英飞凌62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半桥模块荣获2023年度最具影响力碳化硅产品奖

11月14日，英飞凌科技的62mm CoolSiC MOSFET 2000V M1H碳化硅半桥模块凭借其卓越的性能，荣获2023年度行家极光奖最具影响力产品奖，再次展现了英飞凌在碳化硅领域的技术创新能力和行业领先地位，得到了业内专家和客户的认可。

2023年上市的62mm CoolSiC MOSFET 2000V M1H碳化硅半桥模块采用沟槽栅，大大提升器件参数、可靠性及寿命。2000V的电压等级，可简化1500VDC光伏系统拓扑设计，将传统IGBT器件的三电平方案简化为两电平，使1500VDC光伏系统效率上了新台阶。

通过碳化硅扩展成熟的62mm封装的产品，满足了快速开关要求和低损耗，高效率的应用，适用于储能系统、电动汽车充电、光伏逆变器、牵引以及UPS等应用。

采用62mm封装的2000V产品组合包含3.5mΩ/300A和2.6mΩ/400A两种型号，还有评估板可供选择。了解更多信息，请点击文末“阅读原文”。

英飞凌自1992开始着手于碳化硅的研究，在长达30年的时间里，英飞凌不断地进行技术打磨和沉淀，不遗余力地在碳化硅领域做出自己的贡献。英飞凌科技将继续推动碳化硅产品和技术的发展，为全球客户提供更为高效、可靠的产品解决方案。