。为验证从TrenchFET III到TrenchFET
2013-12-31 11:45:20
`描述此降压同步直流/直流解决方案从 40V/42V 输入提供 5V 输出 (@20A)，可实现最大效率。特性带有集成同步栅极驱动器的 TPS40170 控制 IC低栅极电荷 (Qg) NexFET
2015-05-11 14:23:04
具有更高的热性能和坚固性，以及高度可靠的环氧树脂灌封技术。所有这些都导致： 优化内部低杂散电感和电弧键合™结构，显著提升动态开关性能; 功率密度比主要竞争对手的模块高20-30%; 更低的热阻
2023-02-20 16:26:24
电动工具中直流电机的配置已从有刷直流大幅转向更可靠、更高效的无刷直流（BLDC）解决方案转变。斩波器配置等典型有刷直流拓扑通常根据双向开关的使用与否实现一个或两个功率金属氧化物半导体场效应晶体管
2019-08-01 08:16:08
硅芯片如何助力汽车制动系统实现更高安全性？Cortex-R4的优势是什么？
2021-05-11 06:59:51
达100A的电流处理能力等特性，使该系列产品在40至80V电压等级的低电阻MOSFET应用方面树立了全新的标准。OptiMOS 3产品用于要求高效率和高功率密度的功率转换和电源管理系统，应用范围广泛
2018-12-07 10:23:12
进一步减小，甚至消除。 结论 如今，新一代的40V和60V MOSFET可使设计工程师设计出更高功率密度的产品。开关性能的优化可使许多应用选用一个更低电压等级的MOSFET，从而全面优化通态电阻、成本
2018-12-06 09:46:29
开发人员来说，功率密度是一个始终存在的挑战，对各种电压下更高电流的需求（通常远低于系统总线）带来了对更小的降压稳压器的需求，这样的稳压器可通过一个单极里的多个放大器，将电压从高达48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
传统变压器介绍高功率密度变压器的常见绕组结构
2021-03-07 08:47:04
集成来减小系统体积我还将演示如何与TI合作，使用先进的技术能力和产品来实现这四个方面，帮助您改进并达到功率密度值。首先，让我们来定义功率密度，并着重了解一些根据功率密度值比较解决方案时的细节
2022-11-07 06:45:10
工业电源必需满足一些特殊的要求，如低功耗(以减轻机箱冷却方面的负担)、高功率密度(以减小空间要求)、高可靠性和高耐用性，以及其它在普通电源中不常见的特性
2011-04-06 10:57:141720 
对于现代的数据与电信电源系统，更高的系统效率和功率密度已成为核心焦点，因为小型高效的电源系统意味着节省空间和电费账单。
2011-07-14 09:15:133531 英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步
2011-09-13 08:33:16897 英飞凌科技推出采用先进沟槽技术制程的最新单一P通道40V汽车电源MOSFET系列产品。新型40V OptiMOS P2产品为提升能源效率、减少CO2排放及节省成本设立新的基准
2011-09-28 19:35:41898 麦瑞半导体公司(Micrel, Inc.)推出了面向高功率密度直流—直流应用的新型SuperSwitcher II(TM)系列集成MOSFET的降压稳压器产品。
2012-02-03 09:09:121193 工业电源必需满足一些特殊的要求，如低功耗（以减轻机箱冷却方面的负担）、高功率密度（以减小空间要求）、高可靠性和高耐用性，以及其它在普通电源中不常见的特性，如易于并
2012-10-11 20:42:572598 
汽车动力操控（Power Steering）系统设计工程师需要可提供更高效率和更好功率控制的解决方案。快捷半导体公司（Fairchild Semiconductor） 的40V N 通道 PowerTrench MOSFET 产品可协助设计者应对这
2012-12-05 09:12:221338 通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。 分析显示，在研发功率
2017-11-24 06:21:01944 
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范
2019-01-25 07:15:011139 
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。儒卓力在电子商务网站上供应这款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:383580 通过对同步交流对交流（DC-DC）转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管 （MOSFET）参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2020-08-07 18:52:00
0 机电元件集成来减小系统体积 我还将演示如何与TI合作，使用先进的技术能力和产品来实现这四个方面，帮助您改进并达到功率密度值。 首先，让我们来定义功率密度，并着重了解一些根据功率密度值比较解决方案时的细节。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:151460 英飞凌采用全新 D2PAK-7L 封装的 1200V CoolSiC™ MOSFET，导通电阻从 30mΩ到 350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高
2021-03-01 12:16:023163 60V 低 IQ 同步降压型控制器 可在高达 2.25MHz 频率运行以实现高功率密度
2021-03-19 06:06:212 在QR反激式转换器中采用GaN HEMT和平面变压器，有助于提高开关频率和功率密度。然而，为了在超薄充电器和适配器设计中实现更高功率密度，软开关和变压器漏感能量回收变得不可或缺。
2022-03-31 09:26:453361 
电力电子领域的各种应用。MOSFET 的基本特性之一是其能够承受甚至非常高的工作电流、卓越的性能、稳健性和可靠性。该LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封装设计用于比 D²PAK 等旧金属电缆封装小尺寸和更高的功率密度，适用于当今空间受限的高功率汽车应用。
2022-08-09 08:02:114328 
