模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统
2023-12-05 17:03:49
1311 
器件的特点 碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍(宽禁带),达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍,高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍,为49w/cm.k。 它与硅半导体材料
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
，热导率是硅的10倍。 SiC在所有重要方面都优于硅 这为碳化硅器件开辟了广泛的应用领域，在5G/数据中心等空间受限和节能领域，低损耗是应用的推动力;在电动汽车领域，更高的牵引逆变器效率意味着更小
2023-02-27 14:28:47
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
。碳化硅压敏电阻的主要特点自我修复。用于空气/油/SF6 环境。可配置为单个或模块化组件。极高的载流量。高浪涌能量等级。100% 活性材料。可重复的非线性特性。耐高压。基本上是无感的。碳化硅圆盘压敏电阻每个
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
，3.3 kW CCM 图腾柱 PFC 的效率可达到 99% 以上（图 4），其中在双升压 PFC 设计中使用 CoolMOS™ 的最佳效率峰值为 98.85%。而且，尽管碳化硅MOSFET的成本较高
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金刚石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化钛等。3)高强度。在常温和高温下，碳化硅的机械强度都很高。25℃下，SiC的弹性模量，拉伸强度为1.75公斤/平方厘米，抗压强度为
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案，可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅 MOSFET，这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间，能以更低成本实现 95
2021-03-29 11:00:47
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
明显优势，可以用来做成高耐压的肖特基二极管，目前650V-1700V碳化硅肖特基二极管在消费、工业、汽车、军工等领域有广泛应用。 03 碳化硅肖特基二极管结构简析 肖特基二极管：以金属为阳极，以N
2023-02-28 16:55:45
。 基本半导体自主研发推出了650V、1200V、1700V系列标准封装碳化硅肖特基二极管及1200V碳化硅MOSFET产品，具有极高的工作效率，性能优越达到国际先进水平，可广泛应用于新能源充电桩、光伏逆变器
2023-02-28 16:34:16
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
模块的可靠性和耐用性。低电感设计：电感值为6.7 nH，有助于降低系统中的电感效应，提高功率转换效率。采用全新的第3代碳化硅MOSFETs：提供更好的性能和效率。集成化温度传感器
2025-06-25 09:13:14
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
用于电机驱动领域的优势，寻找出适合碳化硅功率器件的电机驱动场合，开发工程应用技术。现已有Sct3017AL在实验室初步用于无感控制驱动技术中，为了进一步测试功率器件性能，为元器件选型和实验验证做调研
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
氧化层？如何测试碳化硅MOSFET的栅氧可靠性？”让我们一起跟随基本半导体市场部总监魏炜老师的讲解，揭开这一技术领域的神秘面纱。
2025-01-04 12:37:34
由米勒电容引起的寄生导通效应，常被认为是当今碳化硅MOSFET应用的一大缺陷。为了避免这种效应，在硬开关变流器的栅极驱动设计中，通常采用负栅极电压关断。但是这对于CoolSiC™ MOSFET
2023-02-27 13:53:56
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
，在这些环境中，传统的硅基电子设备无法工作。碳化硅在高温、高功率和高辐射条件下运行的能力将提高各种系统和应用的性能，包括飞机、车辆、通信设备和航天器。今天，SiC MOSFET是长期可靠的功率器件。未来，预计多芯片电源或混合模块将在SiC领域发挥更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
，获得华大半导体有限公司投资，创能动力致力于开发以硅和碳化硅为基材的功率电子器件、功率模块，并商品化提供解决方案。碳化硅使用在氮化镓电源中，可实现相比硅元器件更高的工作温度，实现双倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
0.5Ω，内部栅极电阻为0.5Ω。 功率模块的整体热性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。与具有相同标称电流的硅IGBT相比，SiC MOSFET通常表现出显着较低的开关损耗，尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。 该器件将传统
2023-02-28 16:48:24
员要求的更低的寄生参数满足开关电源（SMPS）的设计要求。650V碳化硅场效应管器件在推出之后，可以补充之前只有1200V碳化硅场效应器件设计需求，碳化硅场效应管（SiC MOSFET）由于能够实现硅
