安森美NTMFS6H800NL N沟道功率MOSFET：小尺寸大能量

在电子设备不断向小型化、高效化发展的今天，功率MOSFET作为重要的电子元件，其性能和特性对整个系统的性能起着关键作用。安森美（onsemi）的NTMFS6H800NL N沟道功率MOSFET，凭借其出色的特性和性能，成为了众多工程师在设计中的首选。

文件下载：NTMFS6H800NL-D.PDF

产品特性

小尺寸设计

NTMFS6H800NL采用5x6 mm的小尺寸封装，非常适合紧凑设计的应用场景。在如今对设备体积要求越来越高的市场环境下，这种小尺寸封装能够让工程师在有限的空间内实现更多的功能，为产品的小型化设计提供了可能。

低导通损耗

该MOSFET具有低 $R{DS(on)}$ 特性，能够有效降低导通损耗。在功率转换系统中，导通损耗是一个重要的考量因素，低 $R{DS(on)}$ 可以减少能量在MOSFET上的损耗，提高系统的效率，降低发热，延长设备的使用寿命。

低驱动损耗

低 $Q_{G}$ 和电容特性使得NTMFS6H800NL在驱动过程中能够减少驱动损耗。这意味着在驱动该MOSFET时，所需的驱动功率更小，进一步提高了系统的整体效率。

环保合规

NTMFS6H800NL是无铅产品，并且符合RoHS标准，满足环保要求，为绿色电子设计提供了支持。

关键参数

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	$V_{DSS}$	80	V
栅源电压	$V_{GS}$	+20	V
连续漏极电流（$T_{C}=25^{circ}C$）	$I_{D}$	224	A
功率耗散（$T_{C}=25^{circ}C$）	$P_{D}$	214	W
脉冲漏极电流（$T{A}=25^{circ}C$，$t{p}=10 mu s$）	$I_{DM}$	900	A
工作结温和存储温度范围	$T{J}$，$T{stg}$	-55 至 +175	$^{circ}C$
源极电流（体二极管）	$I_{S}$	179	A
单脉冲漏源雪崩能量（$L_{(pk)} = 16.2A$）	$E_{AS}$	601	mJ
焊接用引脚温度（距外壳1/8英寸，10 s）	$T_{L}$	260	$^{circ}C$

这些参数为工程师在设计电路时提供了重要的参考依据，确保MOSFET在安全的工作范围内运行。

热阻参数

参数	符号	值	单位
结到外壳热阻（稳态）	$R_{theta JC}$	0.7	$^{circ}C/W$
结到环境热阻（稳态）	$R_{theta JA}$	39	$^{circ}C/W$

需要注意的是，热阻参数会受到整个应用环境的影响，并非恒定值，仅在特定条件下有效。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：$V{(BR)DSS}$ 在 $V{GS} = 0 V$，$I{D} = 250 mu A$ 时为 80 V，并且在不同温度下有不同的表现，如 $T{J} = 25^{circ}C$ 时为 10 A，$T_{J} = 125^{circ}C$ 时为 250 A。
• 零栅压漏极电流：$I{DSS}$ 在 $V{GS} = 0 V$，$V_{DS} = 80 V$ 时的温度系数为 $mV/^{circ}C$。
• 栅源泄漏电流：$I{GSS}$ 在 $V{DS} = 0 V$，$V_{GS} = 20 V$ 时为 100 nA。

导通特性

• 栅极阈值电压：$V{GS(TH)}$ 在 $V{GS} = V{DS}$，$I{D} = 330 mu A$ 时为 1.2 - 2.0 V，阈值温度系数为 -5.1 mV/°C。
• 漏源导通电阻：$R{DS(on)}$ 在 $V{GS} = 10 V$，$I{D} = 50 A$ 时为 1.5 - 1.9 mΩ；在 $V{GS} = 4.5 V$，$I_{D} = 50 A$ 时为 1.9 - 2.4 mΩ。
• 正向跨导：$g{FS}$ 在 $V{DS} = 8 V$，$I_{D} = 50 A$ 时为 250 S。

电荷、电容和栅极电阻特性

• 输入电容：$C{ISS}$ 在 $V{GS} = 0 V$，$f = 1 MHz$，$V_{DS} = 40 V$ 时为 6900 pF。
• 输出电容：$C_{OSS}$ 为 800 pF。
• 反向传输电容：$C_{RSS}$ 为 22 pF。
• 总栅极电荷：$Q{G(TOT)}$ 在 $V{GS} = 10 V$，$V{DS} = 40 V$，$I{D} = 50 A$ 时为 112 nC。

开关特性

在 $V{GS} = 4.5 V$，$V{DS} = 64 V$，$I{D} = 50 A$，$R{G} = 2.5 Omega$ 的条件下，开启延迟时间 $t{d(ON)}$ 为 20 ns，上升时间 $t{r}$ 为 153 ns，关断延迟时间 $t{d(OFF)}$ 为 118 ns，下降时间 $t{f}$ 为 163 ns。并且开关特性与工作结温无关。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压：$V{SD}$ 在 $T{J} = 25^{circ}C$，$V{GS} = 0 V$，$I{S} = 50 A$ 时为 0.8 - 1.2 V；在 $T_{J} = 125^{circ}C$ 时为 0.7 V。
• 反向恢复时间：$t{RR}$ 为 77 ns，电荷时间 $t{a}$ 为 40 ns，放电时间 $t{b}$ 为 38 ns，反向恢复电荷 $Q{RR}$ 为 110 nC。

典型特性曲线

文档中还给出了一系列典型特性曲线，如导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压和漏极电流的关系、导通电阻随温度的变化、漏源泄漏电流与电压的关系、电容变化、栅源与总电荷的关系、电阻性开关时间随栅极电阻的变化、二极管正向电压与电流的关系、最大额定正向偏置安全工作区、最大漏极电流与雪崩时间的关系以及热响应曲线等。这些曲线能够帮助工程师更直观地了解NTMFS6H800NL在不同条件下的性能表现，从而更好地进行电路设计。

应用建议

在使用NTMFS6H800NL进行电路设计时，工程师需要根据实际应用场景和需求，合理选择工作参数，确保MOSFET在安全的工作范围内运行。同时，要注意热管理，由于MOSFET在工作过程中会产生热量，合理的散热设计能够提高其性能和可靠性。此外，还需要根据具体的电路要求，选择合适的驱动电路，以确保MOSFET能够正常开关。

安森美NTMFS6H800NL N沟道功率MOSFET以其小尺寸、低损耗、高性能等优点，为电子工程师在设计高效、紧凑的功率转换系统提供了一个优秀的选择。你在实际应用中是否使用过这款MOSFET呢？遇到过哪些问题？欢迎在评论区分享你的经验和见解。