一般电驱动系统以质量功率密度指标评价，电机本体以有效比功率指标评价，逆变器以体积功率密度指标评价；一般乘用车动力系统以功率密度指标评价，而商用车动力系统以扭矩密度指标评价。
2022-10-31 10:11:216549 本文将介绍实现更高电源功率密度的 3 种方法，工艺技术创新、电路设计技术优化、热优化封装研发
2022-12-22 11:59:591604 
基于WAYON维安MOSFET高功率密度应用于USB PD电源
2023-01-06 12:51:351525 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用新型L-TOGLTM（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB
2023-02-04 18:31:453724 谈及驱动效率更高的解决方案，汽车动力总成应用显然是主要焦点之一。功率密度、热性能和空间一直都是需要改进的关键领域。适用于在30~300 W范围内对热设计有要求的系统（包括水、油和燃油泵），Nexperia新推出的LFPAK33封装40 V低RDS(on) MOSFET器件是理想的选择。
2023-02-09 09:53:081375 
40V – 250A – N 沟道功率 MOS FET 应用：汽车
2023-03-13 19:19:530 40V – 250A – N 沟道功率 MOS FET 应用：汽车
2023-07-04 20:37:240 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-22 11:03:211439 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:101596 
电力电子产品设计人员致力于提升工业和汽车系统的功率效率和功率密度，这些设计涵盖多轴驱动器、太阳能、储能、电动汽车充电站和电动汽车车载充电器等。
2023-09-26 10:00:04971 
随着汽车行业逐步纵深电气化，我们已经创造出了显著减少碳排放的可能性。然而，由此而来的是，增加的电子设备使得汽车对电力运作的需求日益攀升，这无疑对电源网络提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在电源管理设计中的关键切换功能，成为了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:061580 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:081686 
电子发烧友网站提供《40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KTT数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-27 13:55:340 电子发烧友网站提供《40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KCS数据表.pdf》资料免费下载
2024-04-03 15:08:221 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装，具有业内领先的功率密度
2024-12-12 11:35:134678 提供超低RDS(on)和超高的电流与热管理能力 奈梅亨，2024 年12 月12 日 ：Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片
2024-12-16 14:09:09578 电子发烧友网站提供《LTH004SQJ 40V互补增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 16:58:540 电子发烧友网站提供《LTH004SQ 40V互补增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-01 16:32:210 电子发烧友网站提供《LTH004SQ-X 40V互补增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 16:34:440 电子发烧友网站提供《LTH004SQ-Z 40V互补增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-01 16:30:510 电子发烧友网站提供《LTH004SRU-4L 40V互补增强型功率MOSFET规划书.pdf》资料免费下载
2025-03-01 15:35:350 CSD18511KCS 是一款40V、2.1mΩ的N沟道NexFET™功率MOSFET，设计用于最小化功率转换应用中的损耗。它采用TO-220塑料封装，具有低栅极电荷（Qg）和低导通电阻（RDS(ON)），适用于次级侧同步整流和电机控
2025-04-15 16:23:11774 
这款 40V、1.4mΩ、TO-220 NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。 *附件：CSD18510KCS 40V N 沟道 NexFETTM 功率
2025-04-16 10:13:57766 
产品概述 型号 ：CSD18512Q5B 类型 ：40V N沟道 NexFET™ 功率MOSFET 封装 ：SON 5mm × 6mm 塑料封装 特点 ：低导通电阻（R_DS(ON)）、低热阻、雪崩额定、逻辑电平、无铅端子镀
2025-04-16 10:20:33784 
mm 塑料封装 参数 方框图 1. 产品概述 型号 ：CSD18513Q5A 类型 ：40V N沟道 NexFET 功率MOSFET 封装 ：SON 5mm × 6mm 塑料封装 特点 ：低导通电阻（R_DS(ON)）、低热阻、雪崩额定、逻辑电平、无铅端
2025-04-16 10:54:00755 
Nexperia（安世半导体）近日推出40-100 V汽车MOSFET产品组合，该系列采用行业标准微引脚封装，专为车身控制、信息娱乐、电池防反保护及LED照明应用设计。
2025-09-12 09:38:45630 ™ 7优化40V功率MOSFET.pdf 一、产品概述 英飞凌的OptiMOS™ 7 40V N沟道MOSFET系列，采用了最新的电机驱动优化技术。该系列产品主要面
2025-12-18 14:30:06188
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