2023-03-14 14:05:02
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，极大地提高模块工作的可靠性。此外，铝带、铜带连接工艺因其更大的截流能力、更好的功率循环以及散热能力，也有望为碳化硅提供更佳的解决方案。图 11 所示分别为铜键合线、铜带连接方式。锡片或锡膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
系列电源模块，支持多种栅极输出电压，可灵活应用于碳化硅MOSFET驱动。该电源模块尺寸为 19.5 X 9.8 X 12.5 mm， 设计紧凑， 通用性强。原作者：基本半导体
2023-02-27 16:03:36
。过去 十年 ，针对 大量 工业和 汽车应 用售 出了逾 5000 万个 带有 不同芯 片组 的EasyPACK 模块。同时，英飞凌丰富的 CoolSiC 产品组合被广泛应用于工业应用领域。随着
2021-03-27 19:40:16
公司等为代表。四、碳化硅半导体应用碳化硅半导体器件，其高频、高效、高温的特性特别适合对效率或温度要求严苛的应用。可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。原作者：大年君爱好电子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
CAS120M12BM2是62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半桥功率模块。用于开关和传导优化应用的 BM2 和 BM3 半桥模块。62mm 功率模块平台提供了碳化硅 (SiC) 的系统优势
2022-06-10 20:15:07
CAS300M17BM2是62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半桥功率模块。用于开关和传导优化应用的 BM2 和 BM3 半桥模块。62mm 功率模块平台提供了碳化硅 (SiC) 的系统优势
2022-06-10 20:20:55
CAS300M12BM2是62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半桥功率模块。用于开关和传导优化应用的 BM2 和 BM3 半桥模块。62mm 功率模块平台提供了碳化硅 (SiC) 的系统优势
2022-06-10 22:00:31
WAB300M12BM3是62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半桥功率模块。用于开关和传导优化应用的 BM2 和 BM3 半桥模块。62mm 功率模块平台提供了碳化硅 (SiC) 的系统优势
2022-06-10 22:10:28
CAB530M12BM3是62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半桥功率模块。用于开关和传导优化应用的 BM2 和 BM3 半桥模块。62mm 功率模块平台提供了碳化硅 (SiC) 的系统优势
2022-06-10 22:19:56
2016年5月10日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技术，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET具备更大灵活性，可提高效率和频率。
2016-05-10 18:14:091448 2017年6月30日，德国慕尼黑和纽伦堡讯—效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅（SiC）的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。
2017-07-03 10:13:262242 具体来说，在新能源发电系统中，采用碳化硅技术能够达到的更高的效率意味着其能够更早地替代传统的石化燃料发电。英飞凌为光伏串组串逆变器的升压和逆变部分提供量身定制的模块系列，可以提升的逆变器效率和性能。在充电桩应用中，英飞凌的全碳化硅解决方案大幅提升功率密度，从而使充电设备变得更加轻巧便捷。
2018-05-04 09:05:0110071 据外媒报道，在今年的纽伦堡PCIM欧洲展会上，英飞凌（Infineon）推出了首款车用碳化硅产品，肖特基（Schottky）二极管，并为其新创了一个品牌名CoolSiC。
2018-09-21 14:36:505349 。PCIM 2019是全球领先的电力电子、智能传动、可再生能源和能源管理展览及会议。 CISSOID公司推出了一款新型栅极驱动器板，该板针对额定温度为125°C（环境温度）的62mm碳化硅MOSFET功率模块进行了优化。
2019-05-16 09:10:564561 英飞凌科技股份公司与GT Advanced Technologies（GTAT）已经签署碳化硅（SiC）晶棒供货协议，合同预期五年。
2020-11-13 11:48:481308 基本半导体是国内比较早涉及第三代半导体碳化硅功率器件研发的企业，率先推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等器件，为业界熟知，并得到广泛应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动中
2021-11-29 14:54:089429 
新一代碳化硅模块采用增强型CoolSiC™ MOSFET（M1H），首发型号为EasyPACK™和EasyDUAL™封装。
2022-06-14 09:47:192347 、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。 中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm。 碳化硅也可以通过使
2023-02-02 14:50:023904 、电源供应器等高功率应用领域。碳化硅应用涵盖了新基建涉及的绝大部分领域，这给国内以基本半导体为代表的碳化硅企业带来巨大利好。
