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‌DRV8411A 双H桥电机驱动器技术手册总结

科技绿洲 2025-10-13 11:24 次阅读
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DRV8411A 是一款双 H 桥电机驱动器,可驱动一个或两个直流有刷电机、一个步进电机、螺线管或其他感性负载。三重电荷泵允许该器件在低至 1.65V 的电压下工作,以适应 1.8V 电源轨和低电池电量条件。电荷泵集成了所有电容器,并允许 100% 占空比工作。输入和输出可以并联,以驱动大电流有刷直流电机,RDS(on)的一半。

该器件实现电流检测和调节。内部电流镜在IPROPI引脚上输出电流检测信息,无需大功率分流电阻,从而节省电路板面积并降低系统成本。IPROPI 输出允许微控制器检测电机失速或负载条件的变化。使用 VREF 引脚,器件可以在启动和高负载事件期间调节电机电流,而无需微控制器的交互。
*附件:drv8411a.pdf

低功耗睡眠模式通过关闭大部分内部电路来实现超低静态电流消耗。内部保护功能包括欠压、过流和过热。

该DRV8411A是器件系列的一部分,该器件系列提供引脚对引脚、可扩展的RDS(ON)选项,以最小的设计更改支持各种负载。有关此系列中设备的信息,请参阅。在 ti.com 上查看我们完整的有刷电机驱动器产品组合。

特性

  • 双H桥电机驱动器,可驱动-
    • 一个双极步进电机
    • 一个或两个有刷直流电机
    • 电磁阀和其他感性负载
  • 低导通电阻:HS + LS = 400mΩ(典型值,25°C)
  • 宽电源电压范围
    • 1.65 至 11V
  • 引脚对引脚兼容 -
  • 高输出电流能力:4A 峰值
  • PWM控制接口
  • 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
  • 集成电流调节
  • 用于失速检测的IPROPI电流检测输出
  • 低功耗睡眠模式
    • ≤ VVM = 5V、TJ = 25°C 时为 40nA
  • 小封装和占地面积
    • 16 引脚 HTSSOP,带 PowerPAD,5.0™×4.4mm
    • 16引脚WQFN,带PowerPAD,3.0™×3.0mm
  • 集成保护功能
    • VM 欠压锁定 (UVLO)
    • 自动重试过流保护 (OCP)
    • 热关断 (TSD)
    • 故障指示引脚 (nFAULT)

参数

image.png

方框图

image.png

1. 产品概述

  • 型号‌:DRV8411A,支持双H桥驱动,可驱动1个双极步进电机、1-2个有刷直流电机或感性负载(如电磁阀)。
  • 版本‌:SLVSGI9B(2022年10月发布,2024年7月修订)。
  • 核心特性‌:
    • 宽电压范围‌:1.65V至11V工作电压。
    • 低导通电阻‌:高边+低边合计400mΩ(典型值,25°C)。
    • 高输出电流‌:峰值4A(连续电流需考虑散热)。
    • 集成电流调节‌:通过IPROPI引脚输出比例电流信号,无需外置检流电阻。
    • 灵活控制接口‌:支持PWM控制,兼容1.8V/3.3V/5V逻辑输入。
    • 低功耗模式‌:睡眠模式下静态电流低至40nA(典型值)。
    • 保护功能‌:欠压锁定(UVLO)、过流保护(OCP)、热关断(TSD)。

2. 关键参数

  • 导通电阻‌:高边/低边各200mΩ(典型值,25°C)。
  • PWM频率‌:最高100kHz,支持死区时间自动插入。
  • 电流检测增益‌:IPROPI输出电流与负载电流比例约为200μA/A(典型值)。

3. 功能亮点

  • 电流检测与调节‌:
    • 通过AIPROPI/BIPROPI引脚输出比例电流,支持外部ADC测量。
    • 可配置的ITRIP电流限制功能,基于VREF电压和外部电阻设置。
  • 控制模式‌:
    • 驱动模式‌:支持正向、反向、制动(慢衰减)和滑行(快衰减)。
    • 并联模式‌:双H桥并联驱动单个电机,降低总RDS(ON)。
  • 保护机制‌:
    • 过流保护(OCP) ‌:自动重试机制,阈值4A(典型值)。
    • 热关断(TSD) ‌:阈值153°C(典型值),迟滞18°C。

4. 典型应用

  • 场景‌:
  • 设计要点‌:
    • 需外接0.1μF VM去耦电容和10μF以上大容量电容。
    • 布局时需优化散热(HTSSOP封装热阻45.1°C/W)。

5. 封装与型号对比

  • 封装选项‌:
    • HTSSOP(16引脚):5.0×4.4mm,带PowerPAD™。
    • WQFN(16引脚):3.0×3.0mm,超小尺寸。
  • 兼容型号‌:与DRV8833、DRV8847等引脚兼容,RDS(ON)可扩展。

6. 设计注意事项

  • 热管理‌:需计算导通损耗(P=I²RDS(ON))和开关损耗。
  • EMI控制‌:支持可配置压摆率(SR)优化。
  • 电流检测电阻‌:根据ITRIP需求选择RIPROPI(例:1A限流需16.5kΩ电阻)。
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