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德州仪器DRV8411A双路半桥电机驱动器深度解析

科技观察员 2025-08-27 15:46 次阅读
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Texas Instruments DRV8411A双路半桥电机驱动器可驱动一个或两个直流有刷电机、一个步进电机、螺线管或其他电感负载。借助三倍电荷泵,该器件的工作电压低至1.65V,可适应1.8V电源轨和低电池电量条件。电荷泵集成了所有电容器并允许100%占空比运行。输入和输出可以并联,以驱动具有一半RDS(ON) 的大电流有刷DC电机。

数据手册:*附件:Texas Instruments DRV8411A双路半桥电机驱动器数据手册.pdf

该器件进行电流检测和调节。内部电流镜像输出IPROPI引脚上的电流检测信息,无需大功率分流电阻器,从而节省电路板面积并降低系统成本。借助IPROPI输出,微控制器可以检测电机失速或负载条件变化。使用VREF 引脚,此系列器件可以在启动和高负载事件期间调节电机电流,而无需与微控制器进行交互。

低功耗休眠模式通过关断大部分内部电路来实现超低静态电流消耗。内部保护功能包括欠压、过流和过热保护。Texas Instruments DRV8411A所属的器件系列具有引脚对引脚、可扩展RDS(ON) 选项,可支持不同负载,并尽可能减少设计改动。

特性

  • PWM控制接口
  • 支持1.8V、3.3V和5V逻辑输入
  • 集成电流调节
  • IPROPI电流检测输出,用于失速检测
  • 低功耗睡眠模式
    • ≤40nA(VVM =5V、TJ =25°C时)
  • 小型封装尺寸和占位面积
    • 带PowerPAD™的16引脚HTSSOP,5.0mm x 4.4mm
    • 带PowerPAD™的16引脚WQFN,3.0mm × 3.0mm
  • 集成保护特性
    • VM欠压闭锁 (UVLO)
    • 自动重试过流保护 (OCP)
    • 热关断 (TSD)
    • 故障指示引脚(nFAULT)
  • 双路H桥电机驱动器,可驱动
    • 一个双极步进电机
    • 一个或两个有刷直流电机
    • 螺线管和其他电感负载
  • 低导通电阻:HS+LS=400mΩ(典型值,25°C时)
  • 宽电源电压范围
    • 1.65 V 至 11 V

简化示意图

1.png

德州仪器DRV8411A双路半桥电机驱动器深度解析

一、产品核心特性概览

DRV8411A是德州仪器(TI)推出的汽车级双H桥电机驱动器,专为驱动有刷直流电机、步进电机和感性负载设计。该器件采用先进的PowerPAD封装技术,具有以下突出特性:

关键性能参数‌:

  • 低导通电阻‌:HS+LS合计仅400mΩ(典型值@25°C)
  • 宽工作电压‌:1.65V至11V供电范围
  • 高输出能力‌:4A峰值驱动电流
  • 集成电流调节‌:支持200μA/A比例的IPROPI电流反馈
  • 超低功耗‌:睡眠模式电流≤40nA
  • 保护机制‌:集成欠压锁定(UVLO)、过流保护(OCP)和热关断(TSD)

封装选项‌:

  • 16引脚HTSSOP(5.0×4.4mm)
  • 16引脚WQFN(3.0×3.0mm)

二、创新架构设计

1. 双H桥驱动架构

DRV8411A采用双独立H桥设计,每个桥臂包含:

  • 高边MOSFET(RDS(ON)=200mΩ典型值)
  • 低边MOSFET(RDS(ON)=200mΩ典型值)
  • 集成体二极管(VSD=1V典型值@-0.5A)

工作模式支持‌:

  • 有刷直流电机‌:支持正转/反转/制动/滑行四种模式
  • 步进电机‌:支持全步进和半步进控制
  • 并联模式‌:可并联输出实现更高电流驱动

2. 电流检测系统

创新性地采用内部电流镜技术,通过IPROPI引脚输出比例电流:

  • 检测精度‌:±6%误差(3.3V≤VVM≤11V)
  • 带宽特性‌:2μs传感延迟时间
  • 电压转换‌:外接电阻将电流信号转为电压信号

3. 三重保护机制

安全保护体系‌:

  1. 欠压锁定‌:1.6V(上升)/1.3V(下降)阈值
  2. 过流保护‌:4A触发阈值,1.6ms自动重试
  3. 热关断‌:153°C触发,18°C滞后

三、典型应用设计指南

1. 步进电机驱动方案

关键设计参数‌:

  • 电机电压:根据转速需求选择(典型值3-11V)
  • 电流设定:通过VREF和RIPROPI配置ITRIP
  • 步进模式:全步进/半步进(快衰减/慢衰减)

2. 有刷直流电机驱动

并联模式配置要点‌:

  • 并联AIN1/BIN1和AIN2/BIN2
  • 连接AOUT1/BOUT1和AOUT2/BOUT2
  • 禁用电流调节功能(VREF>GND)

PCB布局建议‌:

  • VM去耦电容尽量靠近器件(100nF+10μF组合)
  • 功率走线宽度≥1mm(1oz铜厚)
  • 散热焊盘需充分连接至地平面

四、热设计与可靠性分析

1. 热性能参数

HTSSOP封装‌:

  • RθJA=45.1°C/W(2层板)
  • ΨJB=19.9°C/W

WQFN封装‌:

  • RθJA=49.7°C/W(2层板)
  • ΨJB=23.5°C/W

2. 降额曲线分析

在VVM=5V条件下:

  • 2层PCB(4cm²铜面积):最大持续电流≈1.2A
  • 4层PCB(16cm²铜面积):最大持续电流≈1.8A

五、行业应用场景

  1. 消费电子‌:
    • 电池供电玩具
    • 电子门锁系统
    • 游戏机外围设备
  2. 工业自动化‌:
  3. 机器人系统‌:
    • 小型伺服驱动
    • 机械臂关节控制
    • 移动机器人底盘驱动
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