英飞凌推出G2 CoolSiC MOSFET进一步推动碳化硅技术的发展

碳化硅（SiC）技术一直是推动高效能源转换和降低碳排放的关键，英飞凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技术，也是要在这个领域提高了MOSFET的性能指标，扩大还在光伏、储能、电动汽车充电等领域的市场份额。

Part 1

CoolSiC MOSFET G2技术 的关键性能提升

英飞凌的CoolSiC MOSFET G2技术相较于上一代产品实现了关键性能指标的提高，包括存储能量和电荷等。这不仅提高了整体能源效率，而且在碳化硅技术的基础上进一步促进了脱碳进程。

G2技术在硬开关和软开关 MOSFET 操作的关键品质因数上提高了20%以上，同时快速开关能力提高了30%以上。以光伏逆变器、储能装置、电动汽车充电、UPS等应用为例，G2在所有运行模式下均能以较低的功率损耗运行。

在三相电源方案中，相较于上一代CoolSiC G2，运行功耗可降低5-30%，实现了每瓦特的节能。

CoolSiC G2 MOSFET产品组合在市场上拥有SiC MOSFET中最低的导通电阻（Rdson），采用SMD封装的同类产品中表现出色。通过英飞凌的专利.XT技术改进封装互连，减少热阻、提高输出功率、降低工作温度。

新一代的热性能提高了12%，同时增加了60%以上的功率，提高了功率转换的标准计划。

这使得CoolSiC G2在光伏、储能、电动汽车充电、电机驱动和工业电源等各种功率半导体应用中具备显著优势。例如，搭载CoolSiC G2的电动汽车直流快速充电站可减少高达10%的功率损耗，同时实现更高的充电容量。在可再生能源领域，采用CoolSiC G2设计的太阳能逆变器可在保持高功率输出的同时缩小尺寸，降低每瓦成本。

Part 2

沟槽技术 竞争壁垒与可靠性

沟槽技术在现代硅功率器件中已经取代了平面技术，而对于碳化硅而言同样如此。英飞凌的CoolSiC MOSFET G2沟槽技术不仅在性能上具备优势，而且在可靠性方面也保持了高水平。相较于SiC材料中的横向界面，垂直界面的缺陷密度显著降低，为性能和鲁棒性特征与可靠性相匹配提供了新的优化潜力。

英飞凌强调了CoolSiC MOSFET G2沟槽技术的高可靠性，基于已售CoolSiC MOSFET G1的百万缺陷数（DPM）数据，SiC产品报损率低于基于硅的功率开关。这一高可靠性将为英飞凌的能源效率提供可持续竞争力。

小结

英飞凌的CoolSiC MOSFET G2技术的推出标志着碳化硅技术的新一步进化。其在性能、能效和可靠性方面的显著提升为电力系统和能源转换带来了新的可能性，为实现高效、可靠、可持续的能源转换做出了重要贡献。

这一技术的成功应用将助力推动工业、消费和汽车领域的脱碳和数字化，是英飞凌在推动创新方面的重要一步。

审核编辑：刘清