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标签 > 导通损耗
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onsemi NTMFSS0D9N03P8 N沟道功率MOSFET技术解析与应用指南
安森美NTMFSS0D9N03P8 N沟道MOSFET是一款单源下MOSFET,具有低 ~RDS (on)~ ,可最大限度地降低导通损耗,另外还具有低~...
NVBLS1D2N08X:一款高性能80V N沟道功率MOSFET的深度解析
安森美NVBLS1D2N08X MOSFET具有~低QRR~ 、~RDS(on)~ 和 ~QG~ ,可最大限度降低驱动器损耗和导通损耗。MOSFET符合...
Vishay SEP4512相臂高压整流器技术解析与应用指南
Vishay Semiconductors SEP4512相臂高压标准整流器具有低正向导通损耗、高浪涌电流耐能力和高结温能力的特性。该器件具有1200V...
IGBT模块的开关损耗(动态损耗)与导通损耗(静态损耗)的平衡优化是电力电子系统设计的核心挑战。这两种损耗存在固有的折衷关系:降低导通损耗通常需要提高载...
减少开关电源的导通损耗是提升电源效率、降低能耗的关键环节。导通损耗主要来源于电流通过开关管、导线、二极管等元件时产生的功率损失。以下将从多个方面详细探讨...
开关电源内部主要损耗要提高开关电源的效率,就必须分辨和粗略估算各种损耗。开关电源内部的损耗大致可分为四个方面:开关损耗、导通损耗、附加损耗和电阻损耗。这...
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