MOSFET创新助力汽车电子功率密度提升

随着汽车行业逐步纵深电气化，我们已经创造出了显著减少碳排放的可能性。然而，由此而来的是，增加的电子设备使得汽车对电力运作的需求日益攀升，这无疑对电源网络提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在电源管理设计中的关键切换功能，成为了提升功率密度不可或缺的元素。

MOSFET技术的发展对汽车电源管理的革新

传统的晶体管外型（TO）封装在解决动力系统应用提供了经过验证的方案，这些应用需要数百到数千瓦的额定功率。然而，TO封装的限制逐渐凸显，特别是在面对RDS(ON)面积持续缩小的最新技术上。随着半导体行业持续创新以满足硅片的需求，攻克封装创新的挑战成为了行业的共识。在这个背景下，出现了采用无键合线（BWL）互联技术的新封装结构，其通过两个金属夹片将MOSFET的源极和栅极接地到端子，显著改善了MOSFET的电源系统性能。

RDS(On)在封装中的情况影响着电阻的最小化，这直接关系到封装的性能。无键合线（BWL）互联技术的运用及双金属夹片结构的引入，成功实现了电阻和电感的最大化减少，为提升器件性能开辟了新战略。

降低RDS(ON)值会显著减少传导功率损耗。通过尽可能地降低整体电阻，BWL封装在负载电流增加的场景下能够更有效地保持器件温度低的状态，并防止RDS(ON)频繁上升。最新的40V器件温度比先进的D2PAK产品低了近40℃，表现出了极好的功率密度。

随着技术的进步，MOSFET在提升效率和确保系统可靠性方面发挥了巨大作用。未来，伴随着小型化、低热阻封装的趋势，我们相信MOSFET将继续在应对汽车电子的快速发展中发挥其重要性，对驱动汽车电子功率密度的提升注入更大动力。