2023-02-03 14:49:52973 碳化硅主要有四大应用:功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供应，不能算高新技术产品，而技术含量极高的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。
2023-02-09 18:09:115518 汽车碳化硅模块是一种用于汽车电力传动系统的电子器件，由多个碳化硅芯片、散热器、绝缘材料和连接件等组成。碳化硅芯片作为模块的核心部件，采用现代半导体技术制造而成，可以实现高功率、高效率、高频率的控制和开关，适用于电动车的逆变器、充电器、DC-DC转换器等多种应用。
2023-02-25 15:03:224048 和沉淀，帮助新材料在新应用中快速成长。迄今为止英飞凌CoolSiC商用已有20余年，未来CoolSiC碳化硅器件除了光伏和储能、充电设施以及各类电源应用以外，还会
2023-05-19 10:27:031457 
随着国内对碳化硅技术的日益重视和不断加大的研发投入，国内碳化硅MOSFET芯片设计的水平逐步提升，研究和应用领域也在不断扩展。
2023-08-10 18:17:492037 
碳化硅（SiC）是一种宽禁带半导体材料，具有优异的物理、化学和电学性能，在高温、高频、高压等恶劣环境下具有很高的稳定性和可靠性。本文将对SiC碳化硅的基本概念、制备方法、应用领域和技术发展趋势进行简要介绍。
2023-09-12 17:25:415309 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:011647 PI近日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块
2023-12-14 15:47:041174 随着电力电子技术的不断发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新型的半导体材料，逐渐在电力电子领域崭露头角。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高导热率和高电子饱和迁移率，使得碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高可靠性等优点。本文将介绍碳化硅功率器件的基本原理、应用领域以及发展前景。
2023-12-21 09:43:381583 11月14日，英飞凌科技的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半桥模块凭借其卓越的性能，荣获2023年度行家极光奖最具影响力产品奖，再次展现了英飞凌在碳化硅领域的技术创新能力
2023-12-21 08:14:091511 碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:494326 碳化硅（SiC）是一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能，碳化硅在电力电子、微波射频、光电子等领域具有广泛的应用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:141646 
英飞凌科技与Wolfspeed近日宣布，将扩展并延长双方最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。这一合作旨在满足不断增长的市场需求，并提升英飞凌供应链的稳定性。
2024-01-31 17:31:141385 英飞凌科技与Wolfspeed宣布，将扩展并延长他们最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。经过这次扩展，双方的合作新增了一项多年期产能预订协议。这一合作不仅有助于提升英飞凌总体供应链的稳定性，还能满足汽车、太阳能和电动汽车应用以及储能系统对碳化硅半导体产品日益增长的需求。
2024-02-02 10:35:331272 碳化硅（SiC）技术一直是推动高效能源转换和降低碳排放的关键，英飞凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技术，也是要在这个领域提高了MOSFET的性能指标，扩大还在光伏、储能、电动汽车充电等领域的市场份额。
2024-03-12 09:33:261841 
在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术——CoolSiC™ MOSFET Generation 2。这一创新技术的推出，标志着功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑，为行业的低碳化进程注入了强大动力。
2024-03-12 09:43:291432 英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比，全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:361715 英飞凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比，英飞凌全新的 CoolSiC™ MOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:201986 
近日，我们注意到在电动车行业中，小米电动汽车的新款SU7将由英飞凌科技提供具备碳化硅(SiC)元素的功率模块CoolSiC以及裸芯片产品。英飞凌的这款CoolSiC技术产品可以实现更高的工作温度，并
2024-05-07 11:30:361047 
半导体领域的创新者英飞凌科技近日发布了一款革命性的数字驱动评估板——EVAL-FFXMR20KM1HDR，专为2kV碳化硅MOSFET模块设计。这款评估板为工程师们提供了一个快速、便捷的测试平台，以评估基于2kV碳化硅MOSFET样机的性能特性。
