DRV8329系列器件是用于三相应用的集成栅极驱动器。这些器件提供三个半桥栅极驱动器,每个驱动器都能够驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。该器件使用内部电荷泵产生正确的栅极驱动电压,并使用自举电路增强高侧MOSFET。包括一个涓流电荷泵,以支持 100% 占空比。栅极驱动架构支持高达 1A 源极和 2A 灌电流的峰值栅极驱动电流。该DRV8329可采用单个电源供电,并支持4.5至60 V的宽输入电源范围。
*附件:drv8329.pdf
6x 和 3x PWM 模式允许与控制器电路进行简单的接口。该器件集成了精确的3.3V LDO,可用于为外部控制器供电,并可用作CSA的参考。设备的配置设置可通过硬件 (H/W) 引脚进行配置。
DRV8329 器件集成了低侧电流检测放大器,允许对驱动级所有三相的电流总和进行电流检测。
提供低功耗睡眠模式,通过关闭大部分内部电路来实现低静态电流。提供欠压锁定、GVDD 故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路和过热的内部保护功能。故障情况在nFAULT引脚上指示。
特性
- 65V 三相半桥栅极驱动器
- 驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 沟道 MOSFET (NMOS)
- 4.5 至 60V 工作电压范围
- 支持100% PWM占空比,带涓流电荷泵
- 基于 Bootstrap 的栅极驱动器架构
- 1000mA 最大峰值源电流
- 2000mA 最大峰值灌电流
- 集成电流检测放大器,具有低输入失调(针对 1 个分流器进行了优化)
- 可调增益 (5、10、20、40 V/V)
- 硬件接口提供简单的配置
- 超低功耗睡眠模式 <1 μA,25 ̊C
- 相间4 ns (典型值)传播延迟匹配
- 独立驱动器关断路径 (DRVOFF)
- 65V 容差唤醒引脚 (nSLEEP)
- 在SHx上支持高达-10V的负瞬变
- 6x 和 3x PWM 模式
- 支持3.3V和5V逻辑输入
- 精确的 LDO (AVDD),3.3 V ±3%,80 mA
- 紧凑的QFN封装和封装
- 通过VDSLVL引脚可调节VDS过流阈值
- 通过 DT 引脚可调节死区时间
- 带电源块的高效系统设计
- 集成保护功能
- PVDD 欠压锁定 (PVDDUV)
- GVDD 欠压 (GVDDUV)
- Bootstrap 欠压 (BST_UV)
- 过流保护(VDS_OCP、SEN_OCP)
- 热关断 (OTSD)
- 故障状态指示器 (nFAULT)
参数
方框图

1. 产品概述
DRV8329是德州仪器(TI)推出的高性能三相栅极驱动器,专为宽电压范围(4.5V-60V)无刷直流(BLDC)或永磁同步电机(PMSM)驱动设计,核心特性包括:
- 集成驱动:支持3个半桥栅极驱动,可驱动6个N沟道MOSFET(高边+低边)。
- 驱动能力:
- 峰值源电流1A/灌电流2A,支持100%占空比(集成涓流电荷泵)。
- 低侧集成电流检测放大器(增益可调5/10/20/40 V/V)。
- 工作模式:支持6x PWM(独立高低边控制)和3x PWM(简化控制)模式。
- 保护功能:
- 多重保护(欠压锁定/过流/热关断),故障指示引脚(nFAULT)。
- VDS过流监测阈值可通过VDSLVL引脚配置(0.1V-2.5V)。
2. 关键特性
- 电源管理:
- 集成3.3V LDO(80mA输出),为外部控制器供电。
- 电荷泵生成栅极驱动电压(GVDD),支持低至4.5V输入。
- 硬件配置:
- 能效优化:
- 超低功耗睡眠模式(静态电流<1μA)。
- 支持负瞬态电压(SHx引脚耐-10V)。
3. 应用领域
4. 设计要点
- 栅极驱动设计:
- 推荐BSTx-SHx bootstrap电容≥1μF(25V耐压)。
- 外部栅极电阻(RGATE)调节开关速率,避免振铃。
- 布局建议:
- 热管理:
- 结温限制150℃,需确保PCB铜面积≥8cm²(QFN封装)。
5. 版本与封装
- 封装选项:
- 36引脚VQFN(5.0×4.0mm),带散热焊盘。
- 型号变体:
- DRV8329A(6x PWM模式)/DRV8329B(3x PWM模式)。
注:本文档适用于高集成度、宽电压范围的电机驱动设计,尤其适合需要高边电流检测和硬件保护的应用场景。
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