2024-05-11 11:33:451359 英飞凌IPAC直播间|CoolSiC碳化硅直播季第二期将为大家介绍两款将在7月正式发布的3300V高压SiC产品组合系列，一是漏极-源极导通电阻2.0mΩ（25℃条件下），标称电流1000A的模块
2024-06-21 08:14:31782 全球能源转型相关应用领域，例如，光伏、储能、电动汽车和电动汽车充电基础设施。英飞凌CoolSiC产品系列在这些领域大有可为。扫码下载英飞凌碳化硅白皮书QCoolSi
2024-07-12 08:14:411152 碳化硅（SiliconCarbide，简称SiC）功率器件是近年来电力电子领域的一项革命性技术。与传统的硅基功率器件相比，碳化硅功率器件在性能和效率方面具有显著优势。本文将深入探讨碳化硅功率器件的基本原理、优点、应用领域及其发展前景。
2024-09-11 10:44:301739 
全球领先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一项重大技术创新，成功推出了一款专为可再生能源、储能系统以及高容量快速充电领域设计的碳化硅模块。这款模块以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米碳化硅晶片为核心，实现了前所未有的性能飞跃。
2024-09-12 17:13:321309 在电力电子领域，碳化硅（SiC）功率器件正以其独特的性能和优势，逐步成为行业的新宠。碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，使得碳化硅功率器件在高温、高频、大功率应用领域展现出显著的优势。本文将深入探讨碳化硅功率器件的工作原理、优势、应用领域以及未来发展趋势。
2024-09-13 10:56:421990 
碳化硅功率器件作为下一代半导体技术的重要代表，以其优越的性能和广阔的应用前景，成为能源革命中的重要推动力。本文将从市场资讯的角度，深入探讨碳化硅功率器件的发展趋势、应用领域和市场前景。
2024-10-24 15:46:411490 11月5日，英飞凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块(EasyPACK3B封装以及62mm封装)凭借其市场领先的产品设计以及卓越的性能，荣获2024年全球电子成就奖（WorldElectronicsAchievementAwards,WEAA）“年度高性能无源/分立器件”（HighPerformancePassive/Dis
2024-11-07 08:03:061375 碳化硅的应用领域 碳化硅（SiC），作为一种宽禁带半导体材料，因其独特的物理和化学特性，在多个领域展现出广泛的应用潜力。以下是碳化硅的一些主要应用领域： 电子器件 ： 功率器件 ：碳化硅材料制成
2024-11-29 09:27:076931 高温、高压和高频环境下稳定工作，同时具有较低的导通损耗和较高的开关速度。这些特性使得SiC在电力电子领域，特别是在电动汽车（EV）和可再生能源系统中的逆变器、转换器和电源管理中发挥着重要作用。 2. 照明技术 在照明领域，碳化硅被用
2025-01-23 17:06:132593 英飞凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块(EasyPACK3B封装以及62mm封装)凭借其市场领先的产品设计以及卓越的性能，荣获2024年全球电子成就奖
2025-02-08 11:24:57893 英飞凌开始向客户提供首批采用先进的200mm碳化硅（SiC）晶圆制造技术的SiC产品这些产品在奥地利菲拉赫生产，为高压应用领域提供一流的SiC功率技术200mmSiC的生产将巩固英飞凌在所
2025-02-18 17:32:451135 在碳化硅（SiC）技术的应用中，许多工程师对SiC的性能评价存在误解，尤其是关于“单位面积导通电阻（Rsp）”和“高温漂移”的问题。作为“碳化硅何以英飞凌”的系列文章，本文将继续为您揭开这些误区
2025-04-30 18:21:20761 近日，英飞凌在上海举办的2025OktoberTech大中华区生态创新峰会在上海顺利落下帷幕。本次活动中，英飞凌推出多款CoolSiC碳化硅重磅新产品，凭借卓越的性能指标和创新封装设计，继续全面领跑半导体行业，为电力电子系统的高效、可靠运行提供了强有力的支
2025-06-17 17:58:441755 碳化硅（SiliconCarbide,SiC）是一种新兴的半导体材料，因其优越的电气特性和热稳定性，正在逐渐取代传统的硅（Si）材料，成为功率器件领域的重要选择。SiC功率器件以其高效率、高温耐受性
2025-06-18 17:24:241467 基本半导体推出34mm封装的全碳化硅MOSFET半桥模块，该系列产品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技术，在比导通电阻、开关损耗、可靠性等方面表现更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
解决方案伙伴，隆重推出BASIC Semiconductor BSRD-2503-ES01双通道驱动板——专为62mm SiC MOSFET模块设计的性能引擎，助力客户攻克高压、高频应用的技术壁垒。
2025-09-18 18:27:33678 
倾佳电子代理的基本半导体62mm碳化硅（SiC）模块，可以设计一个大功率双向DC-DC隔离电源。这两种模块都属于半桥模块，非常适合用于双向DC-DC变换器，特别是针对高频开关应用和高功率密度
2025-08-25 18:09:07884 
基本半导体推出62mm封装的1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块，产品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技术，在保持传统62mm封装尺寸优势的基础上，通过创新的模块设计显著降低了模块杂散电感，使碳化硅MOSFET的高频性能得到更充分发挥。
2025-09-15 16:53:03981 
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